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A Qualitative Assessment of a Modified Multilevel Converter Topology M2LeC for Lightweight Low-Cost Electric Propulsion
1
作者 Paul H. Riley Obrad Dordevic +2 位作者 Keith Pullen Liliana DeLilo Massimo De Giorgio 《Engineering(科研)》 2020年第7期496-515,共20页
A Cascade H Bridge (CHB) is evaluated for both electric vehicle motor traction control and off-vehicle charging against the Power ElectronicsUK Automotive Challenge for cost and mass for the year 2035. By combining th... A Cascade H Bridge (CHB) is evaluated for both electric vehicle motor traction control and off-vehicle charging against the Power ElectronicsUK Automotive Challenge for cost and mass for the year 2035. By combining the power electronics with batteries using low-voltage MOSFET transistors in a series cascade arrangement the cost and mass targets could be met 12 years earlier (in 2023 and 20 times lighter if an application specific integrated circuit (ASIC) is used. A 200 kW peak reference car was used to evaluate cost and mass benefits using four different topologies of power electronics. Vehicle installation is shown to be simplified as only passive cooling is required removing the need for liquid cooling systems and the arrangement is inherently safe;no high voltages are present when the vehicle is stationary. The inherently higher efficiency of CHB increases vehicle range. The converter with integrated batteries can also behave as an integrated on-board battery charger delivering additional off-vehicle benefits by removing the need for costly external chargers. 展开更多
关键词 Power Electronics Electric Vehicles Cascaded H Bridge CHB Modular multi-level Converter MMC mlc
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基于缩短极化码的MLC NAND Flash差错控制技术研究 被引量:6
2
作者 郭锐 王美洁 王杰 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第7期1658-1665,共8页
为了提高MLC NAND Flash的抗误码性能,该文提出一种基于优化缩短极化码的MLC NAND Flash差错控制方法。优化缩短极化码通过优化删减图样得到,首先通过比特翻转重排序的方式得到基本删减图样,进而选择具有更低信道容量的冻结比特组成优... 为了提高MLC NAND Flash的抗误码性能,该文提出一种基于优化缩短极化码的MLC NAND Flash差错控制方法。优化缩短极化码通过优化删减图样得到,首先通过比特翻转重排序的方式得到基本删减图样,进而选择具有更低信道容量的冻结比特组成优化删减图样,使得到的删减比特全为冻结比特,可以显著提高删减算法的纠错性能。同时,根据MLC单元错误的不对称性,采用码率自适应的码字对FLASH中MSB和LSB进行不等错误保护。仿真结果表明:当误帧率为310-时,优化缩短极化码较相同码长的LDPC码和基本缩短极化码分别约有3.72~5.89 d B和1.47~3.49 d B增益;相比基于同一码率的优化缩短极化码方案,不等错误保护的差错控制方案获得约0.25 d B增益。 展开更多
关键词 极化码 多层单元 NAND FLASH 缩短码 不等错误保护
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面向Cell宽带引擎架构的异构多核访存技术 被引量:10
3
作者 冯国富 董小社 +1 位作者 丁彦飞 王旭昊 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期1-5,共5页
针对Cell宽带引擎架构(CBEA)多核高性能处理器要求软件显式地对分层存储结构进行管理,带来架构的可编程性及性能等问题,提出了一种基于CBEA的异构多核访存技术.将CBEA访存分为批量访存和按需访存;通过合理部署数据缓冲区来减小批... 针对Cell宽带引擎架构(CBEA)多核高性能处理器要求软件显式地对分层存储结构进行管理,带来架构的可编程性及性能等问题,提出了一种基于CBEA的异构多核访存技术.将CBEA访存分为批量访存和按需访存;通过合理部署数据缓冲区来减小批量访存计算中的片内访存开销,利用支持粗粒度访问的软件管理cache及数据预取来降低按需访存的片外访存开销;以访存接口库的方式来改善软件的可编程性.实验结果表明,所提技术的访存接口库在批量访存方式下的性能比ALF和CellSs提高了30%~50%,按需访存中软件管理cache性能比CBE软件开发工具包提高了20%~30%,4路数据预取访存比单路缓存的性能提高约50%. 展开更多
关键词 异构多核 访存技术 分层存储结构 cell宽带引擎架构
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一种适用于MLC闪存的CCI噪声均衡化算法 被引量:2
4
作者 张旋 周乐 侯爱华 《计算机科学》 CSCD 北大核心 2018年第B06期541-544,共4页
随着多级单元(Multi-Level Cell,MLC)闪存存储密度的增加,单元间干扰(Cell-to-Cell Interference,CCI)成为影响NAND闪存可靠性的主要噪声。在深入研究MLC闪存模型和CCI噪声模型的基础上,提出了一种MLC闪存的CCI噪声均衡化算法。该算法... 随着多级单元(Multi-Level Cell,MLC)闪存存储密度的增加,单元间干扰(Cell-to-Cell Interference,CCI)成为影响NAND闪存可靠性的主要噪声。在深入研究MLC闪存模型和CCI噪声模型的基础上,提出了一种MLC闪存的CCI噪声均衡化算法。该算法通过估计CCI干扰强度进而对感知MLC阈值电压进行补偿,可以更准确地读取MLC单元中存储的信息。仿真结果表明,在MLC闪存信道条件下,CCI噪声均衡化算法可以有效减少相邻状态的阈值电压交叉现象,有助于降低原始比特错误率,增强MLC闪存的可靠性。 展开更多
关键词 多级单元 单元间干扰 均衡化
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Dual-FTL:一种基于MLC/SLC双模闪存芯片的闪存转换层 被引量:1
5
作者 刘洋 王峰 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2014年第5期148-154,共7页
为了解决多级单元(MLC)闪存相对于单级单元(SLC)闪存写入性能低和擦除寿命短的问题,提出了一种基于MLC/SLC双模闪存存储芯片的闪存转换层Dual-FTL.利用MLC/SLC双模闪存芯片的双烧写模式,Dual-FTL将闪存空间分为容纳热数据的小容量SLC区... 为了解决多级单元(MLC)闪存相对于单级单元(SLC)闪存写入性能低和擦除寿命短的问题,提出了一种基于MLC/SLC双模闪存存储芯片的闪存转换层Dual-FTL.利用MLC/SLC双模闪存芯片的双烧写模式,Dual-FTL将闪存空间分为容纳热数据的小容量SLC区域和容纳冷数据的大容量MLC区域.同时,Dual-FTL提出了识别数据冷热度的方法,并可以根据负载变化动态调整策略参数.实验结果表明,Dual-FTL可以让MLC/SLC双模闪存在一半的比特成本下提供和SLC闪存相似的性能和使用寿命. 展开更多
关键词 闪存转换层 多级单元闪存 单级单元闪存 热度
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基于加权比特翻转的MLC型NAND闪存系统 被引量:1
6
作者 张旋 余娟 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2018年第2期75-78,共4页
多级单元(Multi-Level-Cell,MLC)技术增加了NAND闪存的存储密度,但也增强了单元间干扰(Cell-toCell Interference,CCI)噪声强度,导致了NAND闪存的可靠性急剧下降.在深入研究MLC闪存模型和CCI噪声模型基础上,提出了一种MLC型NAND闪存的... 多级单元(Multi-Level-Cell,MLC)技术增加了NAND闪存的存储密度,但也增强了单元间干扰(Cell-toCell Interference,CCI)噪声强度,导致了NAND闪存的可靠性急剧下降.在深入研究MLC闪存模型和CCI噪声模型基础上,提出了一种MLC型NAND闪存的加权比特翻转硬判决译码方法.仿真结果表明,在MLC闪存信道条件下,该方法既可保证MLC闪存单元的可靠性,对可保持较低的译码复杂度,从而实现了译码复杂度和性能间的良好折衷. 展开更多
关键词 多级单元 单元间干扰 加权比特翻转译码
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基于多精度感知的MLC闪存比特翻转译码算法
7
作者 张旋 燕莎 +1 位作者 李晓强 刘强辉 《计算机测量与控制》 2017年第9期194-199,共6页
随着多级单元(multi-level cell,MLC)闪存存储密度的增加,单元间干扰(cell-to-cell interference,CCI)成为影响NAND闪存可靠性的主要噪声;在深入研究MLC闪存模型和CCI噪声模型基础上,提出了一种MLC闪存多精度感知的比特翻转译码方法,该... 随着多级单元(multi-level cell,MLC)闪存存储密度的增加,单元间干扰(cell-to-cell interference,CCI)成为影响NAND闪存可靠性的主要噪声;在深入研究MLC闪存模型和CCI噪声模型基础上,提出了一种MLC闪存多精度感知的比特翻转译码方法,该方法通过选取合适的MLC闪存单元感知精度进而得到MLC单元中存储比特的准确对数似然比信息,利用此信息可降低原始错误比特率并且提高比特翻转译码算法的译码性能;仿真结果表明,在MLC闪存信道条件下,所给方法提高了比特翻转译码算法译码性能,并且保持较低的译码复杂度和较短的感知时延。 展开更多
关键词 多级单元 单元间干扰 比特翻转译码
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机器人制造单元集成式工艺规划与调度方法
8
作者 彭远刚 谢思晨 +2 位作者 曾文玉 姜瑞森 李明富 《机械研究与应用》 2024年第3期78-82,共5页
文章针对机器人制造单元集成式工艺规划与调度(RMC-IPPS)问题,并考虑其加工次序柔性、加工柔性及工序柔性,提出了一种多层级线性编码的方法,该方法能有效地将RMC-IPPS问题的解用简单的数据结构表示,并实现对问题的整体求解。同时,针对... 文章针对机器人制造单元集成式工艺规划与调度(RMC-IPPS)问题,并考虑其加工次序柔性、加工柔性及工序柔性,提出了一种多层级线性编码的方法,该方法能有效地将RMC-IPPS问题的解用简单的数据结构表示,并实现对问题的整体求解。同时,针对毛坯件/半成品在单元中的转运问题,设计了一种基于贪婪思想的机器人调度策略,该策略每一步都选择当前的最优状态,使生产周期尽量不因搬运工序的存在而产生过多延滞。最后,设计出一种基于外部档案库的NSGA-Ⅱ算法(M-NSGA-Ⅱ),该算法通过外部档案库对非劣解进行二次搜索,以避免种群多样性趋于单一,并通过基准实例与实际生产应用算例对所提方法进行验证,并将改进后的算法与其它算法进行对比。结果表明,相较标准NSGA-Ⅱ算法,M-NSGA-Ⅱ算法的覆盖率为100%;相较文献中的算法,M-NSGA-Ⅱ算法具有更高的覆盖率。 展开更多
关键词 集成式工艺规划与车间调度 机器人制造单元 多层级线性编码 NSGA-Ⅱ
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一种使MLC实现准SLC效能的方法
9
作者 杜加友 王维建 +1 位作者 樊凌雁 刘海銮 《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》 2014年第4期84-87,共4页
FLASH存储器工艺已经普及到25 nm,并正在进军15 nm,其存储密度也从单阶存储单元提高到多阶存储单元。相比于单阶存储单元,多阶存储单元可以降低存储器的价格,但是存储性能会降低。提出了一种针对多阶存储单元器件编程的方法,该方法能够... FLASH存储器工艺已经普及到25 nm,并正在进军15 nm,其存储密度也从单阶存储单元提高到多阶存储单元。相比于单阶存储单元,多阶存储单元可以降低存储器的价格,但是存储性能会降低。提出了一种针对多阶存储单元器件编程的方法,该方法能够提高多阶存储单元的速度,且能够减少位错误率,从而获得接近单阶存储单元器件的性能。 展开更多
关键词 闪存 多阶存储单元 对偶页
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基于非均匀感知策略的MLC闪存系统
10
作者 张旋 燕莎 周乐 《计算机系统应用》 2018年第2期107-111,共5页
面向多级单元(Multi-Level Cell,MLC)的LDPC码的最小和(Min-Sum,MS)译码算法译码性能取决于码字中每个比特对应的对数似然比(Log-Likelihood Ratio,LLR)的准确度,然而基于均匀感知策略的MLC电压读取方法需要提高感知精度才能获取精度高... 面向多级单元(Multi-Level Cell,MLC)的LDPC码的最小和(Min-Sum,MS)译码算法译码性能取决于码字中每个比特对应的对数似然比(Log-Likelihood Ratio,LLR)的准确度,然而基于均匀感知策略的MLC电压读取方法需要提高感知精度才能获取精度高的LLR值,这将增加MLC闪存单元的读取时间.针对这种情况,本文提出一种基于非均匀感知策略的MLC闪存MS译码算法,该算法对MLC闪存阈值电压的感知采用非均匀的感知策略.在相同的感知精度下,相比于均匀感知策略,非均匀感知策略能够提高LLR的准确度,获得更低的原始比特错误率.仿真结果表明,在MLC闪存信道条件下,该算法既可保证MLC闪存单元可靠性,而且保持较快的读取速度,从而实现了译码速度和译码性能间的良好折衷. 展开更多
关键词 多级单元 单元间干扰 非均匀感知策略 最小和译码算法 对数似然比
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MLC型NAND闪存中基于MI异构的Polar码优化 被引量:1
11
作者 张司琪 孔令军 +1 位作者 张顺外 张南 《应用科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第3期431-440,共10页
为了进一步提高多级单元(multi-level-cell, MLC)闪存的耐久度和可靠性,提出了一种MLC闪存信道中基于互信息量(mutual information, MI)异构的polar码优化方法.该方法利用对数似然比(log-likelihood ratio, LLR)分布在MLC闪存信道和AWGN... 为了进一步提高多级单元(multi-level-cell, MLC)闪存的耐久度和可靠性,提出了一种MLC闪存信道中基于互信息量(mutual information, MI)异构的polar码优化方法.该方法利用对数似然比(log-likelihood ratio, LLR)分布在MLC闪存信道和AWGN(additive white Gaussian noise)信道中的差异性,以MI重新拟合LLR分布,得到在闪存信道下等效的标准方差,从而进行高密度存储系统中的polar码优化设计.随后,分析了不同的polar码构造法对多级存储单元的纠错性能影响,并与所提的构造方法进行比较.仿真结果表明该文优化方法优于AWGN信道下传统的构造方法,当编程/擦除(program-and-erase, PE)循环为21 000次时,与蒙特卡罗法相比其误码率(bit error rate, BER)性能提升2个数量级,且在BER为2×10^-5时可增加6 800次的编程/擦除循环. 展开更多
关键词 多级单元 polar码 闪存 巴氏参数
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基于错误特征的MLC闪存最小和译码算法 被引量:1
12
作者 张旋 慕建君 焦晓鹏 《系统工程与电子技术》 EI CSCD 北大核心 2019年第8期1887-1895,共9页
由于多级单元(multi-level-cell,MLC)闪存存储信道中随机电报噪声(random telegraph noise,RTN)、数据保持噪声(data retention noise,DRN)和单元间干扰(cell-to-cell interference,CCI)严重影响了MLC闪存阈值电压,从而导致获取的对数... 由于多级单元(multi-level-cell,MLC)闪存存储信道中随机电报噪声(random telegraph noise,RTN)、数据保持噪声(data retention noise,DRN)和单元间干扰(cell-to-cell interference,CCI)严重影响了MLC闪存阈值电压,从而导致获取的对数似然比(log-likelihood ratio,LLR)不够准确而影响了软判决译码时MLC闪存的低密度校验(low-density parity-check codes,LDPC)码的性能。在深入分析MLC闪存错误特征的基础上,通过利用MLC阈值电压的熵函数计算相邻MLC阈值电压分布的重叠区域来确定存储比特的可靠度,设计了MLC存储比特LLR值的动态更新策略。从而,提出了RTN、DRN和CCI噪声模型下适用于MLC闪存的LDPC码改进的最小和译码算法。仿真结果表明,与传统的LDPC码最小和译码算法相比较,MLC闪存信道下所改进的MLC闪存的LDPC码最小和译码算法具有更好的译码性能与更少的平均迭代次数。 展开更多
关键词 多级单元 随机电报噪声 数据保持噪声 低密度校验码 最小和译码
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MLC闪存的最小和译码算法研究
13
作者 张旋 李晓强 +1 位作者 燕莎 曹建民 《信息技术》 2018年第4期33-36,40,共5页
随着多级单元(Multi-Level Cell,MLC)闪存存储密度的增加,单元间干扰(Cell-toCell Interference,CCI)成为影响NAND闪存可靠性的主要噪声。针对这种情况,在深入分析MLC闪存信道模型和CCI噪声模型的基础上,利用MLC阈值电压的均匀感知策略... 随着多级单元(Multi-Level Cell,MLC)闪存存储密度的增加,单元间干扰(Cell-toCell Interference,CCI)成为影响NAND闪存可靠性的主要噪声。针对这种情况,在深入分析MLC闪存信道模型和CCI噪声模型的基础上,利用MLC阈值电压的均匀感知策略获取闪存页中每比特的对数似然比(Log-Likelihood Ratio,LLR)信息,提出了一种MLC型NAND闪存的最小和译码算法。仿真结果表明,在MLC闪存信道下,该方法既可保证闪存单元可靠性,又具有较短闪存单元的读取时间,从而实现了译码复杂度和性能间的良好折衷。 展开更多
关键词 多级单元 低密度奇偶校验码 最小和译码算法
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一种适用于MLC闪存的缩短极化码算法研究
14
作者 燕莎 张旋 +1 位作者 李晓强 刘强辉 《微型机与应用》 2017年第23期28-30,34,共4页
多级单元(Multi-level Cell,MLC)闪存经过大量编程/擦除(Program/Erase,P/E)循环操作之后,MLC单元中隧道氧化层被破坏使得存储在浮栅中电荷容易泄漏,进而导致存储的数据不可靠。在深入研究极化码(Polar code)编译码原理、MLC闪存模型和... 多级单元(Multi-level Cell,MLC)闪存经过大量编程/擦除(Program/Erase,P/E)循环操作之后,MLC单元中隧道氧化层被破坏使得存储在浮栅中电荷容易泄漏,进而导致存储的数据不可靠。在深入研究极化码(Polar code)编译码原理、MLC闪存模型和P/E循环引发噪声的基础上,提出一种适用于MLC闪存系统的缩短Polar码。仿真结果表明,在MLC闪存信道条件下,该方法既可保证MLC闪存单元的可靠性,同时又可保持较低的译码复杂度,从而实现了译码复杂度和性能间的良好折衷。 展开更多
关键词 多级单元 随机电报噪声 数据保持噪声 串行抵消译码算法
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MLC型NAND闪存中Polar码的优化设计 被引量:1
15
作者 卞建慧 赵生妹 孔令军 《南京邮电大学学报(自然科学版)》 北大核心 2018年第3期40-46,共7页
为了进一步提升多级存储单元的纠错性能,提出了一种基于多级存储单元阈值电压分布的Polar码优化设计方法。针对多级存储单元的固有特性,该方法迭代计算各存储单元比特的巴氏参数值优化设计Polar码。分析了不同构造方法对多级存储单元闪... 为了进一步提升多级存储单元的纠错性能,提出了一种基于多级存储单元阈值电压分布的Polar码优化设计方法。针对多级存储单元的固有特性,该方法迭代计算各存储单元比特的巴氏参数值优化设计Polar码。分析了不同构造方法对多级存储单元闪存性能的影响,并与文中所构造的Polar码和系统Polar码在多级存储单元信道中的性能进行了比较。仿真结果表明:在多级存储单元信道中,当误码率为10^(-5)时,本文所构造的Polar码与高斯信道下经典巴氏参数法构造的Polar码相比可获得约2 d B增益;当信噪比为21 d B时,与蒙特卡罗法构造的Polar码相比,文中设计的系统Polar码的误码率可提升2个数量级。 展开更多
关键词 多级存储单元 Polar码 巴氏参数
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MLC型NAND闪存的比特翻转译码算法研究
16
作者 张旋 李晓强 《微型机与应用》 2017年第19期27-29,33,共4页
随着闪存编程/擦除循环次数的增加,多级单元(Multi-Level Cell,MLC)的氧化隔离层被破坏,进而导致闪存的可靠性急剧降低。针对这种情况,在深入分析MLC闪存信道模型和数据保持噪声模型的基础上,提出了一种MLC型NAND闪存的比特翻转译码算... 随着闪存编程/擦除循环次数的增加,多级单元(Multi-Level Cell,MLC)的氧化隔离层被破坏,进而导致闪存的可靠性急剧降低。针对这种情况,在深入分析MLC闪存信道模型和数据保持噪声模型的基础上,提出了一种MLC型NAND闪存的比特翻转译码算法。仿真结果表明,在MLC闪存信道下,该方法既可保证闪存单元的可靠性,又具有较短闪存单元的读取时间,从而实现了译码复杂度和性能间的良好折衷。 展开更多
关键词 多级单元 低密度奇偶校验码 比特翻转译码算法
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面向MLC闪存的比特翻转译码算法研究 被引量:3
17
作者 张旋 慕建君 焦晓鹏 《哈尔滨工程大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期331-337,共7页
针对寄生耦合电容效应导致闪存相邻多级单元(multi-level-cell,MLC)的阈值电压失真而产生的存储数据错误问题,本文提出了一种适用于MLC闪存系统的改进比特翻转译码算法。在分析MLC闪存发生错误原因的基础上,利用蒙特卡罗仿真方法计算相... 针对寄生耦合电容效应导致闪存相邻多级单元(multi-level-cell,MLC)的阈值电压失真而产生的存储数据错误问题,本文提出了一种适用于MLC闪存系统的改进比特翻转译码算法。在分析MLC闪存发生错误原因的基础上,利用蒙特卡罗仿真方法计算相邻MLC闪存阈值电压分布的重叠区域来确定阈值电压对应存储比特的可靠性,借助存储比特的可靠性度量设计了MLC闪存的比特翻转规则。仿真结果表明,耦合强度系数s=1. 8与感知精度分别为p=3和p=4时,相比于原有MLC闪存比特翻转译码算法,所提出MLC闪存比特翻转译码算法的译码性能提升了81%和91%,并且译码的平均迭代次数减少了9. 8%和21%。 展开更多
关键词 闪存 多级单元 单元间干扰 蒙特卡罗仿真 低密度奇偶校验码 比特翻转译码
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一种MLC闪存存储系统的比特翻转译码算法 被引量:2
18
作者 张旋 慕建君 焦晓鹏 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期75-80,146,共7页
随着多级存储单元比特存储密度的增加,单元间干扰成为影响闪存可靠性的主要因素.针对这种情况,在深入分析多级存储单元内部数据存储信道错误规律的基础上,设计了多级存储单元闪存译码的比特翻转规则,提出了一种适用于多级存储单元闪存... 随着多级存储单元比特存储密度的增加,单元间干扰成为影响闪存可靠性的主要因素.针对这种情况,在深入分析多级存储单元内部数据存储信道错误规律的基础上,设计了多级存储单元闪存译码的比特翻转规则,提出了一种适用于多级存储单元闪存的改进型比特翻转译码算法.仿真结果表明,在相同的感知精度时,所提出的多级存储单元闪存比特翻转算法的译码性能优于多级存储单元闪存比特翻转译码算法的性能,而且多级存储单元闪存的改进型比特翻转译码算法可有效减少译码的平均迭代次数,从而实现了译码复杂度和性能间的良好折中. 展开更多
关键词 多级存储单元 低密度奇偶校验码 单元间干扰 比特翻转译码
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单元级联型变频器SPWM控制算法研究及实现 被引量:3
19
作者 罗德荣 陈琼 +1 位作者 秦卓欣 张爽 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2010年第7期81-83,共3页
简单介绍了级联型多电平变频器的拓扑结构及其级联输出。详细研究并分析了单元串联多电平变频器的多载波式控制算法。应用Matlab软件对11电平的单元级联型系统进行了建模和算法仿真。仿真结果表明,采用载波移相方法,级联式多电平变频器... 简单介绍了级联型多电平变频器的拓扑结构及其级联输出。详细研究并分析了单元串联多电平变频器的多载波式控制算法。应用Matlab软件对11电平的单元级联型系统进行了建模和算法仿真。仿真结果表明,采用载波移相方法,级联式多电平变频器具有优越的控制性能,输出电压波形非常接近正弦波,电压变化率小,输出电压和电流的谐波含量小、共模电压小等。采用基于DSP和FPGA产生30路SPWM控制信号,试验输出电压波形进一步证明了仿真结果的正确性。 展开更多
关键词 变频器 单元级联型 多载波控制 多电平
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干旱区一次连阴雨过程中暴雨天气的多普勒雷达图像特征 被引量:9
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作者 冯建民 纪晓玲 +3 位作者 陈晓娟 胡文东 穆建华 张智 《兰州大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2010年第S1期90-95,共6页
2007年6月15-22日宁夏连阴雨天气是由5次相对明显的降水过程组成,其中第1次过程为对流性降水,后4次过程为混合性降水,暴雨出现在16日下午到17日上午的第2次过程中.利用NCEP逐日再分析资料分析发现,此次连阴雨天气的形成和维持是西风带... 2007年6月15-22日宁夏连阴雨天气是由5次相对明显的降水过程组成,其中第1次过程为对流性降水,后4次过程为混合性降水,暴雨出现在16日下午到17日上午的第2次过程中.利用NCEP逐日再分析资料分析发现,此次连阴雨天气的形成和维持是西风带和副热带天气系统相互作用、北支干冷气团与南支暖湿气团稳定交于宁夏上空、高低空急流相互耦合作用的结果.暴雨发生期间,有4条多单体回波带和1条飑线自雷达站西南方经银川移向东北部,这种"列车效应"是宁夏中北部降水量较大的主要原因.飑线低层弱回波区、中高层悬垂结构明显,多单体回波带与飑线存在明显的差异. 展开更多
关键词 连阴雨 暴雨 高低空急流 多单体回波带 飑线 垂直结构 列车效应
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