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锡原子5pnp(3/2,3/2)_2和5pnf3/2[5/2]_2自电离Rydberg光谱
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作者 金明星 丁大军 +1 位作者 刘航 潘守甫 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1990年第S1期74-74,共1页
从锡原子的亚稳态5s<sup>2</sup> 5p<sup>2</sup>(3/2,1/2)<sub>2</sub>能级出发通过共振双光子激发和飞行时间(TOF)探测技术我们首次测量和辨认了锡原子的偶宇称J=2自电离Rydberg系列5pnp(3/... 从锡原子的亚稳态5s<sup>2</sup> 5p<sup>2</sup>(3/2,1/2)<sub>2</sub>能级出发通过共振双光子激发和飞行时间(TOF)探测技术我们首次测量和辨认了锡原子的偶宇称J=2自电离Rydberg系列5pnp(3/2,3/2)<sub>2</sub>,5pnf 3/2[5/2]<sub>2</sub>。 在我们的实验条件下,原子束炉的温度约为1700K,按Bollzmann分布,在这一温度下大约有6%的原子热布居的亚稳态5s<sup>2</sup> 5p<sup>2</sup>(3/2,1/2)<sub>2</sub>能级上。在激光一原子束相互作用区,亚稳原子的数密度约为7×10<sup>8</sup>原子/cm<sup>3</sup>。这样通过共振双光子激发技术使锡原子从亚稳态吸收两个紫外光激发到自电离态5pnp(3/2,3/2)<sub>2</sub>和5pnf 3/2[5/2]<sub>2</sub>成为可能。当激光频率扫描时可达到不同的能量状态。 展开更多
关键词 RYDBERG 自电离态 nf3/2[5/2 np 光子激发 原子热 亚稳原子 亚稳态 宇称 激发技术
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Electrolytic Production of NF3 Using Boron-Doped Diamond Anode in Molten NH4F·2HF
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作者 Akimasa Tasaka Yuki Iida +5 位作者 Tomoyuki Shiono Masaharu Uno Yoshinori Nishiki Tsuneto Furuta Morihiro Saito Minoru Inaba 《Journal of Chemistry and Chemical Engineering》 2012年第6期499-505,共7页
The current efficiency for NF3 formation was independent on the current density in the range of 200 to 1,000 mA·cm^2. The average values of NF3 current efficiencies on the BDD (boron-doped diamond) anode with t... The current efficiency for NF3 formation was independent on the current density in the range of 200 to 1,000 mA·cm^2. The average values of NF3 current efficiencies on the BDD (boron-doped diamond) anode with the boron-concentration of 2,500 ppm were 32.3% at 80℃, 63.3% at 100℃ and 59.7% at 120℃. The best current efficiencies for NF3 formation on the BDD anode with boron-concentrations of 2,500, 5,000 and 7,500 ppm were obtained at 100℃ and those were 63.3%, 73.3% and 56.2%, respectively. Although anode effect occurred on the BDD electrodes covered with a part of the surface of the spiculate structure, which had the boron-concentrations higher than 7,500 ppm, it did not take place on the BDD electrodes covered with the surface of diamond structure, even if the BDD electrode had the boron-concentration of 8,000 ppm. 展开更多
关键词 BDD (boron-doped diamond) electrode electrochemical synthesis of nf3 boron concentration current efficiency fornf3 formation degradation of BDD anode.
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FTIR法测定NF3中微量HF的分析方法探究 被引量:1
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作者 谢腾升 焦培培 +3 位作者 王娟 杨亚琴 张亚平 付梦月 《化学推进剂与高分子材料》 CAS 2020年第5期63-67,共5页
根据NF3和HF在红外光谱上的差异性,建立利用傅里叶变换红外(FTIR)法测定NF3中HF的分析方法。HF有8个特征吸收峰,为避免检测过程中水蒸气的掩盖作用,选定在4038.96cm–1处的红外光谱吸收峰作为HF分析的定量标准峰。并据此建立起HF吸光度... 根据NF3和HF在红外光谱上的差异性,建立利用傅里叶变换红外(FTIR)法测定NF3中HF的分析方法。HF有8个特征吸收峰,为避免检测过程中水蒸气的掩盖作用,选定在4038.96cm–1处的红外光谱吸收峰作为HF分析的定量标准峰。并据此建立起HF吸光度–浓度的标准曲线,通过测定NF3成品1、2、3的数据,得到测定结果的相对偏差分别为0.88%、0.72%、1.00%,相对标准偏差分别为1.18%、0.95%和1.38%,均低于2%。由此可知方法的准确度和精密度均可满足分析要求,从而建立起准确可靠的测定NF3中微量HF的分析方法。 展开更多
关键词 nf3 FTIR HF 标准气体
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液晶显示器(LCD)推动NF3需求 被引量:1
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作者 胡长诚 《化学推进剂与高分子材料》 CAS 2005年第1期51-52,共2页
液晶显示器的需求促进NF3市场继续增长。目前LCD需求仅占NF3市场约20%,但LCD需求估计正在以每年30%速率增长.其他半导体应用仅增长10%。LCD制造商在全球NF3的需求增长中占40%以上.它用于去除残留在LCD玻璃上的薄膜沉积物。在半... 液晶显示器的需求促进NF3市场继续增长。目前LCD需求仅占NF3市场约20%,但LCD需求估计正在以每年30%速率增长.其他半导体应用仅增长10%。LCD制造商在全球NF3的需求增长中占40%以上.它用于去除残留在LCD玻璃上的薄膜沉积物。在半导体制造中.NF3用于去除化学蒸气沉积室的污物。Air Products&Chemicals(AP)公司是世界生产NF3的领头者. 展开更多
关键词 需求增长 nf3 市场 制造商 公司 LCD 世界 去除 化学蒸气沉积 玻璃
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途锐NF3.0 TSI的ABS/侧滑/悬架同时报警故障
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作者 李景芝 《汽车电器》 2017年第10期31-31,33,共2页
1故障现象 车型为途锐NF3.0TSI,VIN码为wVGAB97P8CD03**料,里程37km。行驶转向时,仪表出现ABS/侧滑/悬架同时报警,如图1所示。
关键词 报警故障 ABS 途锐 悬架 侧滑 TSI 故障现象 nf3
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空气中NF3的测定
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《化工环保》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期130-130,共1页
NF3是一种强效温室气体。根据美国Scripps海洋学研究所的研究人员对NF3进行的首次大气测定结果显示,这种用于制造电子设备的人造气体在大气中的含量远远高于工业界的估计。
关键词 测定结果 nf3 空气 温室气体 研究人员 电子设备 研究所 海洋学
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日本将NF3生产能力扩大到年产1000t
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作者 田波 《低温与特气》 CAS 2005年第5期28-28,共1页
日本关东电化工业公司最近决定增加三氟化氮的生产能力。
关键词 生产能力 日本 nf3 三氟化氮 电化
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电感耦合等离子体质谱法测定电子级NF3中金属杂质
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作者 焦培培 黄晓磊 +3 位作者 杨亚琴 吴旭飞 付梦月 张亚平 《化学推进剂与高分子材料》 CAS 2018年第5期86-89,共4页
采用密闭的取样系统吸收电子级NF3中金属杂质,利用电感耦合等离子体质谱法(ICP—MS)测定了吸收液的金属杂质含量。结果表明:该方法测定电子级NF3中金属杂质含量的相对标准偏差≤3.09%,NF3中各项金属杂质含量远远低于指标3×10^–9。
关键词 电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS) nf3 金属杂质
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Mitsui建设NF3装置
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作者 胡长诚(摘译) 《化学推进剂与高分子材料》 CAS 2007年第1期67-67,共1页
日本Mitsui Chemicals于2006年9月将开始在日本Yamaguchi省建设一套NF3装置。计划于2007年投产。未获得细节。
关键词 nf3 装置 日本 TFT-LCD
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AP计划在韩国建NF3装置
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作者 于剑昆(译) 《化学推进剂与高分子材料》 CAS 2007年第1期32-32,共1页
空气产品公司(AP)计划于2007年底在韩国蔚山建一套产能为500t/a的NF3装置。该装置将补充其在Hometown现有的NF3产能,使其总产能增加到2500t/a以上。NF3在半导体、平板般示器和其他电子装置的生产中主要用作一种腔室清洁气体。
关键词 电子装置 nf3 韩国 产能 半导体 AP计划
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Air Products将提高NF3生产能力
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作者 胡长诚 《化学推进剂与高分子材料》 CAS 2004年第5期41-41,共1页
关键词 AirProducts公司 半导体 平面显示器 nf3 生产能力 氟化氮
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林德公司提供NF3替代品
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作者 于剑昆(摘译) 《化学推进剂与高分子材料》 CAS 2008年第6期7-7,共1页
在大气科学家预言NF3气体可能导致全球变暖后,林德公司积极推进用F2作为NF3的一种替代品的进程。林德公司断言,F2的全球变暖势为零,可以代替NF3用于生产电子产品,如平板显示器等。该公司称,三星和LG等客户正在使用林德公司的现场... 在大气科学家预言NF3气体可能导致全球变暖后,林德公司积极推进用F2作为NF3的一种替代品的进程。林德公司断言,F2的全球变暖势为零,可以代替NF3用于生产电子产品,如平板显示器等。该公司称,三星和LG等客户正在使用林德公司的现场氟发生器,目前空气产品和化学品公司仍是世界上NF3领先的生产商。 展开更多
关键词 林德公司 nf3 替代品 全球变暖 电子产品 平板显示器 生产商 科学家
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日将NF3生产能力扩大到年产1000吨
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《上海化工》 CAS 2005年第9期39-39,共1页
日本关东电化工业公司最近决定增加三氟化氮(NF3)的生产能力。NF3是一种氟基特种气体,可以用于半导体和液晶制造过程中。在2004年秋,公司已增加了30%左右的生产能力,但公司现决定于2005年秋,进行再一次增产,把生产能力提高到年... 日本关东电化工业公司最近决定增加三氟化氮(NF3)的生产能力。NF3是一种氟基特种气体,可以用于半导体和液晶制造过程中。在2004年秋,公司已增加了30%左右的生产能力,但公司现决定于2005年秋,进行再一次增产,把生产能力提高到年产1000吨。 展开更多
关键词 日本 关东电化工业公司 三氟化氮 nf3 生产能力 氟基特种气体
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黎明院NF3项目荣登吴华2016十大亮点榜首
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《化学推进剂与高分子材料》 CAS 2017年第5期91-92,共2页
日前,中国化工集团公司吴华股份(科学院)发布入选2016十大亮点,黎明院申报的“集成创新国际先进技术,深化改革,引进外资,建成1000吨/年三氟化氮产业化装置”成功人选,并名列第一名。
关键词 nf3 中国化工集团公司 集成创新 引进外资 三氟化氮 科学院 产业化
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NF3有关信息
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作者 胡长诚(摘译) 《化学推进剂与高分子材料》 CAS 2007年第1期67-67,共1页
2005年日本国内NF3需用量为632t,比2004年增长5.3%,继续进展势头良好。硅半导体和大的TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)生产的复苏,推动了TFT生产(Sharp在Yamaguchi的TFT-LCD装置于2004年1月投入满负荷大量生产)。2005年全球NF3... 2005年日本国内NF3需用量为632t,比2004年增长5.3%,继续进展势头良好。硅半导体和大的TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)生产的复苏,推动了TFT生产(Sharp在Yamaguchi的TFT-LCD装置于2004年1月投入满负荷大量生产)。2005年全球NF3需求量估计为5500t。其中80%90%用于日本、韩国和台湾地区,这是因为TFT-LCD生产基地集中于上述3地。预计随着大尺寸液晶电视机进入满负荷生产, 展开更多
关键词 nf3 TFT-LCD 薄膜晶体管液晶显示器 满负荷生产 生产基地 液晶电视机 硅半导体
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美日大厂NF3供给迟缓南韩厂商OCIMaterials趁胜追击积极扩增产能
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《电子工业专用设备》 2011年第5期67-67,共1页
台北讯:三氟化氮(NF3)是一种温室气体,但也是半导体及TFTLCD生产制程中重要的工业用气体,由于其具备清洁化学气相沉积(cvD)制程以及干蚀刻(DryEtching)~程硅化物的特性,而成为目前半导体及面板产业的特殊气体。DIGITIMESResea... 台北讯:三氟化氮(NF3)是一种温室气体,但也是半导体及TFTLCD生产制程中重要的工业用气体,由于其具备清洁化学气相沉积(cvD)制程以及干蚀刻(DryEtching)~程硅化物的特性,而成为目前半导体及面板产业的特殊气体。DIGITIMESResearch资深分析师兼副主任黄铭章分析,由于半导体芯片及面板近10年来价格快速下跌,相关上游材料及气体除非有近似寡占供应的情形,否则平均价格亦跟进大幅下跌,以NF3为例,2001至2010年的年平均价格跌幅约为25%,近年来每年亦大约是20%或更高的跌幅,因此导致多数厂商不愿意扩产,也造成日本311地震虽然并未造成日本供应厂商严重受损,但已传出NF3供应吃紧的警讯。 展开更多
关键词 nf3 厂商 半导体芯片 产能 南韩 供给 温室气体 TFTLCD
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NF3等离子体刻蚀新工艺
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作者 俞诚 《上海半导体》 1989年第1期23-24,共2页
关键词 nf3 等离子 体刻蚀 半导体工艺
全文增补中
昂达NF3U主板
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作者 吴敌 《个人电脑》 2005年第2期176-176,共1页
最达的NF3U采用nVidia的nForce3 250OGB芯片组,最高可以支持AMD Athlan 64 3700+ CPU。并且正如的HyperTransport总线。性能方面用户可以放心。并且正如这款芯片组的命名中的“GB”一样,
关键词 nf3U主板 芯片组 计算机硬件 CPU 微处理器 昂达公司
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欧洲葡萄NF-YB3基因克隆与表达分析 被引量:1
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作者 崔小月 尚泓泉 +5 位作者 吕中伟 娄玉穗 张柯 樊红杰 吴文莹 张晓锋 《河南农业科学》 北大核心 2024年第4期111-118,共8页
为探究VvNF-YB3基因在葡萄生长发育和响应非生物胁迫过程中的功能,以无核白为试材,克隆得到了VvNF-YB3基因编码区序列,全长为624 bp,编码207个氨基酸,蛋白质等电点6.31,不稳定指数27.66,总平均疏水指数-0.738,为一酸性、稳定的亲水蛋白... 为探究VvNF-YB3基因在葡萄生长发育和响应非生物胁迫过程中的功能,以无核白为试材,克隆得到了VvNF-YB3基因编码区序列,全长为624 bp,编码207个氨基酸,蛋白质等电点6.31,不稳定指数27.66,总平均疏水指数-0.738,为一酸性、稳定的亲水蛋白。通过生物信息学分析发现,VvNF-YB3基因位于10号染色体,含有1个内含子,编码蛋白质存在1个CBFD_NFYB_HMF结构域,与河岸葡萄NF-YB3相似性最高。VvNF-YB3的二级结构中α-螺旋和无规则卷曲占比较高,三级结构为单体的螺旋-卷曲-螺旋,启动子中包含响应激素和胁迫的多个顺式作用元件。VvNF-YB3基因在葡萄的叶片、卷须、花、幼果和茎中均表达,且在成熟的叶片中表达量最高。PEG模拟的干旱、低温和高温胁迫均可影响VvNF-YB3基因的表达,VvNF-YB3为一胁迫响应基因。VvNF-YB3的互作蛋白大多是核因子Y家族的亚基,ERF、bHLH、ARF等27个转录因子可能调控VvNF-YB3基因的表达。由此推测,VvNF-YB3基因可能通过受到上游转录因子的调控并与其他NF-Y蛋白互作响应各种环境胁迫。 展开更多
关键词 葡萄 NF⁃YB3 基因克隆 生物信息学分析 表达分析
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三井化学欲通过扩能成为全球NF3老大
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作者 李正 《精细与专用化学品》 CAS 2006年第18期37-37,共1页
三井化学公司拟将其电子专用三氟化氮(NF3)的下一步扩建产能计划从原定的600t/a改至800t/a。扩能项目厂址可能选在韩国,预计于2007~2008年实行。该公司计划通过新建和扩建,至2008年将其NF3总产能提高至1700t/a,跃升为全球最大... 三井化学公司拟将其电子专用三氟化氮(NF3)的下一步扩建产能计划从原定的600t/a改至800t/a。扩能项目厂址可能选在韩国,预计于2007~2008年实行。该公司计划通过新建和扩建,至2008年将其NF3总产能提高至1700t/a,跃升为全球最大的NF3生产商。 展开更多
关键词 三井化学公司 nf3 全球 扩能 三氟化氮 生产商 产能 扩建
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