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NTDCZSi中与氧有关的PL谱
1
作者
张维连
闫书霞
孙军生
《半导体杂志》
1996年第2期1-4,共4页
中子嬗变掺杂直拉硅单晶(NTDCZSi)在1050~1100℃6h退火时,体内产生以较大辐照缺陷为核心的氧沉淀和衍生的二次缺陷.光致发光(PL)在0.76~1.000eV范围出现了PL峰,而非中照的CZSi在相同条件下退火却没有检测出明显的PL峰.本文与已发表过...
中子嬗变掺杂直拉硅单晶(NTDCZSi)在1050~1100℃6h退火时,体内产生以较大辐照缺陷为核心的氧沉淀和衍生的二次缺陷.光致发光(PL)在0.76~1.000eV范围出现了PL峰,而非中照的CZSi在相同条件下退火却没有检测出明显的PL峰.本文与已发表过的文献进行了比较,初步认定本实验条件下出现的0.896eV、0.765eV、0.909eV、0.773eV是中照硅退火时由于产生了氧沉淀及其衍生的二次缺陷引入的深能级缺陷PL峰.
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关键词
中子嬗变掺杂
直拉硅
光致发光
二次缺陷
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职称材料
中子辐照直拉硅退火后的施主行为
被引量:
3
2
作者
任丙彦
李养贤
+7 位作者
鞠玉林
王庆禄
牛萍娟
甘仲惟
祁守仁
唐成春
黄新堂
丁晓夏
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第7期392-396,共5页
利用多种实验手段对中子辐照直拉硅退火过程中特有的施主效应进行了研究;探讨了不同中子辐照注量以及氧对施主形成的影响;报道了低于750℃热处理所产生的“施主平台”现象。崐实验结果表明,该施主在禁带中产生~43MeV的浅施...
利用多种实验手段对中子辐照直拉硅退火过程中特有的施主效应进行了研究;探讨了不同中子辐照注量以及氧对施主形成的影响;报道了低于750℃热处理所产生的“施主平台”现象。崐实验结果表明,该施主在禁带中产生~43MeV的浅施主能级,它的结构为辊照缺陷与硅、二氧化硅以及碳等组成的亚稳态络合物,其电活性起源于硅和二氧化硅沉淀的界面态。
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关键词
直拉硅
中子嬗变掺杂
施主效应
硅
中子辐照
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职称材料
中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除效应
3
作者
张维连
徐岳生
李养贤
《电子科学学刊》
CSCD
1991年第5期556-560,共5页
中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除机理与直拉硅不同,它是辐照缺陷与硅中氧杂质相互作用的结果。在1100℃、热退火4h即可完成中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除处理。
关键词
中子嬗变
掺杂
直拉硅
吸除效应
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职称材料
题名
NTDCZSi中与氧有关的PL谱
1
作者
张维连
闫书霞
孙军生
机构
河北工业大学材料研究中心
出处
《半导体杂志》
1996年第2期1-4,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目
文摘
中子嬗变掺杂直拉硅单晶(NTDCZSi)在1050~1100℃6h退火时,体内产生以较大辐照缺陷为核心的氧沉淀和衍生的二次缺陷.光致发光(PL)在0.76~1.000eV范围出现了PL峰,而非中照的CZSi在相同条件下退火却没有检测出明显的PL峰.本文与已发表过的文献进行了比较,初步认定本实验条件下出现的0.896eV、0.765eV、0.909eV、0.773eV是中照硅退火时由于产生了氧沉淀及其衍生的二次缺陷引入的深能级缺陷PL峰.
关键词
中子嬗变掺杂
直拉硅
光致发光
二次缺陷
Keywords
neutron
transmutation
doping (NTD),
czsi
, PL, Secondary defect
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
TN304.053 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
中子辐照直拉硅退火后的施主行为
被引量:
3
2
作者
任丙彦
李养贤
鞠玉林
王庆禄
牛萍娟
甘仲惟
祁守仁
唐成春
黄新堂
丁晓夏
机构
河北工业大学材料研究中心
华中师范大学
出处
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第7期392-396,共5页
基金
国家自然科学基金
文摘
利用多种实验手段对中子辐照直拉硅退火过程中特有的施主效应进行了研究;探讨了不同中子辐照注量以及氧对施主形成的影响;报道了低于750℃热处理所产生的“施主平台”现象。崐实验结果表明,该施主在禁带中产生~43MeV的浅施主能级,它的结构为辊照缺陷与硅、二氧化硅以及碳等组成的亚稳态络合物,其电活性起源于硅和二氧化硅沉淀的界面态。
关键词
直拉硅
中子嬗变掺杂
施主效应
硅
中子辐照
Keywords
Czochralski grown silicun(
czsi
),
neutron
transmutation
doping, Donor effect
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除效应
3
作者
张维连
徐岳生
李养贤
机构
河北工学院
出处
《电子科学学刊》
CSCD
1991年第5期556-560,共5页
基金
国家自科科学基金
文摘
中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除机理与直拉硅不同,它是辐照缺陷与硅中氧杂质相互作用的结果。在1100℃、热退火4h即可完成中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除处理。
关键词
中子嬗变
掺杂
直拉硅
吸除效应
Keywords
Czochralski silicon (
czsi
)
neutron
transmutation
doped
czsi
(
ntdczsi
)
Intrinsic gettering effect(IG)
分类号
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
NTDCZSi中与氧有关的PL谱
张维连
闫书霞
孙军生
《半导体杂志》
1996
0
下载PDF
职称材料
2
中子辐照直拉硅退火后的施主行为
任丙彦
李养贤
鞠玉林
王庆禄
牛萍娟
甘仲惟
祁守仁
唐成春
黄新堂
丁晓夏
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998
3
下载PDF
职称材料
3
中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除效应
张维连
徐岳生
李养贤
《电子科学学刊》
CSCD
1991
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
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