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Improvement of Surface Morphology of Yttrium-Stabilized Zirconia Films Deposited by Pulsed Laser Deposition on Rolling Assisted Biaxially Textured Substrate Tapes
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作者 王梦麟 刘林飞 李贻杰 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2015年第11期101-105,共5页
The surface morphology of buffer layer yttrium-stabilized zirconia (YSZ) of YBa2CuaO7-σ (YBCO) high temperature superconducting films relies on a series of controllable experimental parameters. In this work, we f... The surface morphology of buffer layer yttrium-stabilized zirconia (YSZ) of YBa2CuaO7-σ (YBCO) high temperature superconducting films relies on a series of controllable experimental parameters. In this work, we focus on the influence of pulsed laser frequency and target crystalline type on surface morphology of YSZ films deposited by pulsed laser deposition (PLD) on rolling assisted biaxially textured substrate tapes. Usually two kinds of particles are observed in the YSZ layer: randomly distributed ones on the whole film and self-assembled ones along grain boundaries. SEM images are used to prove that particles can be partly removed when choosing dense targets of single crystalline. Lower frequency of pulsed laser also contributes to a smoother film surface. TEM images are used to view the crystalline structure of thin film. Thus we can obtain a basic understanding of how to prepare a particle-free YSZ buffer layer for YBCO in optimized conditions using PLD. The YBCO layer with nice structure and critical current density of around 5 MA/cm2 can be reached on smooth YSZ samples. 展开更多
关键词 YSZ Improvement of Surface Morphology of Yttrium-Stabilized Zirconia Films Deposited by Pulsed Laser Deposition on Rolling Assisted Biaxially Textured substrate tapes PLD
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氮化硅陶瓷基板制备及其金属化研究 被引量:1
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作者 王铃沣 周泊岸 +2 位作者 段于森 张景贤 侯清健 《化工矿物与加工》 CAS 2024年第2期12-19,共8页
低成本制备Si_(3)N_(4)陶瓷基板及其金属化是Si_(3)N_(4)陶瓷在电子行业应用中面临的关键问题。对Si_(3)N_(4)陶瓷流延成型配方体系进行了研究,系统分析了分散剂、黏结剂、增塑剂与固含量等因素对流延膜性能的影响,提出了一种优化的固... 低成本制备Si_(3)N_(4)陶瓷基板及其金属化是Si_(3)N_(4)陶瓷在电子行业应用中面临的关键问题。对Si_(3)N_(4)陶瓷流延成型配方体系进行了研究,系统分析了分散剂、黏结剂、增塑剂与固含量等因素对流延膜性能的影响,提出了一种优化的固含量为42%的配方体系,其流延膜相对密度达79.3%。经硅粉氮化后烧结得到的Si_(3)N_(4)陶瓷相对密度≥95%,抗弯强度达(852.7±48.8)MPa,热导率达75.5 W/(m·K)。采用丝网印刷工艺印制钨金属化浆料,经热压叠层与共烧结,得到金属层与Si_(3)N_(4)基板均平直完整、无翘曲、无缺陷的Si_(3)N_(4)金属化陶瓷,经测量发现其结合强度为27.84 MPa,金属层方阻为104 mΩ/sq。研究结果表明,采用流延成型和丝网印刷工艺,经烧结工艺可以制备Si_(3)N_(4)高温多层共烧基板(HTCC)。 展开更多
关键词 Si_(3)N_(4)陶瓷基板 流延成型 金属化 氮化后烧结 共烧
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塑性黏胶带自动定位铺贴机开发
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作者 赵海涛 蔡文龙 +1 位作者 张啸林 邓飞 《印刷与数字媒体技术研究》 CAS 北大核心 2024年第6期85-92,共8页
软脆性平面基材表面铺贴塑性黏胶带能够起到塑封加固作用,但胶带面柔软质轻不易控制,传统采用手工铺贴,效率很低。本研究以制作大型工艺卡的纸质基材为加固对象,开发一台自动定位铺贴机,实现黏胶带在基材表面的精准定位和连续铺贴;重点... 软脆性平面基材表面铺贴塑性黏胶带能够起到塑封加固作用,但胶带面柔软质轻不易控制,传统采用手工铺贴,效率很低。本研究以制作大型工艺卡的纸质基材为加固对象,开发一台自动定位铺贴机,实现黏胶带在基材表面的精准定位和连续铺贴;重点设计了铺贴机械手的四个核心执行机构,解决了柔软胶带的头部定位、连续供给、定长裁断等技术难点;同时集成了自动进给、定点打孔、整齐收纳等功能模块,做到了非标工艺卡的一体化流水线定制;制造了工程样机并进行效果验证。实验结果表明:样机在一体化生产过程中工作状态稳定,胶带铺贴速度高达96条/分钟,定位精度达到98.3%,胶带铺贴质量良好。该样机能够显著提高生产效率,满足实际生产需求,节省大量人工成本。 展开更多
关键词 黏胶带 铺贴机 机械手 平面基材 工艺卡
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AlN陶瓷基片的流延法制备及性能研究
4
作者 谭会会 于志强 +3 位作者 李海青 臧向荣 闫明 赵云鹏 《真空电子技术》 2024年第4期68-71,75,共5页
采用流延法制备AlN陶瓷基片,使用无水乙醇为溶剂,避免了酮类、苯类混合溶剂对人体和环境的危害;同时以磷酸三乙酯为分散剂、以聚乙烯醇缩丁醛为粘结剂、以邻苯二甲酸丁卞酯为塑化剂,并在氮氢混合气氛下高温烧结。对比研究了进口AlN粉体... 采用流延法制备AlN陶瓷基片,使用无水乙醇为溶剂,避免了酮类、苯类混合溶剂对人体和环境的危害;同时以磷酸三乙酯为分散剂、以聚乙烯醇缩丁醛为粘结剂、以邻苯二甲酸丁卞酯为塑化剂,并在氮氢混合气氛下高温烧结。对比研究了进口AlN粉体和国产AlN粉体在相同条件下制备的陶瓷基片的性能,结果表明:采用两种粉体制备成的陶瓷基片性能指标基本相当;采用进口粉体制备的基片最佳烧结温度在1830℃,密度达到3.327 g/cm^(3),热导率达到179.0 W/m·K,三点抗弯强度达到374.9 MPa。采用国产AlN粉制备的基片,其最佳烧结温度在1820~1825℃,密度达到3.320 g/cm^(3),热导率达到174.8 W/m·K,三点抗弯强度达到423.1 MPa。 展开更多
关键词 AlN基片 流延 气氛烧结 性能表征
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高热导率氮化铝陶瓷研究进展 被引量:23
5
作者 燕东明 高晓菊 +4 位作者 刘国玺 常永威 乔光利 牟晓明 赵斌 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期602-607,共6页
氮化铝(AlN)陶瓷具有热导率高、热膨胀系数低、电阻率高等特性以及良好的力学性能,被认为是新一代高性能陶瓷基片和封装的首选材料。本文简要介绍了氮化铝陶瓷的基本特性,重点总结了氮化铝陶瓷的国内外研究现状及其制备工艺,并列举了一... 氮化铝(AlN)陶瓷具有热导率高、热膨胀系数低、电阻率高等特性以及良好的力学性能,被认为是新一代高性能陶瓷基片和封装的首选材料。本文简要介绍了氮化铝陶瓷的基本特性,重点总结了氮化铝陶瓷的国内外研究现状及其制备工艺,并列举了一些氮化铝陶瓷的应用实例。 展开更多
关键词 氮化铝 流延成型 注射成型 基片 透明陶瓷
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氮化硅流延膜的制备 被引量:8
6
作者 陈殿营 张宝林 +1 位作者 庄汉锐 李文兰 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2003年第6期71-74,共4页
流延成型是一种制备高质量陶瓷基片的成型方法。氮化硅是一种高热导率的材料 ,有望在电子基片领域获得应用。本文利用流延成型制备了具有较好柔韧性和一定强度的氮化硅流延素坯膜。研究了无水乙醇、无水乙醇 /丁酮作为溶剂时对浆料粘度... 流延成型是一种制备高质量陶瓷基片的成型方法。氮化硅是一种高热导率的材料 ,有望在电子基片领域获得应用。本文利用流延成型制备了具有较好柔韧性和一定强度的氮化硅流延素坯膜。研究了无水乙醇、无水乙醇 /丁酮作为溶剂时对浆料粘度的影响。通过优化流延浆料添加剂的各种配比 ,得出了适合氮化硅粉体 (SN -E10 )流延的最佳配方。 展开更多
关键词 氮化硅 流延成型 陶瓷基片 热导率 流延素坯膜 浆料粘度 添加剂
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电子封装用陶瓷基片材料的研究进展 被引量:31
7
作者 张兆生 卢振亚 陈志武 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期16-20,共5页
简要介绍了电子封装发展情况及其对基片材料的性能要求,分析了陶瓷基片作为封装材料性能上的优点,概述了几种常用陶瓷基片材料的优缺点及其应用:Al2O3作为传统的陶瓷基片材料,优点是成熟的工艺和低廉的价格,但热导率不高;BeO、BN、SiC... 简要介绍了电子封装发展情况及其对基片材料的性能要求,分析了陶瓷基片作为封装材料性能上的优点,概述了几种常用陶瓷基片材料的优缺点及其应用:Al2O3作为传统的陶瓷基片材料,优点是成熟的工艺和低廉的价格,但热导率不高;BeO、BN、SiC等都具有高热导率,在某些封装场合是合适的选择;AlN综合性能最好,是最有希望的电子封装陶瓷基片材料。介绍了多层陶瓷基片材料的共烧技术和流延成型技术,并指出LTCC技术和水基流延将是未来发展的重点。 展开更多
关键词 电子封装 陶瓷基片 共烧 流延
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流延法制作AlN陶瓷基片工艺 被引量:14
8
作者 吴音 周和平 缪卫国 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1996年第1期20-23,共4页
研究出一种用流延法制作AIN陶瓷基片的工艺。制备出性能优良的AIN基片。经1650℃,保温2h无压烧结制得的基片,其热导率达130W/(m·K)、密度为3.34g/cm ̄3,表面光滑平整,瓷体结构均匀,性能达到用... 研究出一种用流延法制作AIN陶瓷基片的工艺。制备出性能优良的AIN基片。经1650℃,保温2h无压烧结制得的基片,其热导率达130W/(m·K)、密度为3.34g/cm ̄3,表面光滑平整,瓷体结构均匀,性能达到用干压法制备的同类基片的性能。 展开更多
关键词 氮化铝陶瓷 基片 流延成型法 工艺
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水系流延技术制备95氧化铝陶瓷基片的研究 被引量:4
9
作者 罗凌虹 江伟辉 +2 位作者 顾幸勇 程亮 杨鲁生 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1386-1389,共4页
本论文采用水系流延技术制备了95氧化铝陶瓷基片,主要对浆料中各种添加剂的作用作了系统研究。分散剂通过与无机粉料的吸附,提供双重稳定效应使浆料具有较好的分散性,实验中分散剂PAA(聚丙烯酸)最佳的用量为0.5wt%。粘结剂PVA(... 本论文采用水系流延技术制备了95氧化铝陶瓷基片,主要对浆料中各种添加剂的作用作了系统研究。分散剂通过与无机粉料的吸附,提供双重稳定效应使浆料具有较好的分散性,实验中分散剂PAA(聚丙烯酸)最佳的用量为0.5wt%。粘结剂PVA(聚乙烯醇)最佳用量为4.5wt%。塑化剂PEG(聚乙二醇)的加入可以降低粘结剂的玻化温度,提高坯片柔韧性。塑化剂与粘结剂的用量比值(R)在1~1.2之间为宜。最终获得了具有一定强度、韧性、表面光滑的坯片,烧结出密度为3.785g/cm^3 95氧化铝陶瓷基片。 展开更多
关键词 氧化铝 水系流延 基片
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AlN基片流延浆料粘度的研究 被引量:15
10
作者 吴音 缪卫国 周和平 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1996年第6期21-24,共4页
通过对比实验研究了影响AlN流延浆料粘度的主要因素。结果表明,环境温度或溶剂比例的增加,浆料的粘度值下降;而较小的粘度和增塑剂的减少则使粘度上升。严格控制各影响因素。
关键词 氮化铝基片 粘度 流延工艺 电子元件
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流延法制备AlN陶瓷基板的研究 被引量:14
11
作者 曹峻 张擎雪 +1 位作者 庄汉锐 邬凤英 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期269-276,共8页
从颗粒尺寸、浆料流体类型、干燥条件、排胶机制等方面对流延法制备AlN陶瓷基板展开了较为系统的研究.结果表明,颗粒尺寸的不同直接影响到浆料粘度及分散剂用量.适于AlN流延成型的浆料流体类型属于假塑性流体.保持一定的溶剂... 从颗粒尺寸、浆料流体类型、干燥条件、排胶机制等方面对流延法制备AlN陶瓷基板展开了较为系统的研究.结果表明,颗粒尺寸的不同直接影响到浆料粘度及分散剂用量.适于AlN流延成型的浆料流体类型属于假塑性流体.保持一定的溶剂气氛有利于获得表面平整光滑的流延素坯膜.二次排胶有利于排除AlN流延素坯膜中的残余碳.烧结后基板的断口SEM照片表明晶粒发育较为完善,无明显开气孔,断裂模式为沿晶断裂. 展开更多
关键词 氮化铝基板 流延成型 假塑性流体 二次排胶 沿晶断裂 陶瓷材料
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水系流延氧化铝基片技术研究 被引量:2
12
作者 程亮 罗凌虹 +2 位作者 郎莹 付长翼 吴也凡 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第A01期410-413,共4页
研究了氧化铝的水系流延技术。研究表明:通过使用聚丙烯酸(PAA)作为分散剂、聚乙烯醇(PVA)作为粘结剂、聚乙二醇(PEG)作为塑性剂、控制浆料pH值为9.0~10.0可制备出具有稳定分散、有适当黏度的浆料。该浆料流延、干燥后可以得到表面光... 研究了氧化铝的水系流延技术。研究表明:通过使用聚丙烯酸(PAA)作为分散剂、聚乙烯醇(PVA)作为粘结剂、聚乙二醇(PEG)作为塑性剂、控制浆料pH值为9.0~10.0可制备出具有稳定分散、有适当黏度的浆料。该浆料流延、干燥后可以得到表面光滑、无裂纹、组分均匀、强度高、柔韧性好的流延坯片。烧结后所得到的99.5Al_2O_3陶瓷基片表面光滑,平整、烧结致密度高达到99%。 展开更多
关键词 氧化铝 水系流延 基片
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用流延法制备优质陶瓷基片的研究 被引量:11
13
作者 来俊华 丘泰 +2 位作者 徐洁 沈春英 焦宝祥 《江苏陶瓷》 CAS 2003年第2期7-9,13,共4页
本文概括了流延成型工艺的现状,介绍了有机基流延成型工艺中溶剂及添加剂的作用和选择原则,同时介绍了几种新的流延成型工艺。
关键词 流延成型法 制备 陶瓷基片 有机基 溶剂 添加剂
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钙长石陶瓷基片的水基流延成型工艺研究 被引量:3
14
作者 董伟霞 包启富 +1 位作者 顾幸勇 游雯 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期205-209,共5页
采用水基流延成型钙长石陶瓷基片坯体,研究分散剂、pH值、粘结剂及塑化剂对浆料流动性能的影响。实验结果表明:当浆料中固相含量为48vol%时,以聚丙烯酸胺为分散剂,浆料的pH值10,粘结剂含量为6.0wt%~8wt%时,增塑剂含量为4wt%~6wt%时,可... 采用水基流延成型钙长石陶瓷基片坯体,研究分散剂、pH值、粘结剂及塑化剂对浆料流动性能的影响。实验结果表明:当浆料中固相含量为48vol%时,以聚丙烯酸胺为分散剂,浆料的pH值10,粘结剂含量为6.0wt%~8wt%时,增塑剂含量为4wt%~6wt%时,可以制备出稳定性良好、流动性适宜的钙长石流延浆料。通过SEM可以看出,高分子膜均匀包覆在钙长石颗粒表面,并且钙长石颗粒分布均匀,没有明显较大的孔隙。 展开更多
关键词 钙长石 陶瓷基片坯体 水基流延
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99氧化铝陶瓷基片的水系流延成型研究 被引量:2
15
作者 付长翼 罗凌虹 +2 位作者 程亮 石纪军 刘敏芳 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2009年第9期7-9,共3页
采用水系流延法制备99氧化铝陶瓷基片,研究了pH值和分散剂用量对氧化铝浆料的影响,塑化剂和粘结剂的用量对流延素坯片及其烧结性能的影响。实验结果表明,在pH值为9.0和分散剂聚丙烯酸(PAA)用量为0.5-0.6wt%的条件下,可制备出高固含量(45... 采用水系流延法制备99氧化铝陶瓷基片,研究了pH值和分散剂用量对氧化铝浆料的影响,塑化剂和粘结剂的用量对流延素坯片及其烧结性能的影响。实验结果表明,在pH值为9.0和分散剂聚丙烯酸(PAA)用量为0.5-0.6wt%的条件下,可制备出高固含量(45vol%)、分散稳定的氧化铝浆料。当粘结剂聚乙烯醇(PVA)用量为4.5wt%、粘结剂和塑化剂聚乙二醇(PEG)的用量比为1∶0.7时,可获得表面光滑、无缺陷、组分均匀、强度高、柔韧性好的99氧化铝陶瓷坯片。坯片经烧结后得到表面光滑、平整、相对密度高达99.5%的99氧化铝陶瓷基片。 展开更多
关键词 水系流延 99氧化铝 基片
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高导热Si_3N_4陶瓷基片材料的制备研究 被引量:12
16
作者 张景贤 段于森 +6 位作者 江东亮 陈忠明 刘学建 黄政仁 杨建 李晓云 丘泰 《真空电子技术》 2016年第5期7-10,共4页
采用高纯Si粉作为起始原料,通过流延成型、氮化和气压烧结工艺制备高导热氮化硅陶瓷基片。通过优化分散剂、粘结剂和塑性剂的含量以及流延工艺过程,制备出厚度可控的Si膜。进一步氮化得到微结构均匀的氮化硅素坯。通过气压烧结制备出氮... 采用高纯Si粉作为起始原料,通过流延成型、氮化和气压烧结工艺制备高导热氮化硅陶瓷基片。通过优化分散剂、粘结剂和塑性剂的含量以及流延工艺过程,制备出厚度可控的Si膜。进一步氮化得到微结构均匀的氮化硅素坯。通过气压烧结制备出氮化硅陶瓷基片,热导率达到76 W/m·K。 展开更多
关键词 氮化硅基片 流延成型 硅粉氮化 气压烧结
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氧化铝陶瓷基片的非水基流延成型工艺与性能研究 被引量:3
17
作者 于国强 刘维良 张小锋 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期10-12,共3页
采用非水基流延法制备了氧化铝陶瓷基片,讨论了非水基流延工艺参数对基片性能的影响。实验结果表明:以甲苯和正丁醇混合液为溶剂,PVB为粘结剂,PEG-400为增塑剂,鱼油为分散剂,当混合溶剂的最佳配比为甲苯:正丁醇为5:3、增塑剂与粘结剂的... 采用非水基流延法制备了氧化铝陶瓷基片,讨论了非水基流延工艺参数对基片性能的影响。实验结果表明:以甲苯和正丁醇混合液为溶剂,PVB为粘结剂,PEG-400为增塑剂,鱼油为分散剂,当混合溶剂的最佳配比为甲苯:正丁醇为5:3、增塑剂与粘结剂的比值为0.4、粘结剂加入量为5wt%、分散剂加入量为0.6wt%时可获得粘度为2100~3500mPa·s的适合流延的浆料,将流延制得的氧化铝基片生坯在1575℃烧成,密度为3.78g/cm3,介电性能优良。 展开更多
关键词 氧化铝陶瓷 非水基流延 陶瓷基片
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退火工艺对镍基带中立方织构形成的影响 被引量:2
18
作者 陈兴品 尚都 +2 位作者 余晓伟 肖睿 刘庆 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期47-50,共4页
应用电子背散射衍射(EBSD)技术研究退火工艺(单步法和两步法)对形变量为99%的镍基带中立方织构形成的影响。结果表明,随着退火温度的升高,镍基带中立方取向和其它取向的晶粒平均尺寸不断增加,立方取向晶粒的平均尺寸比其它取向晶粒的平... 应用电子背散射衍射(EBSD)技术研究退火工艺(单步法和两步法)对形变量为99%的镍基带中立方织构形成的影响。结果表明,随着退火温度的升高,镍基带中立方取向和其它取向的晶粒平均尺寸不断增加,立方取向晶粒的平均尺寸比其它取向晶粒的平均尺寸要大,而且随着退火温度的升高,这种晶粒尺寸优势不断的增加;低温退火时退火工艺对立方织构含量影响不明显,而高温退火时其立方织构含量大幅增加;相对于单步退火法,两步退火法能有效的提高镍基带中立方织构的含量。 展开更多
关键词 镍基带 立方织构 电子背散射衍射(EBSD) 两步退火
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放电等离子烧结法制备涂层导体用Ni合金复合长带 被引量:1
19
作者 高培阔 索红莉 +5 位作者 高忙忙 赵跃 马麟 刘敏 王建宏 邱火勤 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期2387-2393,共7页
采用放电等离子烧结技术(SPS)制备出表层为Ni-5%W(摩尔分数)合金、芯层为Ni-12%W(摩尔分数)合金的复合坯锭,经热轧和冷轧后获得长度为10m的复合基带。结果表明:冷轧基带界面连接性良好,能够满足大变形量冷轧工艺的要求。对复合基带的厚... 采用放电等离子烧结技术(SPS)制备出表层为Ni-5%W(摩尔分数)合金、芯层为Ni-12%W(摩尔分数)合金的复合坯锭,经热轧和冷轧后获得长度为10m的复合基带。结果表明:冷轧基带界面连接性良好,能够满足大变形量冷轧工艺的要求。对复合基带的厚度及织构均匀性分析表明,在全长度范围内基带的厚度为(75±3)μm,其外层立方织构含量均在97%(<10°)以上,与商业化Ni5W基带水平相当。同时,对其力学性能与磁性能进行分析,结果表明复合长带的屈服强度为240MPa,饱和磁化强度仅为Ni5W基带的40%。采用复合坯锭路线在规模化生产高性能复合基带方面具有一定的应用潜力。 展开更多
关键词 复合基带 立方织构 涂层导体 Ni合金基带
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低温烧结AlN陶瓷基片 被引量:2
20
作者 周和平 吴音 +1 位作者 刘耀诚 缪卫国 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1998年第3期9-11,共3页
通过添加助烧结剂和改进粉体性能,进行AlN陶瓷的低温致密化烧结。研究结果表明,添加以Dy2O3为主的助烧结剂系统,在1650℃下,无压烧结4h,热导率高达156W/(m·K);而对AlN粉体进行冲击波处理,可以提... 通过添加助烧结剂和改进粉体性能,进行AlN陶瓷的低温致密化烧结。研究结果表明,添加以Dy2O3为主的助烧结剂系统,在1650℃下,无压烧结4h,热导率高达156W/(m·K);而对AlN粉体进行冲击波处理,可以提高粉体的烧结活性,使烧结温度降低25℃。讨论了低温烧结AlN陶瓷基片及低温共烧多层AlN陶瓷基片的制备工艺。两步排胶法可以较好地解决金属W氧化及AlN陶瓷颗粒表面吸附残余碳的问题,是制备AlN陶瓷与金属W共烧多层基片的有效排胶方法。 展开更多
关键词 ALN陶瓷 热导率 流延成型 低温烧结 多层叠片 共烧
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