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Optical waveguide in Nd:Bi_(12)SiO_(20) crystal produced by multi-energy C ion implantation
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作者 刘涛 孔伟金 +1 位作者 任莹莹 成燕 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第7期283-286,共4页
We report the fabrication of a planar waveguide in the Nd:Bi_(12)SiO_(20) crystal by multi-energy C ions at room temperature. The waveguide is annealed at 200℃, 260℃, and 300℃ in succession each for 30 min in ... We report the fabrication of a planar waveguide in the Nd:Bi_(12)SiO_(20) crystal by multi-energy C ions at room temperature. The waveguide is annealed at 200℃, 260℃, and 300℃ in succession each for 30 min in an open oven. The effective refractive index profiles at transverse electric(TE) polarization are stable after the annealing treatments. Damage distribution for multi-energy C ion implanted in Nd:Bi_(12)SiO_(20) crystal is calculated by SRIM 2010. The Raman and fluorescence spectra of the Nd:Bi_(12)SiO_(20) crystal are collected by an excitation beam at 633 nm and 473 nm, respectively. The results indicate the stabilization of the optical waveguide in Nd:Bi_(12)SiO_(20) crystal. 展开更多
关键词 ion implantation nd:bi12sio20 crystal
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在多工位炉上CeO_2:Bi_(12)SiO_(20)单晶生长的研究(Ⅱ)——空间生长实验部分 被引量:3
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作者 周燕飞 王锦昌 +2 位作者 唐连安 陈诺夫 陈万春 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期283-288,共6页
掺Ce:Bi12SiO20单晶在神舟3号(SZ-3)飞船上成功地进行了空间生长,得到晶体尺寸为(?)10mm×40mm.将空间生长的晶体和地面生长晶体对比发现:空间生长晶体的外观同地面生长晶体有明显差异.分析测试空间和地面晶体的X射线摇摆曲线、吸... 掺Ce:Bi12SiO20单晶在神舟3号(SZ-3)飞船上成功地进行了空间生长,得到晶体尺寸为(?)10mm×40mm.将空间生长的晶体和地面生长晶体对比发现:空间生长晶体的外观同地面生长晶体有明显差异.分析测试空间和地面晶体的X射线摇摆曲线、吸收曲线和喇曼光谱,结果表明:空间生长掺Ce:BSO晶体的结构完整性优于地面生长的晶体。 展开更多
关键词 CeO2:bi12sio20晶体 掺铈硅酸铋 晶体生长 微重力 多工位炉 喇曼光谱 光学性能 空间生长实验
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Bi_(12)SiO_20熔体表面张力对流研究 被引量:2
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作者 梁歆桉 金蔚青 +1 位作者 潘志雷 刘照华 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期32-36,共5页
利用高温熔体实时观察装置观察和研究了Bi12SiO20熔体中表面张力对流从稳态向振荡态的转变过程;稳态过程中的对流图样变化;可能与对流转变有关的两个对流区域的交叉;振荡态对流的分叉现象.
关键词 bi12sio20熔体 表面张力 实时观察 对流转变
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Bi_(12)SiO_(20)晶体的生长习性 被引量:5
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作者 魏世道 张尚安 +1 位作者 刘庆生 韩奇阳 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第6期513-518,共6页
分别沿[001],[110]及[111]3种方向用提拉法生长Bi_(12)SiO_(20)晶体,研究了生长条件对晶体形态的影响。应用PBC理论,分析了各晶面的特性:{100}和{110}为F面,{211}为S面,{111}属于K面。并依据连接能的计算,得到晶面的重要性顺序。PBC解... 分别沿[001],[110]及[111]3种方向用提拉法生长Bi_(12)SiO_(20)晶体,研究了生长条件对晶体形态的影响。应用PBC理论,分析了各晶面的特性:{100}和{110}为F面,{211}为S面,{111}属于K面。并依据连接能的计算,得到晶面的重要性顺序。PBC解析形态与在特定条件下生长的晶体形态相当一致。 展开更多
关键词 单晶生长 晶体形态 bi12sio20
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硅酸铋(Bi_(12)SiO_(20))熔体中Marangoni对流的实时观察研究
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作者 梁歆桉 金蔚青 +1 位作者 潘志雷 刘照华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期20-,共1页
The convection in melt crystal growth influences the crystal integrity deeply.During space crystal growth,the buoyancy driven convection has been eliminated for the microgravity environment,therefroe,surface tension d... The convection in melt crystal growth influences the crystal integrity deeply.During space crystal growth,the buoyancy driven convection has been eliminated for the microgravity environment,therefroe,surface tension driven convection (Marangoni Convection) become the main convection form.But the Marangoni convection forms,starting condition,development process and its influence on crystal growth are still unclear now.At the present time,Many studies focused on simulating liquid Marangoni convection or numerical simulation.However,few studies concerned on real melt,especially on oxide melt. In this paper,an in situ observation is carried out to study the start and development of Marangoni convection of Bi 12 SiO 20 melt in a 2mm diameter loop like platinum crucible.The different states of steady convection and the transition from steady to oscillatory convection are observed.The critical Marangoni number is obtained as 22433 and it agreed with a dependence Ma c=2884Pr 0.638 for high Prandtl number melt.The authors also obtained a dependence of convection oscillatory frequency on melt temperature.It increases with temperature rising. 展开更多
关键词 in situ observation Marangoni convection bi 12 sio 20 TRANSITION OSCILLATORY
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Bi_(12)SiO_(20):Cr晶体中Cr离子的氧化态及占位研究
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作者 何小玲 霍汉德 +1 位作者 王金亮 吴文渊 《超硬材料工程》 CAS 2014年第5期38-41,共4页
采用温差水热法,以NaOH溶液为矿化剂,以Cr2O3为掺杂剂进行了BSO:Cr晶体的生长。与纯BSO晶体相比,掺Cr明显降低了BSO晶体的透过率且紫外截止波长发生了红移,研究还发现水热法生长的BSO:Cr晶体存在三个氧化态:Cr4+,Cr3+和Cr2+,根据配位数... 采用温差水热法,以NaOH溶液为矿化剂,以Cr2O3为掺杂剂进行了BSO:Cr晶体的生长。与纯BSO晶体相比,掺Cr明显降低了BSO晶体的透过率且紫外截止波长发生了红移,研究还发现水热法生长的BSO:Cr晶体存在三个氧化态:Cr4+,Cr3+和Cr2+,根据配位数与多面体之间的理论关系认为Cr4+取代Si位,Cr3+和Cr2+取代Bi位。 展开更多
关键词 bi12sio20:Cr晶体 宝石合成 水热法 氧化态 占位
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高能球磨法制备Bi12SiO20粉体
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作者 张争光 王秀峰 王莉丽 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期433-435,共3页
以Bi2O3和SiO2为原料,采用高能球磨法制备了硅酸铋(Bi12SiO20)粉体。通过x射线衍射和扫描电子显微镜分析了合成粉体的相结构和形貌,研究了球磨时间对产物相组成的影响;使用红外光谱分析和拉曼散射光谱对球磨得到的样品进行了分析... 以Bi2O3和SiO2为原料,采用高能球磨法制备了硅酸铋(Bi12SiO20)粉体。通过x射线衍射和扫描电子显微镜分析了合成粉体的相结构和形貌,研究了球磨时间对产物相组成的影响;使用红外光谱分析和拉曼散射光谱对球磨得到的样品进行了分析。结果显示:球磨8h后出现了Bi12SiO20的晶相结构;随着球磨时间的延长促进了Bi12SiO20的形成,从而提供了一种可以商业化大规模生产Bi12SiO20压电粉体的方法。 展开更多
关键词 bi12sio20 高能球磨法 光信息材料
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利用 Bi_(12)SiO_(20) 光调制实现二维逻辑运算
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作者 陈国恒 陈国光 《大连铁道学院学报》 1997年第2期6-9,共4页
利用硅酸晶体的光电效应构成光调制器,可完成二维逻辑或、与非、或非、非和同逻辑5种运算本文描述了其工作机制。
关键词 光电效应 光调制器 逻辑运算 硅酸铋晶体
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熔盐法制备单一相Bi_(12)SiO_(20)粉体 被引量:1
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作者 鲁俊雀 王秀峰 +1 位作者 江红涛 许雅琴 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期1164-1167,共4页
本文报道了一种较低温度下合成单一相Bi12SiO20粉体的新方法。以Bi2O3和SiO2为原料,KCl-K2CO3为熔剂,采用熔盐法于635℃合成了Bi12SiO20粉体。XRD分析表明该粉体为单一相Bi12SiO20,SEM分析显示冷却速率对合成Bi12SiO20粉体的尺寸及形貌... 本文报道了一种较低温度下合成单一相Bi12SiO20粉体的新方法。以Bi2O3和SiO2为原料,KCl-K2CO3为熔剂,采用熔盐法于635℃合成了Bi12SiO20粉体。XRD分析表明该粉体为单一相Bi12SiO20,SEM分析显示冷却速率对合成Bi12SiO20粉体的尺寸及形貌有重要影响;此外,合成粉体的尺寸随着盐含量的增加而增大,且粉体团聚现象明显减弱。 展开更多
关键词 硅酸铋 bi12sio20 熔盐法
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Bi_(12)SiO_(20)晶体光纤电压传感器 被引量:2
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作者 M.Norimatsu M.Shirasaki 张传忠 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1989年第1期46-49,共4页
本文介绍了采用横向Bi_(12)SiO_(20)(BSO)调制的光纤电压传感器。该传感器的灵敏度取决于BSO晶体的形状和起偏器及检偏器的偏振态。设计的晶体形状应能减小光纤的插入损耗。通过一种计算灵敏度的估算法使最佳化的起偏器和检偏器达到了... 本文介绍了采用横向Bi_(12)SiO_(20)(BSO)调制的光纤电压传感器。该传感器的灵敏度取决于BSO晶体的形状和起偏器及检偏器的偏振态。设计的晶体形状应能减小光纤的插入损耗。通过一种计算灵敏度的估算法使最佳化的起偏器和检偏器达到了最大的灵敏度。我们发现最好的方法是调整起偏器作圆偏振并将检偏器对准电极法线与旋光率所成夹角的平分线,使检偏器作线性偏振。为了使插损最小,我们采用了由TiO_2单晶(金红石)片和1/4波长片组成的起偏器,以及由金红石片和1/2波长片组成的检偏器。采用这些元件,在0.85μm波长时,我们获得了0.28%/V的灵敏度。 展开更多
关键词 bi12sio20 光纤传感器 传感器
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纯Bi_(12)SiO_(20)晶体光激发截面的测量
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作者 梁其民 《山东轻工业学院学报(自然科学版)》 CAS 2000年第1期48-51,共4页
本文用瞬态光电流方法测量了纯Bi1 2 SiO2 0 (BSO)晶体的光激发截面。当脉冲宽度为 7ns、光强为1 35KW/cm2 、波长为 532纳米的脉冲激光照射BSO晶体时 ,得到瞬态光电流的上升时间为 55微秒 ,可计算出BSO晶体的光激发截面S =5 0 4× ... 本文用瞬态光电流方法测量了纯Bi1 2 SiO2 0 (BSO)晶体的光激发截面。当脉冲宽度为 7ns、光强为1 35KW/cm2 、波长为 532纳米的脉冲激光照射BSO晶体时 ,得到瞬态光电流的上升时间为 55微秒 ,可计算出BSO晶体的光激发截面S =5 0 4× 1 0 - 2 0 cm2 。利用光激发截面的数值可得出施主浓度ND=3 2× 1 0 1 9cm- 3。 展开更多
关键词 光激发截面 bi12sio20晶体 瞬态光电流 测量
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感应加热提拉法生长Bi_(12)TiO_(20)晶体
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作者 唐鼎元 庄健 +3 位作者 王元康 陈金风 陈黎娜 苏榕冰 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期66-,共1页
Bi 12 TiO 20 (BTO)crystals have same structure as that of the Bi 12 SiO 20 (BSO)which is one of the most popular photorefractive materials.And both of them belong to cubic non centrosymmetric nonferroelectric material... Bi 12 TiO 20 (BTO)crystals have same structure as that of the Bi 12 SiO 20 (BSO)which is one of the most popular photorefractive materials.And both of them belong to cubic non centrosymmetric nonferroelectric materials.The cubic nonferroelectric oxides exhibit a number of advantages such as higher sensitivity and faster respond for applications in photorefractive.Compared to BSO,BTO have the largest electro optical coefficient and lower optical activity,especially it exhibits much high photosensitivity in the red light region that permits to use a cheap He Ne laser.It is,therefore,of high potential for applications in optical devices. 展开更多
关键词 bi 12 TiO 20 crystal Czochralski method photorefractive crystal
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立方晶体Bi_(12) GeO_(20) 的三阶弹性常数(英文) 被引量:1
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作者 WU Kun-yu SHAO Ji-hong +1 位作者 吴昆裕 邵继红 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期197-201,共5页
用超声脉冲回波重合方法测量了立方晶体Bi12 GeO2 0 中九种不同模式纯纵波和切变波自然声速值随流体静压力和单轴压力的变化关系 ,由此实验结果 ,用Thurston和Brugger的理论 ,确定了Bi12 GeO2 0 晶体全部独立的三阶弹性常数 .
关键词 立方晶体 bi12GeO20 三阶弹性常数 声速
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Bi_(12)GeO_(20)单晶色带的成因与消除
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作者 韩尧 史榜春 +2 位作者 胡少勤 张凤鸣 盛敏华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期244-,共1页
锗酸铋 (Bi12 GeO2 0 ,BGO)单晶具有良好的压电、光电和光导特性。特别是利用其优良的压电性能制作的声表面波器件 ,如脉压延迟线等已广泛地应用于通讯雷达及电子对抗等国防领域。由于BGO单晶声表面波声速较低 ,是制作中长延迟时间声表... 锗酸铋 (Bi12 GeO2 0 ,BGO)单晶具有良好的压电、光电和光导特性。特别是利用其优良的压电性能制作的声表面波器件 ,如脉压延迟线等已广泛地应用于通讯雷达及电子对抗等国防领域。由于BGO单晶声表面波声速较低 ,是制作中长延迟时间声表面波延迟线的理想基片材料 ,大大缩小了器件如反向栅阵列抽头延迟线 (RAC器件 )的体积 ,该器件已成功地用于机载雷达的脉冲扩展和压缩子系统中。但是 ,V .S .Dolat等在制作RAC器件时发现晶片内的色带使以此为衬底的器件出现严重的响应下降和过量插损。用静电探针测量表明 ,色带区域表面波速较正常区域的慢 ,且材料的非均匀性引起了表面波传播的严重失真。相反 ,在无色带基片上制作的RAC器件则获得了接近理论值的响应。BGO单晶色带的存在严重制约了声表面波器件的性能发挥。采用提拉法生长BGO晶体 ,分析了BGO晶体中色带的分布。色带横向分布基本上是中心对称结构 :纵向呈带状分布 ,总的表现为上疏下密。采用PHILIPSPW2 40 0X射线光谱分析仪分析了熔体挥发物的组成。两种的质量分数分别为GeO2 4.77% ,Bi2 O3 95 .2 3% ,换算成摩尔比则为 :GeO2 :Bi2 O3 =( 4.77/1 0 4.5 9) /( 95 .2 3/4 6 6 ) =1 .2 7∶6 (mol比 )而化学配比的两组分摩尔比为 1∶6。可知挥发物中GeO2 的量? 展开更多
关键词 锗酸铋晶体 晶体色带 缺陷 引上法晶体生长
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Bi_(12)SiO_(20)类晶体中全息图记录和读出的双施主模型 被引量:2
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作者 刘立军 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第5期600-603,共4页
用双施主模型对Bi12SiO20(BSO)类光致折射晶体中全息图记录和读出的Kukhtarev单施主模型进行了修正。并用以讨论了全息图的衍射率,得到一个描述衍射率的普遍公式。
关键词 双施主模型 bi12sio20 晶体 全息图 记录 读出
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硅酸铋粉体的制备与表征 被引量:5
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作者 张争光 王秀峰 +1 位作者 王莉丽 田清泉 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1236-1239,共4页
以Bi2O3和SiO2为原料,采用机械合金化制备了硅酸铋(Bi12SiO20)的粉体。通过X射线衍射和扫描电子显微镜分析了合成粉体的相结构和形貌,研究了不同球磨时间对产物相组成的影响;并使用红外光谱分析和拉曼散射光谱对球磨得到的样品进行了分... 以Bi2O3和SiO2为原料,采用机械合金化制备了硅酸铋(Bi12SiO20)的粉体。通过X射线衍射和扫描电子显微镜分析了合成粉体的相结构和形貌,研究了不同球磨时间对产物相组成的影响;并使用红外光谱分析和拉曼散射光谱对球磨得到的样品进行了分析。结果显示表明:球磨8h后出现了Bi12SiO20的晶相结构;随着球磨时间的延长促进了Bi12SiO20的形成,从而提供了一种可以商业化大规模生产Bi12SiO20压电粉体的方法。 展开更多
关键词 bi12sio20 机械合金化 光信息材料
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掺杂硅酸铋晶体的生长及吸收光谱的研究 被引量:1
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作者 强亮生 徐崇泉 +1 位作者 朱春城 林红 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1997年第3期184-186,共3页
用提拉法生长了质量较高的Al∶Bi12SiO20和Cr∶Bi12SiO20(简称Al∶BSO和Cr∶BSO)晶体,测定了掺杂BSO晶体的吸收光谱。首次发现:Al∶BSO(摩尔比)为0.1%的晶体的透过率(80%)远高... 用提拉法生长了质量较高的Al∶Bi12SiO20和Cr∶Bi12SiO20(简称Al∶BSO和Cr∶BSO)晶体,测定了掺杂BSO晶体的吸收光谱。首次发现:Al∶BSO(摩尔比)为0.1%的晶体的透过率(80%)远高于纯BSO晶体的透过率(70%);Cr∶BSO晶体中除Cr3+外。 展开更多
关键词 晶体生长 吸收光谱 掺杂 硅酸铋晶体
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锗酸铋单晶环状色带的消除
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作者 王德龙 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期205-,共1页
我所自 70年代初以来 ,先后研制、开发了各种型号尺寸的锗酸铋 (Bi12 GeO2 0 )单晶 (以下简称BGO) ,用户也一直比较满意。但晶体内随机出现的环状色带 (环状深色区域带 ,非指由凸界面致小面生长引发的深色核心 ) ,一直未能根绝 ,用户当... 我所自 70年代初以来 ,先后研制、开发了各种型号尺寸的锗酸铋 (Bi12 GeO2 0 )单晶 (以下简称BGO) ,用户也一直比较满意。但晶体内随机出现的环状色带 (环状深色区域带 ,非指由凸界面致小面生长引发的深色核心 ) ,一直未能根绝 ,用户当时对此也未作要求。由于目前用户强烈要求使用无色带的尺寸达 45mm× 5 0mm× 1 5 0mm以上的 [1 1 0 ]BGO ,因而必须尽早彻底解决BGO的色带。本人从 99年初接手生长大尺寸 [1 1 0 ]BGO后 ,反复查阅了我所生长BGO以来 2 0多年的原始资料 ,意识到色带可能出自BGO熔体的高粘度给多晶料烧制、生长工艺参数的选择带来的特殊性 ,因而采用以下技术措施 :( 1 )在精确配料 ,充分混料的基础上 ,烧料时在熔融前还要经足够时间的固相反应 ,以便得到的多晶料物相尽量均一 ;( 2 )装料、熔料时采用特殊工艺 ,确保熔体成分在生长坩埚内各区域的均一性 ;( 3)改用适中的液下温梯及与此相应的转速等 ,有助于提高BGO生长界面的稳定性和熔体成分在晶体的整个生长期间的均一性。自严格执行上述技术措施之后 ,已连续 2 0多炉无一根晶体有色带 ,而且从 99年 8月初起 ,等经尺寸也达 45mm× 5 0mm× 2 0 0mm以上 ,做到了BGO生长的优质 ,稳定和高效。 展开更多
关键词 锗酸铋单晶 环状色带
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