Nafion^(TM)膜表面改性──用等离子体聚合方法提高膜的阳离子选择性

采用辉光放电等离子体聚合方法 ,以 C2 H4 和 NH3 为单体 ,在 Nafion TM膜表面沉积一层含氨基及酰氨基的类聚乙烯阴离子交换膜 ,提高了 Nafion TM膜对阳离子的选择性 ,同时不显著增加膜电阻 .由 SEM确定该等离子体聚合膜厚约 0 .5μm,用红外光谱及 X光电子能谱表征膜结构 .采用四电极法测量膜电阻 ,膜对质子的选择性由 Cu2 + 的迁移数 t Cu表征 ,用二室隔膜装置 (0 .2 5mol/L Cu Cl2 -0 .5mol/L HCl|等离子体处理膜 |1 mol/L HCl)测量 t Cu. O2 等离子体预处理 Nafion TM膜有利于沉积膜在 Nafion TM膜上的沉积并与 Nafion TM膜紧密结合 .经改性后的 Nafion TM膜电阻值仍然很小 ,在 1 mol/L HCl溶液中电阻小于 0 .5Ω·

Luminol在GO(GN)/Nafion/GCE上的电聚合

基于石墨烯良好的导电性和luminol较好的电化学发光性能,利用循环伏安法研究了luminol在GO/Nafion,GN/Nafion修饰电极上的电化学聚合行为.考察了修饰剂组成成分、初始电位对电化学聚合的影响,并以铁氰化钾为探针考察了luminol电聚合前后的导电性.结果显示,在较负的起始电位下,luminol在GO/Nafion/GCE上更容易发生电化学聚合过程,且聚合后对[Fe(CN)6]3-显示了更强的电催化能力.