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Nano-sized Thin Films Fabricated by Ion Beam Sputtering and Its Properties
1
作者 周继承 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2007年第4期600-602,共3页
Nanoscale thick amorphous Ni-Cr alloy thin films were fabricated by low-energy ion beam sputtering technology; then the as-deposited samples experienced rapid thermal process to realize the transformation from amorpho... Nanoscale thick amorphous Ni-Cr alloy thin films were fabricated by low-energy ion beam sputtering technology; then the as-deposited samples experienced rapid thermal process to realize the transformation from amorphous to crystalline state. The film thickness was measured with a-stylus surface profiler, the structure and the compositions of the films were confirmed by low angle X-ray diffraction and scanning auger electron microprobe respectively, and the surface topography was characterized by scanning electron microscope and scanning probe microscope. Electrical property of the films was measured by fourpoint probe. The experimental results illustrate that the combined processes of ion beam sputtering and rajid thermal process are effective for fabrication nanoscale Ni-Cr alloy thin film with good properties. 展开更多
关键词 ion beam sputtering deposition film rapid thermal process nanoscale nicr thin film
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NiCr高温薄膜电阻应变计制备及耐高温性能研究 被引量:10
2
作者 崔云先 张子超 +2 位作者 丁万昱 胡晓勇 张启翔 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第7期1548-1555,共8页
针对高温环境下应力应变测试的技术难题,提出了一种以NiCr薄膜为敏感材料的高温薄膜应变计的制备方法,并对薄膜应变计敏感层的耐高温性能进行研究。研究发现,NiCr薄膜在高温下微观结构、成分发生明显转变,电学性能急剧下降。对添加SiN_x... 针对高温环境下应力应变测试的技术难题,提出了一种以NiCr薄膜为敏感材料的高温薄膜应变计的制备方法,并对薄膜应变计敏感层的耐高温性能进行研究。研究发现,NiCr薄膜在高温下微观结构、成分发生明显转变,电学性能急剧下降。对添加SiN_xO_y和ITO薄膜后的NiCr薄膜分别进行高温测试发现,NiCr薄膜结构、性能没有明显改变,表明SiN_xO_y和ITO薄膜保护下的NiCr薄膜高温下性能稳定。所制的高温薄膜应变计在50~350℃内电阻温度系数为(80~787)×10-6/K,常温下应变灵敏系数为1.19,机械滞后为5.02,高温下的应变测试性能有待进一步研究。 展开更多
关键词 nicr高温薄膜电阻应变计 耐高温性能 光刻工艺 电阻温度系数
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氮气流量对C、N共掺杂NiCr合金薄膜微观结构和电性能的影响 被引量:6
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作者 赖莉飞 王金霞 鲍明东 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第12期131-139,共9页
目的提高埋入式薄膜电阻材料的电性能,使其具有较大的方阻值、电阻率和较小的电阻温度系数。方法利用闭合磁场非平衡反应磁控溅射技术,制备C、N共掺杂NiCr合金埋入式薄膜电阻材料。以前期优化后的溅射参数作为基本实验条件,通过改变氮... 目的提高埋入式薄膜电阻材料的电性能,使其具有较大的方阻值、电阻率和较小的电阻温度系数。方法利用闭合磁场非平衡反应磁控溅射技术,制备C、N共掺杂NiCr合金埋入式薄膜电阻材料。以前期优化后的溅射参数作为基本实验条件,通过改变氮气流量,分别在铜箔基底和参照基底载玻片上,沉积C、N共掺杂NiCr合金埋入式薄膜电阻材料。用扫描电子显微镜(SEM)和白光干涉仪表征薄膜的表面形貌,用X射线衍射仪(XRD)表征薄膜的微观结构,用X射线光电子能谱仪(XPS)、X射线能量散射谱仪(EDS)测试薄膜的成分,用表面轮廓仪测膜厚,用拉曼光谱仪分析薄膜中的C元素,用四探针测量系统测试埋阻的方阻值和热稳定性。结果随着氮气流量的增加,薄膜的衍射峰减弱,非晶化程度增强;当氮气流量为15 mL/min时,薄膜能获得较小的电阻温度系数和较大电阻率,此时薄膜的电阻温度系数范围为0≤TCRNiCrCN≤1.663×10^-4K^-1,电阻率可达到2.2970×10^-3Ω·cm。结论反应溅射中产生的中间相Cr2N和CN对薄膜的电阻率和方阻值有影响,C、N共掺杂NiCr合金埋入式薄膜电阻材料的电性能优于NiCr合金薄膜和C掺杂NiCr合金薄膜电阻材料。 展开更多
关键词 C、N共掺杂nicr合金薄膜 埋入式薄膜电阻 磁控溅射 微观结构 电性能
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NiCr合金薄膜测力传感器设计制作与力学标定 被引量:1
4
作者 安春华 武文革 +1 位作者 张新宇 伏宁娜 《制造技术与机床》 北大核心 2016年第6期58-61,共4页
为了满足切削力信号精确测量的要求,制作了两种结构的切削力测量用镍铬合金薄膜传感器样品、可调式改良应变测试仪桥盒,进行了传感器静力学标定与实际切削力测量试验。使用DASP 36通道振动与噪声信号采集分析系统与YD-15型动态电阻应变... 为了满足切削力信号精确测量的要求,制作了两种结构的切削力测量用镍铬合金薄膜传感器样品、可调式改良应变测试仪桥盒,进行了传感器静力学标定与实际切削力测量试验。使用DASP 36通道振动与噪声信号采集分析系统与YD-15型动态电阻应变仪进行采集与读取测量时的电压信号与应变信号,将采集的应变信号经MATLAB转换为压力应变曲线图,将传感器应变、输出电压值与其对应的理论仿真值进行对比,结果表明测量值与其误差较小,两种传感器的力学测量性能良好。 展开更多
关键词 nicr合金薄膜传感器 样品 测量 对比
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C掺杂型NiCr合金薄膜的电性能和微观结构 被引量:2
5
作者 赖莉飞 孙蓉 《宁波大学学报(理工版)》 CAS 2014年第2期73-77,共5页
利用闭合磁场非平衡磁控溅射工艺制备出C掺杂型NiCr合金薄膜电阻材料,获得了电性能优于NiCr合金薄膜的NiCrC薄膜电阻材料.实验结果表明:NiCr薄膜中掺杂C元素后,薄膜的择优取向由Ni(011)变为Ni(111);薄膜的缺陷和应力得以减小;薄膜中C元... 利用闭合磁场非平衡磁控溅射工艺制备出C掺杂型NiCr合金薄膜电阻材料,获得了电性能优于NiCr合金薄膜的NiCrC薄膜电阻材料.实验结果表明:NiCr薄膜中掺杂C元素后,薄膜的择优取向由Ni(011)变为Ni(111);薄膜的缺陷和应力得以减小;薄膜中C元素具有类石墨性质. 展开更多
关键词 C掺杂型nicr合金薄膜 埋入式薄膜电阻 电性能 微观结构
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NiCr溅射薄膜内应力的研究 被引量:2
6
作者 于映 陈跃 《真空电子技术》 2000年第5期9-12,共4页
本文采用磁控溅射法在 0 .5mm厚的 40 Cr钢基片上沉积 1~ 1 2μm的 Ni Cr合金薄膜 ,运用钠光平面干涉法测量 Ni Cr溅射薄膜的内应力 ,研究表明影响 Ni Cr薄膜内应力的主要因素是工作气压和基片温度 ,并运用 Klokolm理论对该影响作用进... 本文采用磁控溅射法在 0 .5mm厚的 40 Cr钢基片上沉积 1~ 1 2μm的 Ni Cr合金薄膜 ,运用钠光平面干涉法测量 Ni Cr溅射薄膜的内应力 ,研究表明影响 Ni Cr薄膜内应力的主要因素是工作气压和基片温度 ,并运用 Klokolm理论对该影响作用进行了分析。 展开更多
关键词 nicr薄膜 内应力 磁控溅射
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金属基NiCr-NiSi薄膜热电偶的制备及性能研究 被引量:7
7
作者 姚飞 蒋洪川 +3 位作者 张万里 刘兴钊 唐磊 于浩 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第9期6-8,共3页
采用电子束蒸发和磁控溅射法在Ni基超合金基片上制备NiCr-NiSi薄膜热电偶,薄膜热电偶依次由Ni基超合金基片、NiCrAlY过渡层、Al2O3热氧化层、氧化铝绝缘层、NiCr-NiSi薄膜热电偶层以及氧化铝保护层构成。对此薄膜热电偶样品的静态标定... 采用电子束蒸发和磁控溅射法在Ni基超合金基片上制备NiCr-NiSi薄膜热电偶,薄膜热电偶依次由Ni基超合金基片、NiCrAlY过渡层、Al2O3热氧化层、氧化铝绝缘层、NiCr-NiSi薄膜热电偶层以及氧化铝保护层构成。对此薄膜热电偶样品的静态标定结果表明,所制备的金属基NiCr-NiSi薄膜热电偶在25~600℃内具有良好的线性度,Seebeck(塞贝克)系数达到37.5μV/K,略低于K型标准热电偶的塞贝克系数40.0μV/K。 展开更多
关键词 nicr-NiSi薄膜热电偶 静态标定 塞贝克系数
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功能-结构一体化NiCr/NiSi薄膜热电偶的制备 被引量:9
8
作者 王从瑞 蒋洪川 +4 位作者 陈寅之 张万里 刘兴钊 唐磊 于浩 《测控技术》 CSCD 北大核心 2011年第10期1-4,共4页
采用多层薄膜结构制备了NiCr/NiSi薄膜热电偶,该薄膜热电偶依次由Ni基超合金基片、NiCrAlY过渡层、Al_O_3热氧化层、Al_O_3绝缘层、NiCr/NiSi薄膜热电偶层以及Al_O_3保护层构成。主要研究了热电偶层薄膜厚度和时效处理对热电偶性能的影... 采用多层薄膜结构制备了NiCr/NiSi薄膜热电偶,该薄膜热电偶依次由Ni基超合金基片、NiCrAlY过渡层、Al_O_3热氧化层、Al_O_3绝缘层、NiCr/NiSi薄膜热电偶层以及Al_O_3保护层构成。主要研究了热电偶层薄膜厚度和时效处理对热电偶性能的影响以及温度对Al_O_3绝缘层绝缘性的影响。静态标定结果表明,热电偶层厚度对NiCr/NiSi薄膜热电偶性能几乎没有影响。时效处理可显著提高NiCr/NiSi薄膜热电偶的热电性能和相对灵敏度。所制备的NiCr/NiSi薄膜热电偶的Seebeck系数达到37μV/K,最大相对灵敏度达到0.9左右。Al_O_3绝缘层在垂直方向的绝缘性随温度的升高而降低,在室温至300℃范围内,Al_O_3绝缘层在垂直方向的绝缘电阻大于100 MΩ,当温度升高到900℃时,Al_O_3绝缘层在垂直方向的绝缘电阻下降为16 kΩ。 展开更多
关键词 nicr/NiSi薄膜热电偶 时效处理 SEEBECK系数 相对灵敏度
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柔性高温NiCr薄膜应变计研究 被引量:2
9
作者 刘孟轩 彭斌 黄飞 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2020年第4期39-43,共5页
耐高温的NiCr薄膜应变计在航空、航天领域有广泛的需求。采用射频磁控溅射方法制备了NiCr薄膜,研究了溅射气压和衬底温度对NiCr薄膜电阻温度系数的影响规律,结果表明:当溅射气压为0.2 Pa,基片温度为400℃时,电阻温度系数最小为130.7... 耐高温的NiCr薄膜应变计在航空、航天领域有广泛的需求。采用射频磁控溅射方法制备了NiCr薄膜,研究了溅射气压和衬底温度对NiCr薄膜电阻温度系数的影响规律,结果表明:当溅射气压为0.2 Pa,基片温度为400℃时,电阻温度系数最小为130.7×10^-6/℃。利用优化的工艺条件,在Hastelloy柔性合金衬底上制备了NiCr薄膜应变计,测试结果表明,所制备的NiCr薄膜应变计在各个温度下其电阻随着应变呈线性变化,其应变灵敏度(GF)因子随温度增加而增大,当温度超过200℃后,GF因子缓慢变化。温度为400℃时,GF因子达到3。实验得到的基于Hastelloy合金衬底的柔性薄膜应变计为高温应变测量提供了一种新的手段。 展开更多
关键词 nicr 高温应变测量 薄膜应变计 电阻温度系数 应变灵敏度因子
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NiCr薄膜的沉积及其湿法刻蚀
10
作者 徐建建 《安徽电子信息职业技术学院学报》 2017年第6期33-35,共3页
片式薄膜电阻一般采用平面磁控溅射NiCr薄膜沉积在三氧化二铝陶瓷基片上,然后通过光刻工艺来实现电阻图形,通过使用扫描电子显微镜观察不同溅射功率、溅射时间下的NiCr膜层形貌,分析了溅射功率、溅射时间对溅射的影响,同时使用湿法刻蚀... 片式薄膜电阻一般采用平面磁控溅射NiCr薄膜沉积在三氧化二铝陶瓷基片上,然后通过光刻工艺来实现电阻图形,通过使用扫描电子显微镜观察不同溅射功率、溅射时间下的NiCr膜层形貌,分析了溅射功率、溅射时间对溅射的影响,同时使用湿法刻蚀做出所需要的电阻图形。 展开更多
关键词 平面磁控溅射 功率 nicr薄膜 湿法刻蚀
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Enhanced thermoelectric property and stability of NiCr–NiSi thin film thermocouple on superalloy substrate 被引量:12
11
作者 Xiao-Hui Zhao Yi-Ran Wang +2 位作者 Yin-Zhi Chen Hong-Chuan Jiang Wan-Li Zhang 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第6期512-516,共5页
Thin film thermocouples(TFTCs) can provide fast and accurate surface temperature measurement with minimal impact on the physical characteristics of the supporting components. In this study, NiCr and NiSi films were ... Thin film thermocouples(TFTCs) can provide fast and accurate surface temperature measurement with minimal impact on the physical characteristics of the supporting components. In this study, NiCr and NiSi films were prepared with radio frequency(RF) magnetron sputtering and the influences of vacuum annealing on the resistivity of the films were investigated. Afterward, NiCr-NiSi films were deposited on Ni-based superalloy substrates to form TFTCs. The overall dimension of the thermocouple is 64 mm in length, 8 mm in width and 30 lm in thickness. Compared with those of as-deposited sample, the thermoelectric property and stability of the TFTC are significantly improved by vacuum annealing of NiCr and NiSi films. The variation of the Seebeck coefficient of TFTC was discussed based on the size effect of NiCr and NiSi films. And a lower Seebeck coefficient of TFTC of 38.4 μV·℃^-1 is obtained. 展开更多
关键词 nicr-NiSi thin film thermocouple Vacuumanneal Thermoelectric property
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镍铬薄膜电阻器噪声特性研究 被引量:2
12
作者 吴勇 杜磊 +2 位作者 庄奕琪 魏文彦 仵建平 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期55-58,65,共5页
薄膜电阻器的低频噪声有别于常规电阻器的噪声特征,与其结构和工艺密切相关。通过溅射工艺生产的阻值为1.5k?镍铬薄膜电阻器分别在生产完成和1000h老化试验之后进行了低频噪声测量和分析得到器件低频噪声特征,结合电子元器件低频噪声理... 薄膜电阻器的低频噪声有别于常规电阻器的噪声特征,与其结构和工艺密切相关。通过溅射工艺生产的阻值为1.5k?镍铬薄膜电阻器分别在生产完成和1000h老化试验之后进行了低频噪声测量和分析得到器件低频噪声特征,结合电子元器件低频噪声理论探讨了器件中各种噪声成分的来源及产生机制并给出该镍铬薄膜电阻生产线降低噪声的工艺手段。并讨论了电迁移损伤对1/f噪声特征的影响,指出噪声的异常波动对电迁移损伤具有明确的指示作用。 展开更多
关键词 电子技术 镍铬薄膜电阻 低频噪声 1/f噪声 G-R噪声 噪声来源 电迁移
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基于低频噪声的薄膜电阻器可靠性表征方法 被引量:2
13
作者 吴勇 马中发 +1 位作者 杜磊 何亮 《电子科技》 2014年第12期100-104,107,共6页
薄膜电阻的低频噪声同器件的损伤程度密切相关。文中采用两级低噪声放大器和高速高精度PCI数据采集卡构建的测试系统测量了一组1.5 kΩ镍铬薄膜电阻老化试验前后的低频噪声,结合显微分析发现电迁移是薄膜电阻可靠性退化的主导机制,电迁... 薄膜电阻的低频噪声同器件的损伤程度密切相关。文中采用两级低噪声放大器和高速高精度PCI数据采集卡构建的测试系统测量了一组1.5 kΩ镍铬薄膜电阻老化试验前后的低频噪声,结合显微分析发现电迁移是薄膜电阻可靠性退化的主导机制,电迁移损伤发生前后低频噪声的幅值、频率指数和转折频率等参量均会发生异常波动。分析表明,低频噪声能更敏感地反映薄膜电阻的损伤程度,可作为此类器件可靠性无损的筛选依据。 展开更多
关键词 镍铬薄膜电阻器 低频噪声 老化试验 电迁移 可靠性
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NiCr薄膜换能组件静电放电响应分析与防护
14
作者 李博 章云 +2 位作者 吴炳楷 解瑞珍 姚洪志 《装备环境工程》 CAS 2024年第11期10-18,共9页
目的 针对NiCr薄膜换能组件易受到人体静电干扰的问题,提出一种分析其静电放电响应特性的方法,并设计一种基于瞬态电压抑制(TVS)二极管的静电防护方案,提高其抗静电干扰的能力。方法 基于理论分析和COMSOL多物理场仿真软件,构建NiCr薄... 目的 针对NiCr薄膜换能组件易受到人体静电干扰的问题,提出一种分析其静电放电响应特性的方法,并设计一种基于瞬态电压抑制(TVS)二极管的静电防护方案,提高其抗静电干扰的能力。方法 基于理论分析和COMSOL多物理场仿真软件,构建NiCr薄膜换能组件的静电放电模型,研究其在人体静电环境下的响应特性,并设计TVS二极管作为防护措施。结果 通过研究NiCr薄膜换能组件的静电响应特性,得到了其桥区温度及温度分布。结果显示,采用TVS二极管的静电防护设计能显著降低静电干扰,并表现出优异的防护效果。结论 在人体静电放电环境下,NiCr薄膜换能组件的桥区长度对温度无显著影响,但桥区温度随宽度和厚度的增加而降低。仿真和实验结果的峰值电流误差在2.5%以内,且峰值电流降低了40%,验证了TVS二极管在静电防护中的有效性,有助于提升NiCr薄膜换能组件的可靠性与安全性。 展开更多
关键词 nicr薄膜换能组件 静电放电 静电防护 静电响应 COMSOL TVS
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氮分压对离子束溅射镍铬合金薄膜的影响
15
作者 田莉 周继承 晏建武 《武汉理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期21-23,41,共4页
研究了氮气分压对薄膜沉积速率、表面形貌、电阻温度系数(TCR)以及电阻率的影响。利用原子力显微镜表征了薄膜的表面形貌,用Alpha-Step IQ台阶仪和四探针测量了薄膜的厚度和方块电阻。结果表明:薄膜沉积速率随氮气分压增大而减小;热处... 研究了氮气分压对薄膜沉积速率、表面形貌、电阻温度系数(TCR)以及电阻率的影响。利用原子力显微镜表征了薄膜的表面形貌,用Alpha-Step IQ台阶仪和四探针测量了薄膜的厚度和方块电阻。结果表明:薄膜沉积速率随氮气分压增大而减小;热处理使薄膜颗粒尺寸均匀,电阻率减小,电阻迟滞减小且TCR由负值变为正值。 展开更多
关键词 nicr薄膜 表面形貌 电阻率 TCR
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基于钽酸锂晶体材料镍铬薄膜在14~16μm波段红外增强吸收特性(英文)
16
作者 刘子骥 梁志清 +3 位作者 何璇 马振东 苟军 蒋亚东 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期389-392,共4页
纳米级金属薄膜能够作为热释电探测器红外吸收薄膜在14~16μm波段范围内有效应用已经得到证明.通过调节沉积在LT(钽酸锂)晶体材料上的纳米级镍铬(NiCr)薄膜的厚度和表面特征来改善纳米金属薄膜红外吸收特性.通过调节晶体材料的厚度,改... 纳米级金属薄膜能够作为热释电探测器红外吸收薄膜在14~16μm波段范围内有效应用已经得到证明.通过调节沉积在LT(钽酸锂)晶体材料上的纳米级镍铬(NiCr)薄膜的厚度和表面特征来改善纳米金属薄膜红外吸收特性.通过调节晶体材料的厚度,改变抗反射腔的深度,从而调节吸收波长.为进一步加强红外吸收,应用化学腐蚀,生成粗糙的纳米级薄膜表面结构,从而极大程度上增加吸收表面积.通过将这两种方法结合,可以明显增强指定波段的红外吸收,且其制造过程完全兼容,易于实现.可控的吸收性能的实验结果与仿真和设计情况相符合. 展开更多
关键词 nicr 热释电探测器 纳米金属薄膜 化学腐蚀 红外吸收
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薄膜桥点火电阻器的制备与仿真
17
作者 朱雪婷 魏栩曼 +2 位作者 温占福 王利凯 张铎 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期45-48,共4页
采用金属Ni Cr合金箔作为电阻材料,用光刻技术在玻纤板上制备薄膜桥点火电阻器,研究了薄膜桥点火电阻器的发火性能,并结合Ansys仿真软件,建立薄膜桥点火电阻器的有限元模型,模拟了1.5 A、5 ms发火条件下电阻体的电压分布及温度分布情况... 采用金属Ni Cr合金箔作为电阻材料,用光刻技术在玻纤板上制备薄膜桥点火电阻器,研究了薄膜桥点火电阻器的发火性能,并结合Ansys仿真软件,建立薄膜桥点火电阻器的有限元模型,模拟了1.5 A、5 ms发火条件下电阻体的电压分布及温度分布情况。试验结果表明:此种薄膜桥点火电阻器具有良好的发火性能。仿真结果表明,施加电载荷时热量主要集中在薄膜桥桥区中心处。 展开更多
关键词 点火电阻器 Ni Cr合金箔 光刻技术 ANSYS仿真 发火性能 薄膜桥
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S-枪溅射NiCr薄膜的Monte Carlo模拟
18
作者 于映 陈跃 《福州大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1998年第1期29-32,共4页
对S-枪溅射NiCr合金薄膜过程采用MonteCarlo法进行了计算模拟.用靶刻蚀图形作为粒子发射频度函数,采用Thompson能量分布,并考虑了环境气体的热运动,得到沉积粒子的能量、入射角度的分布随溅射工艺参数的变... 对S-枪溅射NiCr合金薄膜过程采用MonteCarlo法进行了计算模拟.用靶刻蚀图形作为粒子发射频度函数,采用Thompson能量分布,并考虑了环境气体的热运动,得到沉积粒子的能量、入射角度的分布随溅射工艺参数的变化规律. 展开更多
关键词 溅射 薄膜 镍铬合金 蒙特卡罗模拟
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