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ZnO-SnO_2透明导电薄膜的制备及性能研究 被引量:6
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作者 王峰 张志勇 +2 位作者 闫军锋 李林 贠江妮 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期3121-3125,共5页
采用二步成胶工艺制备ZnO-SnO2透明导电薄膜,应用X射线衍射、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计、薄膜分析仪及四探针仪等对薄膜的结构、表面微观形貌、透过率和导电性能进行表征.结果表明,锌锡摩尔比为9/12,退火温度为500℃时,薄膜的... 采用二步成胶工艺制备ZnO-SnO2透明导电薄膜,应用X射线衍射、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计、薄膜分析仪及四探针仪等对薄膜的结构、表面微观形貌、透过率和导电性能进行表征.结果表明,锌锡摩尔比为9/12,退火温度为500℃时,薄膜的透过率达90%,电阻率为3.15×10-3Ω.cm.与其它工艺相比,二步成胶工艺所制备出的ZnO-SnO2透明导电薄膜性能优异. 展开更多
关键词 二步法 ZnO—SnO2 锌锡摩尔配比 透明导电薄膜
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