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B7-H3:Another Molecule Marker for Mo-DCs? 被引量:7
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作者 Guangbo Zhang Qiuming Dong +2 位作者 Ying Xu Gehua Yu Xueguang Zhang 《Cellular & Molecular Immunology》 SCIE CAS CSCD 2005年第4期307-311,共5页
Using a newly generated monoclonal antibody (2E6) against human B7-H3, we explored the expression of the molecule on dendritic cells derived from monocytes (Mo-DCs). Its expression was examined by means of immunos... Using a newly generated monoclonal antibody (2E6) against human B7-H3, we explored the expression of the molecule on dendritic cells derived from monocytes (Mo-DCs). Its expression was examined by means of immunostaining and flow cytometric (FCM) analysis. The results showed that B7-H3 was expressed in the course of Mo-DC maturation induced with interleukin 4 (IL-4) and granulocyte/macrophage colony-stimulating factor (GM-CSF). The expression could be detected at all the stages of Mo-DC differentiation, and remained at a quite stable level. Interestingly, B7-H3 was not expressed by T cells and B cells, even these cells were activated respectively by PHA or PWM. A weak expression could be detected on resting monocytes. These data showed that constitutive expression of B7-H3 at a high level was found on imDCs and mDCs derived from monocytes. Due to no expression on T cells and B cells, we speculate that B7-H3 might be another valuable molecule marker for Mo-DCs. 展开更多
关键词 B7-H3 costimulatory molecule mo-dc monoclonal antibody
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人膜型LIGHT分子对Mo-DC成熟和T细胞激活的调节作用
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作者 曹丽娟 宋华峰 +3 位作者 朱耿超 黄子逸 王雪峰 张学光 《现代免疫学》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期89-93,共5页
利用我们建立的表达人膜型LIGHT分子的基因转染细胞(L929/LIGHT)探讨LIGHT/HVEM信号体外对Mo-DC诱导分化的影响,并进一步研究其对T细胞活化和抗凋亡的共刺激作用。从健康人外周血中分离的单核细胞经GM-CSF联合IL-4诱导形成Mo-DC,流式细... 利用我们建立的表达人膜型LIGHT分子的基因转染细胞(L929/LIGHT)探讨LIGHT/HVEM信号体外对Mo-DC诱导分化的影响,并进一步研究其对T细胞活化和抗凋亡的共刺激作用。从健康人外周血中分离的单核细胞经GM-CSF联合IL-4诱导形成Mo-DC,流式细胞术分析Mo-DC诱导过程中HVEM和LIGHT的表达;基因转染细胞L929/mock、L929/LIGHT、L929/CD40L或L929/LIGHT联合L929/CD40L,分别经丝裂霉素处理后,与GM-CSF联合IL-4诱导的Mo-DC共育,流式细胞术检测Mo-DC细胞表面成熟标志CD83和CD86的表达,利用FITC-Dextran分析Mo-DC对抗原的摄取能力;L929/LIGHT或L929/mock经丝裂霉素处理后,与抗人CD3单抗激发的T细胞共育,流式细胞术分析CD4+和CD8+T细胞表面活化标志CD25的表达,Annexin V和PI双标记分析T细胞的凋亡率。结果表明,高表达HVEM的单核细胞在诱导形成成熟Mo-D(iDC)的过程中下调了HVEM的表达,成熟Mo-DC(mDC)又上调表达HVEM,而LIGHT在Mo-DC分化过程中呈短暂的诱导性表达;基因转染细胞L929/LIGHT及其联合L929/CD40L能上调Mo-DC表面共刺激分子CD83和CD86的表达,并下调Mo-DC对FITC-Dextran的摄取能力;L929/LIGHT细胞能上调CD4+、CD8+T细胞CD25的表达,并增强T细胞抗凋亡能力。因此,基因转染细胞L929/LIGHT表面表达的人膜型LIGHT分子介导的LIGHT/HVEM共刺激信号对Mo-DC的诱导成熟和T细胞活化及抗凋亡能力具有促进作用。 展开更多
关键词 与单纯疱疹病毒的糖蛋白D竞争结合HVEM的淋巴毒素类似物(LIGHT) 单纯疱疹病毒侵入介质(HVEM) T细胞 单核细胞来源的树突状细胞(Mo—DC) 共刺激
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燃气热水器直流风机MOS管控制电路改进的实验研究
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作者 黄智 《微特电机》 2023年第12期49-53,共5页
直流风机MOS管控制电路的可靠性一直是燃气热水器控制器及燃气热水器整机制造商重点关注的问题之一。针对燃气热水器内直流风机MOS管控制电路适应性差导致MOS管温升变高和风机运行效率降低的问题,在原直流风机MOS管控制电路基础上,增加... 直流风机MOS管控制电路的可靠性一直是燃气热水器控制器及燃气热水器整机制造商重点关注的问题之一。针对燃气热水器内直流风机MOS管控制电路适应性差导致MOS管温升变高和风机运行效率降低的问题,在原直流风机MOS管控制电路基础上,增加了可自动调节控制参数的调节电路;同时在风机控制软件上增加了两种MOS管运行模式切换处理的方法来降低MOS管的温升和保证风机运行效率的稳定性。基于上述方案搭建了新的直流风机MOS管控制软硬件电路,并在燃气热水器控制器上进行了实验研究论证。实验结果表明,应用该调节电路和新的软件控制方式可以降低MOS管的温升和提高风机运行效率的稳定性,大幅度提高了燃气热水器直流风机MOS管控制电路的可靠性和实用性。 展开更多
关键词 直流风机 MOS管控制 温升 模式切换
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一种实用微型直流电机驱动器的设计与实现
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作者 钟志贤 《昆明冶金高等专科学校学报》 CAS 2023年第2期104-112,共9页
根据自主移动竞赛机器人控制系统的需要,设计实现了一个基于C8051F单片机、MOS管与继电器控制的4路微型直流电机驱动器。结合自定义通信协议,驱动器通过RS422串行总线接收上位机命令,实现对微型直流电机转速和转向的远程控制。驱动器结... 根据自主移动竞赛机器人控制系统的需要,设计实现了一个基于C8051F单片机、MOS管与继电器控制的4路微型直流电机驱动器。结合自定义通信协议,驱动器通过RS422串行总线接收上位机命令,实现对微型直流电机转速和转向的远程控制。驱动器结构简单,开发维护成本低,具有很好的扩展性和使用价值。 展开更多
关键词 C8051F单片机 直流电机 继电器 MOS管 RS422总线 驱动器
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基于MOS管电阻的直流焊机校准装置研究
5
作者 刘寒遥 黄贺 刘卫 《计量与测试技术》 2023年第6期5-7,共3页
本文通过分析研究,利用MOS管电阻体积小、稳定性好的特点,设计一种基于MOS管电阻的直流焊机校准装置,采用大功率风冷模式降温和连接线接入的方式,有效提高焊接电流、焊接电压校准精度。同时,对样机主要测量参数进行不确定度分析。结果表... 本文通过分析研究,利用MOS管电阻体积小、稳定性好的特点,设计一种基于MOS管电阻的直流焊机校准装置,采用大功率风冷模式降温和连接线接入的方式,有效提高焊接电流、焊接电压校准精度。同时,对样机主要测量参数进行不确定度分析。结果表明:样机准确度等级可达0.1级,满足直流焊机校准要求。 展开更多
关键词 直流焊机 校准 MOS管电阻
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直流溅射工艺参数对Mo薄膜结构及电性能的影响 被引量:5
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作者 黄涛 闫勇 +6 位作者 黄稳 张艳霞 晏传鹏 刘连 张勇 赵勇 余洲 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期499-503,共5页
采用直流磁控溅射法在SLG衬底上沉积Mo薄膜,对不同溅射功率和溅射工作气压下沉积的薄膜进行X射线衍射、SEM(扫描电子显微镜)、电阻率测试,讨论了工艺参数对沉积Mo薄膜相结构、表面微观形貌、薄膜沉积速率和电学性能的影响。结果表明,随... 采用直流磁控溅射法在SLG衬底上沉积Mo薄膜,对不同溅射功率和溅射工作气压下沉积的薄膜进行X射线衍射、SEM(扫描电子显微镜)、电阻率测试,讨论了工艺参数对沉积Mo薄膜相结构、表面微观形貌、薄膜沉积速率和电学性能的影响。结果表明,随着溅射功率的增加,薄膜的结晶性能变好,沉积速率提高,在沉积功率范围内薄膜均匀致密,表面无空隙,电阻率较低;随着溅射工作气压增加,薄膜结晶性能变差,沉积速率先增加后降低,在沉积工作气压范围内,薄膜致密;随气压降低,电阻率急剧减小。因此,较高的溅射功率和较低的工作气压沉积的Mo薄膜更适合作CIGS薄膜太阳电池的BC层(背接触层)。 展开更多
关键词 MO薄膜 直流磁控溅射 电阻率
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溅射功率对Mo薄膜微结构和性能的影响 被引量:10
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作者 廖国 何智兵 +4 位作者 陈太红 许华 李俊 谌加军 唐永建 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期2386-2390,共5页
实验采用直流磁控溅射沉积技术在不同溅射功率下制备Mo膜,研究了不同溅射功率下Mo膜的沉积速率、表面形貌及晶型结构,并对其晶粒尺寸和应力进行了研究。利用原子力显微镜观察样品的表面形貌发现随着溅射功率的增加,薄膜表面粗糙度逐渐... 实验采用直流磁控溅射沉积技术在不同溅射功率下制备Mo膜,研究了不同溅射功率下Mo膜的沉积速率、表面形貌及晶型结构,并对其晶粒尺寸和应力进行了研究。利用原子力显微镜观察样品的表面形貌发现随着溅射功率的增加,薄膜表面粗糙度逐渐增大。X射线衍射分析表明薄膜呈立方多晶结构,晶粒尺寸为14.1~17.9nm;应力先随溅射功率的增大而增大,在40W时达到最大值(2.383GPa),后随溅射功率的增大有所减小。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 MO薄膜 溅射功率 表面形貌 X射线衍射
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工作气压对磁控溅射Mo膜的影响 被引量:4
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作者 廖国 王冰 +9 位作者 张玲 牛忠彩 张志娇 何智兵 杨晓峰 李俊 许华 陈太红 曾体贤 谌家军 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期82-84,93,共4页
采用直流磁控溅射沉积技术在不同工作气压下制备Mo膜,研究了工作气压对Mo膜的沉积速率、表面形貌及晶型结构的影响规律,研究表明:工作气压在0.1~0.5Pa范围内,沉积速率基本保持不变,在0.5~1.5Pa范围内沉积速率随工作气压的升高而增大;M... 采用直流磁控溅射沉积技术在不同工作气压下制备Mo膜,研究了工作气压对Mo膜的沉积速率、表面形貌及晶型结构的影响规律,研究表明:工作气压在0.1~0.5Pa范围内,沉积速率基本保持不变,在0.5~1.5Pa范围内沉积速率随工作气压的升高而增大;Mo膜的表面粗糙度随工作气压的升高而增加;不同工作气压下制备的Mo膜为立方结构,在较低工作气压下薄膜结晶性能较好。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 MO薄膜 工作气压 沉积速率 表面形貌
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高择优取向Mo薄膜的直流磁控溅射制备及其电学性能 被引量:5
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作者 王震东 赖珍荃 +1 位作者 范定环 徐鹏 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期1342-1345,共4页
使用直流磁控溅射法在玻璃基底上沉积Mo薄膜,采用X射线衍射仪、原子力显微镜和四探针测试系统研究了溅射工艺对Mo薄膜的结构、形貌和电学性能的影响.结果表明:当基片温度为150℃时,薄膜获得(211)晶面择优取向生长,而在低于250℃的其它... 使用直流磁控溅射法在玻璃基底上沉积Mo薄膜,采用X射线衍射仪、原子力显微镜和四探针测试系统研究了溅射工艺对Mo薄膜的结构、形貌和电学性能的影响.结果表明:当基片温度为150℃时,薄膜获得(211)晶面择优取向生长,而在低于250℃的其它温度条件下,样品则表现为(110)晶面择优取向生长.进一步的表面形貌分析显示:薄膜的粗糙度随基片温度变化不明显,其值大约为0.35nm,随溅射功率密度的增大而变大;电学性能方面:随着溅射功率密度的升高,薄膜导电性能迅速增强,电阻率呈现近似指数函数衰减;随着基底温度的升高,薄膜的电阻率先减小后增大,当基底温度为150℃时,薄膜电阻率降低至最小值2.02×10-5Ω.cm. 展开更多
关键词 直流磁控溅射 MO薄膜 高择优取向 电学性能
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高温AlGaInP/GaAs双异质结双极晶体管 被引量:1
10
作者 刘文超 夏冠群 +1 位作者 李冰寒 黄文奎 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期756-759,共4页
利用Mo/W/Ti/Au难熔金属作为发射极欧姆接触设计并制作了一种用于功率放大器的新结构AlGaInP/GaAs双异质结双极晶体管(DHBT),分析了与传统AuGeNi作为接触电极的AlGaInP/GaAsDHBT的直流特性差异.研究结果表明,利用难熔金属作为欧姆接触... 利用Mo/W/Ti/Au难熔金属作为发射极欧姆接触设计并制作了一种用于功率放大器的新结构AlGaInP/GaAs双异质结双极晶体管(DHBT),分析了与传统AuGeNi作为接触电极的AlGaInP/GaAsDHBT的直流特性差异.研究结果表明,利用难熔金属作为欧姆接触电极的DHBT器件具有较好的高温特性,并进一步分析了其具有良好高温特性的机理. 展开更多
关键词 AlGaInP/GaAs 双异质结双极晶体管 Mo/W/Ti/Au 直流特性
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基于单稳态电路的PFM控制器设计 被引量:1
11
作者 邹雪城 陈继明 +1 位作者 郑朝霞 肖华 《华中科技大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期22-25,共4页
在分析脉冲频率调制(PFM)对开关电源轻负载效率提升的基础上,设计了一款新颖的PFM升压DC-DC转换器控制芯片,内部采用独特的低压偏置产生电路和单稳态电路,结构简单(仅有21个双极型晶体管——BJT(bipolar junction transistor),它与外接... 在分析脉冲频率调制(PFM)对开关电源轻负载效率提升的基础上,设计了一款新颖的PFM升压DC-DC转换器控制芯片,内部采用独特的低压偏置产生电路和单稳态电路,结构简单(仅有21个双极型晶体管——BJT(bipolar junction transistor),它与外接高性能元件配合构成驱动LED(lightemitting diode)的高效升压电路.HSPICE仿真结果表明:在BCD-0.6μm-30 V工艺下,最低工作电压只需0.9 V,效率高达94%以上,达到了设计预期的结果,具有很好的应用前景. 展开更多
关键词 脉冲频率调制(PFM) 单稳态 直流-直流变换器 发光二极管驱动 双极型 互补型 双扩散 金属氧化物半导体(BCD)
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不同电源等电位离子钨钼共渗的研究 被引量:1
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作者 申罡 高原 +1 位作者 王成磊 卜根涛 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期49-51,共3页
利用脉冲单电源和直流单电源,分别在Q235钢表面进行等离子钨钼共渗。通过对不同电源钨钼共渗试样的渗层组织、渗层成分分布、晶体结构、渗层硬度分布的检测和比较,分析了2种电源对等离子钨钼共渗的影响。结果表明,利用单一电源均可在Q23... 利用脉冲单电源和直流单电源,分别在Q235钢表面进行等离子钨钼共渗。通过对不同电源钨钼共渗试样的渗层组织、渗层成分分布、晶体结构、渗层硬度分布的检测和比较,分析了2种电源对等离子钨钼共渗的影响。结果表明,利用单一电源均可在Q235钢表面形成明显反应扩散层;在相同工艺下,采用脉冲电源所得到的试样渗层厚度较采用直流电源的渗层厚度增加了18.1%;脉冲电源试样表面W、Mo含量(质量分数,下同)分别约为8.4%和9.8%,直流电源试样表面W、Mo含量分别为8.2%和8.9%,可见2种电源渗层表面含W、Mo量相差不大;2种电源渗层相结构均为Fe7W6和Fe3Mo金属间化合物相;钨钼共渗后渗层硬度提高不明显。 展开更多
关键词 脉冲 直流 双辉 表面改性 钨钼共渗
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薄膜厚度对直流脉冲磁控溅射Mo薄膜光电性能的影响 被引量:9
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作者 朱继国 柴卫平 +4 位作者 王华林 张树旺 刘世民 张粲 汪亚辉 《光学仪器》 2008年第3期55-59,共5页
采用直流脉冲磁控溅射方法在SLG衬底上沉积CIGS太阳电池背接触Mo薄膜,研究了薄膜的光学和电学性能随厚度的变化关系。结果表明,随着薄膜厚度的增加,薄膜的电阻率先降低后增加,在厚度284.3nm处电阻率最低,为7.3×10^-4Ω·... 采用直流脉冲磁控溅射方法在SLG衬底上沉积CIGS太阳电池背接触Mo薄膜,研究了薄膜的光学和电学性能随厚度的变化关系。结果表明,随着薄膜厚度的增加,薄膜的电阻率先降低后增加,在厚度284.3nm处电阻率最低,为7.3×10^-4Ω·cm。不同厚度的Mo薄膜在各个波长处(200~840nm)反射率都随波长的增加而增大。随着薄膜厚度的增加,平均反射率总的呈下降趋势,在薄膜厚度284.3nm时出现一反射率高峰,其在200-840nm波长范围内的平均反射率达43.33%。 展开更多
关键词 MO薄膜 直流脉冲磁控溅射(DC-PMS) 电阻率 反射率
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直流反应磁控溅射制备的Mo掺杂TiO_2薄膜的光电特性 被引量:8
14
作者 颜秉熙 罗胜耘 沈杰 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第2期381-386,共6页
通过直流反应磁控溅射制备了不同Mo掺杂量的Mo-TiO2薄膜.用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)仪、X射线光电子能谱(XPS)仪、紫外-可见(UV-Vis)分光光度计详细研究了Mo掺杂量对薄膜表面形貌、晶体结构、元素价态及吸收带边的影响.用瞬... 通过直流反应磁控溅射制备了不同Mo掺杂量的Mo-TiO2薄膜.用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)仪、X射线光电子能谱(XPS)仪、紫外-可见(UV-Vis)分光光度计详细研究了Mo掺杂量对薄膜表面形貌、晶体结构、元素价态及吸收带边的影响.用瞬态光电流和循环伏安法考察了不同Mo含量ITO/Mo-TiO2电极的光电特性.结果表明:在TiO2薄膜中掺入的Mo以Mo6+和Mo5+两种价态存在;随着Mo掺杂量的增加,Mo-TiO2薄膜的晶粒尺寸逐渐减小,晶格畸变增大,吸收阈值显著红移;薄膜的禁带宽度先减小后增大,在Mo掺杂量为2.7%(n(Mo)/n(Ti))时禁带宽度最小;Mo掺杂量为0.9%的样品在氙灯下的光生电流最大,且随着所加阳极偏压的提高光生电流并未呈现出饱和的趋势.此后随着掺杂量的提高,薄膜的光生电流开始下降,当Mo掺杂量达到3.6%时,薄膜的光电流小于未掺杂的样品;说明适当浓度的Mo掺杂能够提高Mo-TiO2薄膜光电性能,光生电流最大可达未掺杂的2.4倍. 展开更多
关键词 光生电流 循环伏安 直流反应磁控溅射 二氧化钛薄膜 钼掺杂
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基于ARM的双扩展示车车厢智能伸缩控制系统 被引量:1
15
作者 吴蓬勃 张金燕 李爱宁 《农业装备与车辆工程》 2017年第8期97-100,共4页
根据双扩展示车车厢自动伸缩系统的要求,基于ARM Cortex-M0和实时操作系统uCOS-II,结合双路无刷直流电机、电流和电压采集单元,实现双路电机的同步控制,避免了在伸缩过程中厢体之间的摩擦,提高了车身寿命;结合三轴姿态采集单元和电动液... 根据双扩展示车车厢自动伸缩系统的要求,基于ARM Cortex-M0和实时操作系统uCOS-II,结合双路无刷直流电机、电流和电压采集单元,实现双路电机的同步控制,避免了在伸缩过程中厢体之间的摩擦,提高了车身寿命;结合三轴姿态采集单元和电动液压支腿,实现主车厢与扩展车厢地板的自动调平,确保展示车内部的行走安全和视觉美观。系统具有体积小、成本低、可靠性高、寿命长等优点,可非常方面地嵌入到现有展示车系统中。 展开更多
关键词 双扩展示车 CORTEX-M0 uCOS-Ⅱ 无刷直流电机 三轴姿态传感器
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MOS晶体管模型参数提取的实验方法探讨
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作者 刘海涛 黄扬帆 温志渝 《实验科学与技术》 2010年第4期4-5,19,共3页
基于CMOS(互补金属氧化物半导体)的集成电路设计在当今集成电路设计中占有很大的比重,MOS晶体管作为CMOS集成电路中最基本的元件之一,其参数的提取在计算机辅助分析中是不可缺少的关键环节之一。文章详细讨论了MOS晶体管众多参数提取的... 基于CMOS(互补金属氧化物半导体)的集成电路设计在当今集成电路设计中占有很大的比重,MOS晶体管作为CMOS集成电路中最基本的元件之一,其参数的提取在计算机辅助分析中是不可缺少的关键环节之一。文章详细讨论了MOS晶体管众多参数提取的理论基础和实验方法,通过该实验方法的学习和应用,可以使学生对MOS晶体管有更深的认识,同时也对CMOS集成电路设计打下扎实的基础。 展开更多
关键词 MOS晶体管 三级模型 直流参数 交流小信号 参数提取
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软X射线Mo/B_4C多层膜应力和热稳定性研究 被引量:1
17
作者 徐德超 王海霞 +3 位作者 张众 朱杰 连玉红 王占山 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期118-122,共5页
为了实现7nm波段Mo/B4C多层膜反射镜元件的制备,研究了不同退火方式对Mo/B4C多层膜应力和热稳定性的影响。首先,采用直流磁控溅射方法分别基于石英和硅基板制作Mo/B4C多层膜样品,设计周期为3.58nm、周期数为60,Mo膜层厚度与周期的比值为... 为了实现7nm波段Mo/B4C多层膜反射镜元件的制备,研究了不同退火方式对Mo/B4C多层膜应力和热稳定性的影响。首先,采用直流磁控溅射方法分别基于石英和硅基板制作Mo/B4C多层膜样品,设计周期为3.58nm、周期数为60,Mo膜层厚度与周期的比值为0.4。其次,采用不同的退火方式对所制作的样品进行退火实验,最高退火温度500℃。最后,分别采用X射线掠入射反射、X射线散射和光学干涉仪的方法对退火前后的Mo/B4C多层膜的周期、界面粗糙度和应力进行测试。测试结果表明采用真空退火方式能够有效降低Mo/B4C多层膜的应力,且退火前后Mo/B4C多层膜的周期和界面粗糙度无明显变化,证明Mo/B4C多层膜在500℃以内具有很好的热稳定性。 展开更多
关键词 软X射线 Mo/B4C 直流磁控溅射 应力 热稳定性
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高反射率Mo/B_4C多层膜设计及制备 被引量:6
18
作者 张慧晶 张众 +8 位作者 朱京涛 白亮 陈锐 黄秋实 刘丽琴 谭默言 王风丽 王占山 陈玲燕 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期67-70,共4页
运用遗传算法优化设计了Mo/B4C多层膜结构。入射光入射角度取10°时,设计的理想多层膜膜对数为150,周期为3.59 nm,Gamma值(Mo膜厚与周期的比值)为0.41,峰值反射率为33.29%。采用恒功率模式直流磁控溅射方法制作Mo/B4C多层膜。通过在... 运用遗传算法优化设计了Mo/B4C多层膜结构。入射光入射角度取10°时,设计的理想多层膜膜对数为150,周期为3.59 nm,Gamma值(Mo膜厚与周期的比值)为0.41,峰值反射率为33.29%。采用恒功率模式直流磁控溅射方法制作Mo/B4C多层膜。通过在Mo/B4C多层膜与基底之间增加15 nm厚的Cr粘附层,提高多层膜与基底的粘附力。另外,还采用调整多层膜Gamma值的方法减小其内应力,调整后多层膜结构周期为3.59 nm,Mo膜厚1.97 nm,B4C膜厚1.62 nm,峰值反射率26.34%。制备了膜对数为150的Mo/B4C膜并测量了其反射率,在波长7.03 nm处,Mo/B4C多层膜的近正入射反射率为21.0%。最后对测量结果进行了拟合,拟合得到Mo/B4C多层膜的周期为3.60 nm,Gamma值0.60,界面粗糙度为0.30 nm。 展开更多
关键词 软X射线 Mo/B4C多层膜 遗传算法 直流磁控溅射 应力 反射率
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2.25Cr1Mo钢蠕变断裂韧性实验研究 被引量:2
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作者 魏铮 轩福贞 《电站辅机》 2005年第3期1-4,8,共5页
采用CT试样对2.25Cr1Mo钢在550℃和565℃下的裂纹扩展试验,用直流电位法获得了蠕变裂纹扩展速率,计算得到了不同温度、不同时间下的蠕变断裂韧性。结果表明2.25Cr1Mo的蠕变断裂韧性随时间增大而减小,随着温度的升高而增大。
关键词 蠕变断裂韧性 高温 2.25CrlMo钢 直流电位法
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一种基于ARM的无刷电机控制器设计 被引量:1
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作者 蒋哲 李大寨 《机械与电子》 2014年第8期56-58,共3页
基于ARM芯片STM32F103VET6和功率MOSFET管,设计了一种适用于低电压、较大电流无刷电机的控制器。详细介绍了控制板和功率板的硬件结构以及保护电路的设计。采用模糊自适应PID算法实现速度闭环与电流闭环控制。实验结果表明,控制器响应... 基于ARM芯片STM32F103VET6和功率MOSFET管,设计了一种适用于低电压、较大电流无刷电机的控制器。详细介绍了控制板和功率板的硬件结构以及保护电路的设计。采用模糊自适应PID算法实现速度闭环与电流闭环控制。实验结果表明,控制器响应速度快、运行稳定及可靠性高,能够满足使用要求。 展开更多
关键词 无刷电机 ARM MOSFET 模糊自适应PID控制
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