PCVD法沉积a-Si∶H薄膜初始阶段的计算机模拟

利用MonteCarlo模型研究了用PCVD法沉积a Si∶H薄膜初始阶段团簇的大小和数目与衬底温度的关系。该模型考虑了两个成长阶段 ,即成核阶段和晶核成长阶段 ;3种动力学过程 ,即粒子入射、吸附粒子扩散和吸附粒子脱附过程。模拟结果表明 ,随着衬底温度的升高 ,团簇的数目和大小都有所增长 ,且存在一个最佳温度 5 5 0K ,使团簇的数目达到饱和 ,晶粒为最大 。

多段阵列式钕玻璃激光放大器泵浦腔的模拟软件

报道了在国内首次建立的用于研究多段钕玻璃激光放大器泵浦腔特性的模拟软件，它使用了二维光线追迹和蒙特卡罗法，综合考虑了闪光灯辐射谱、吸收谱，能量传输效率、介质对光能量吸收特性，放大自发辐射等多种参数的影响。本文所得结果对大尺寸多段阵列式钕玻璃放大器设计有参考价值。