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NiFe/Cu和NiFe/Mo多层膜的界面结构与巨磁电阻 被引量:3
1
作者 郑鹉 王艾玲 +3 位作者 周安 陈金昌 王岩国 周少雄 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期153-157,共5页
用磁控溅射方法制备了NiFe/Cu和NiFe/Mo多层膜.测量了厚度不同的Cu层和Mo层多层膜的磁性和磁电阻,并用电镜分析了部分NiFe/Cu多层膜样品测量到NiFe/Cu多层膜的室温巨磁电阻随Cu层厚度振荡的第一、二、三峰而在NiFe/Mo多层膜中未发... 用磁控溅射方法制备了NiFe/Cu和NiFe/Mo多层膜.测量了厚度不同的Cu层和Mo层多层膜的磁性和磁电阻,并用电镜分析了部分NiFe/Cu多层膜样品测量到NiFe/Cu多层膜的室温巨磁电阻随Cu层厚度振荡的第一、二、三峰而在NiFe/Mo多层膜中未发现巨磁电阻效应讨论了多层膜的界面结构对巨磁电阻效应的影响. 展开更多
关键词 nife/cu 多层膜 nife/Mo 巨磁电阻 界面结构
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Cu对NiFe/Cu/NiFe层状薄膜的巨磁阻抗效应影响的研究 被引量:7
2
作者 钟智勇 张怀武 +1 位作者 刘颖力 王豪才 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第3期200-202,共3页
用直流磁控溅射方法制备了NiFe/Cu/NiFe层状薄膜 ,研究了Cu膜宽度对NiFe/Cu/NiFe层状薄膜的巨磁阻抗效应的影响 ,结果表明 ,层状薄膜的巨磁阻抗效应随Cu膜宽度发生振荡现象 ;
关键词 巨磁阻抗效应 nife/cu/nife薄膜 磁性材料
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[NiFe/Cu/Co/Cu]_n多层纳米线在巨磁电阻位移传感器中的应用 被引量:1
3
作者 张卫国 李子轩 +3 位作者 姜世圣 谢仁鑫 姚素薇 王宏智 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第24期24118-24122,共5页
采用双槽电沉积法制备了巨磁电阻(Giant Magnetorsistance;GMR)材料[NiFe/Cu/Co/Cu]n 多层纳米线阵列,并以其为磁传感器芯片,设计并制备了GMR位移传感器,在不同温度下测试了其灵敏度.研究表明,该GMR 位移传感器的输出电压与位移具有... 采用双槽电沉积法制备了巨磁电阻(Giant Magnetorsistance;GMR)材料[NiFe/Cu/Co/Cu]n 多层纳米线阵列,并以其为磁传感器芯片,设计并制备了GMR位移传感器,在不同温度下测试了其灵敏度.研究表明,该GMR 位移传感器的输出电压与位移具有较好的线性关系,在10-40℃环境温度内具有良好的稳定性.与[NiFe/Cu/Co/Cu]n 多层膜作传感器芯片相比,以[NiFe/Cu/Co/Cu]n 多层纳米线作为芯片时传感器灵敏度更高. 展开更多
关键词 nife/cu/Co/cu 多层纳米线 巨磁电阻 位移传感器
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热处理对[NiFe/Cu/Co/Cu]_n多层纳米线磁性能的影响 被引量:2
4
作者 张卫国 马晓龙 +2 位作者 许琰 姚素薇 王宏智 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2014年第4期768-772,共5页
采用双槽控电位法在阳极氧化铝(AAO)模板中制备了有序均一的[NiFe/Cu/Co/Cu]n多层纳米线阵列,并在不同温度下进行了热处理.利用X射线衍射(XRD)对热处理前后多层线的晶体结构进行了测试.考察了不同退火温度对多层线矫顽力、剩磁比、巨磁... 采用双槽控电位法在阳极氧化铝(AAO)模板中制备了有序均一的[NiFe/Cu/Co/Cu]n多层纳米线阵列,并在不同温度下进行了热处理.利用X射线衍射(XRD)对热处理前后多层线的晶体结构进行了测试.考察了不同退火温度对多层线矫顽力、剩磁比、巨磁电阻(GMR)效应、磁灵敏度的影响.随热处理温度升高,多层纳米线中磁性微晶晶型取向越来越明显,晶体结构更均匀;多层纳米线的矫顽力和剩磁比先增大后减小.300°C下多层纳米线矫顽力达到最大值,GMR最大值可达59%,对应的磁电阻灵敏度(SV)为0.233%Oe-1. 展开更多
关键词 多层纳米线 电沉积 热处理 [nife culColcu]n 巨磁电阻
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NiFe/Cu多层膜的结构与层间耦合效应
5
作者 张咪 王海 《磁性材料及器件》 CAS 2015年第5期19-22,63,共5页
用直流磁控溅射方法在玻璃基片上制备了[Ni_(80)Fe_(20)/Cu]_(20)多层膜,其中采用了靶表磁场强度不同的靶腔沉积铜层,利用X射线衍射和振动样品磁强计对Cu(100nm)/[Ni_(80)Fe_(20)(0.9nm)/Cu(tCu)]_(20)两个系列样品的结构和磁性进行了... 用直流磁控溅射方法在玻璃基片上制备了[Ni_(80)Fe_(20)/Cu]_(20)多层膜,其中采用了靶表磁场强度不同的靶腔沉积铜层,利用X射线衍射和振动样品磁强计对Cu(100nm)/[Ni_(80)Fe_(20)(0.9nm)/Cu(tCu)]_(20)两个系列样品的结构和磁性进行了表征。靶表磁场较弱时沉积的多层膜具有良好的层间耦合振荡行为,而靶表磁场较强时制备的多层膜没有出现反铁磁耦合。依据上述事实,我们推测靶表磁场强度的不同会影响Ni Fe/Cu界面扩散,进而对多层膜样品的磁性产生影响。用靶表磁场较弱的靶腔沉积中间层铜能够有效减小界面互溶程度,改善镍铁与铜的成层质量。而靶表磁场较强的靶腔溅射出的铜原子具有较高能量,在界面处扩散并与镍铁层互溶,破坏了层状结构。 展开更多
关键词 nife/cu多层膜 靶表磁场 结构 层间耦合
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[NiFe/Cu/Co/Cu]_n纳米多层线的电化学制备及表征 被引量:2
6
作者 张卫国 谢仁鑫 +1 位作者 王宏智 姚素薇 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第1期1-5,共5页
采用电沉积法,在阳极氧化铝(AAO)模板中制备了[NiFe/Cu/Co/Cu]n多层纳米线.利用扫描电子显微镜(SEM)及透射电子显微镜(TEM)对纳米多层线的表面形貌及结构进行了表征,纳米线阵列高度有序、直径均一、层状结构清晰,NiFe层厚度约40 nm,Cu... 采用电沉积法,在阳极氧化铝(AAO)模板中制备了[NiFe/Cu/Co/Cu]n多层纳米线.利用扫描电子显微镜(SEM)及透射电子显微镜(TEM)对纳米多层线的表面形貌及结构进行了表征,纳米线阵列高度有序、直径均一、层状结构清晰,NiFe层厚度约40 nm,Cu层厚度约60 nm,Co层厚度约15 nm,各子层厚度可控.利用X射线能谱分析仪(EDS)对纳米多层线NiFe层的成分进行了测试,Ni,Fe的原子比为4∶1.利用X射线衍射仪(XRD)对[NiFe/Cu/Co/Cu]n纳米多层膜和多层线结构进行了测试,多层膜为面心立方(fcc)结构,多层线NiFe层为面心立方(fcc)结构,Cu层为六方密排hcp(100),Co层为面心立方(fcc)结构.与组成、结构完全相同的多层膜相比,[NiFe/Cu/Co/Cu]n多层纳米线具有更优越的巨磁电阻性能. 展开更多
关键词 [nife/cu/Co/cu]n 纳米多层线 电化学 表征
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Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜中Cu的层间偏聚及其对磁性的影响
7
作者 于广华 李明华 +3 位作者 朱逢吾 柴春林 姜宏伟 赖武彦 《中国科学(E辑)》 CSCD 北大核心 2003年第9期778-782,共5页
实验结果表明Ta/NiFe/FeMn/Ta多层膜的交换耦合场Hex要大于Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜中的Hex。为了寻找其原因,用X射线光电子能谱(XPS)研究了Ta(12nm)/NiFe(7um),Ta(12um)/NiFe(7um)/Cu(4um)和Ta(12um)/NiFe(7um)/Cu(3um)/Ni... 实验结果表明Ta/NiFe/FeMn/Ta多层膜的交换耦合场Hex要大于Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜中的Hex。为了寻找其原因,用X射线光电子能谱(XPS)研究了Ta(12nm)/NiFe(7um),Ta(12um)/NiFe(7um)/Cu(4um)和Ta(12um)/NiFe(7um)/Cu(3um)/NiFe(5um)3种样品,研究结果表明前两种样品表面无任何来自下层的元素偏聚,但在第3种样品最上层的NiFe表面上,探测到从下层偏聚上来的Cu原子,认为:Cu在NiFe/FeMn层间的存在是Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜的Hex低于Ta/NiFe/FeMn/Ta多层膜Hex的一个重要原因。 展开更多
关键词 Ta/nife/cu/nife/FeMn/Ta自旋阀多层膜 交换耦合场 层间偏聚 磁性
原文传递
DAFS研究NiFe/Cu多层膜结构
8
作者 罗光明 吴忠华 《北京同步辐射装置年报》 1998年第1期170-171,共2页
本文首次利用异常衍射精细结构谱(DAFS)分析技术对多层膜中的NiFe和Cu的精细结构进行了分析。从DAFS谱中,我们提取出Ni和Cu的精细结构谱,从而可以单独研究多层膜中NiFe和Cu的精细结构。与荧光EXAFS谱的比较表明,两种方法得到的谱... 本文首次利用异常衍射精细结构谱(DAFS)分析技术对多层膜中的NiFe和Cu的精细结构进行了分析。从DAFS谱中,我们提取出Ni和Cu的精细结构谱,从而可以单独研究多层膜中NiFe和Cu的精细结构。与荧光EXAFS谱的比较表明,两种方法得到的谱线完全一致。该技术为研究超薄多层膜的精细结构提供一种强有力的工具。 展开更多
关键词 DAFS nife/cu多层膜 结构 超薄金属多层膜 异常衍射精细结构谱
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X射线导常散射研究NiFe/Cu多层膜结构
9
作者 罗光明 蒋海英 《北京同步辐射装置年报》 1997年第1期72-73,共2页
本文利用X射线小角衍射和漫散射技术研究了两组具有不同GMR的NiFe/Cu多层膜样品的界面结构。利用在CuK吸收边附近的能量扫描得出了关于NiFe和Cu层的结晶性情况。结果表明两组样品在界面结构和结构性上有明显的区别。另外,我们还发现NiF... 本文利用X射线小角衍射和漫散射技术研究了两组具有不同GMR的NiFe/Cu多层膜样品的界面结构。利用在CuK吸收边附近的能量扫描得出了关于NiFe和Cu层的结晶性情况。结果表明两组样品在界面结构和结构性上有明显的区别。另外,我们还发现NiFe和Cu层的原子密度差别比块材料的差别大27%。 展开更多
关键词 X射线导常散射 nife/cu多层膜 结构
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Si基Cu/NiFe薄膜的生长及其粘附特性研究 被引量:5
10
作者 张涛 吴一辉 +1 位作者 张平 王淑荣 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05A期1444-1447,共4页
微机械(MEMS)工艺和集成电路(IC)工艺中,在硅(Si)片上电铸高深宽比坡莫(NiFe)合金材料常出现脱落现象.提出了一种电铸NiFe合金材料的新方法,这种方法制作的合金薄膜厚度达200μm时不脱落.此方法即对等离子刻蚀后的硅片溅射种子层铜(Cu)... 微机械(MEMS)工艺和集成电路(IC)工艺中,在硅(Si)片上电铸高深宽比坡莫(NiFe)合金材料常出现脱落现象.提出了一种电铸NiFe合金材料的新方法,这种方法制作的合金薄膜厚度达200μm时不脱落.此方法即对等离子刻蚀后的硅片溅射种子层铜(Cu),然后对种子层进行电镀,当其厚度达到约15μm时,再进行NiFe合金的电铸.本文用扫描电镜、x射线衍射仪和剥离实验研究了薄膜粘附特性.研究结果表明当对种子层电镀后,随着Cu种子层厚度的增加,Cu/NiFe薄膜与基体的粘附强度增加,而薄膜的残余应力降低;同时Cu膜表面粗糙度增加,也增加了NiFe膜与Cu膜的粘附强度. 展开更多
关键词 SI基 cu/nife 粘附特性 剥离实验 残余应力
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Cu层和Mo层对NiFe多层膜巨磁电阻(GMR)的影响
11
作者 王艾玲 周安 +3 位作者 郑鹉 陈金昌 王岩国 周少雄 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 1998年第3期24-28,共5页
采用磁控溅射方法制备了NiFe/Cu和NiFe/Mo两个系列的多层膜,进行了结构、磁性和磁电阻测量,并对部分NiFe/Cu多层膜样品作了电镜分析。对于NiFe/Cu多层膜,在室温下测量到巨磁电阻随Cu层厚度振荡的第一... 采用磁控溅射方法制备了NiFe/Cu和NiFe/Mo两个系列的多层膜,进行了结构、磁性和磁电阻测量,并对部分NiFe/Cu多层膜样品作了电镜分析。对于NiFe/Cu多层膜,在室温下测量到巨磁电阻随Cu层厚度振荡的第一、二、三峰。在NiFe/Mo多层膜样品中未发现巨磁电阻效应。讨论了非磁性层对多层膜的磁性、界面结构和巨磁电阻效应的影响。 展开更多
关键词 多层膜 巨磁电阻 界面结构 镍铁/钼 镍铁/铜
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NiO/Co/Cu/Co/NiFe自旋阀多层膜研究
12
作者 王浩敏 林更琪 +2 位作者 李震 杨晓非 李佐宜 《信息记录材料》 2002年第4期6-9,共4页
采用射频磁控溅射方法制备了一系列自旋阀多层膜。在Cu/NiFe界面处插入适当厚度的Co薄层,可增强界面处的自旋相关散射,增大自旋阀的MR值。用绝缘材料NiO作钉扎层,在大磁场中淀积了NiO/Co/Cu/Co/NiFe底自旋阀,其最大MR值达6%。
关键词 NiO/Co/cu/Co/nife 自旋阀 多层膜 研究 巨磁电阻效应 交换耦合场 矫顽力
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电沉积Ni_(80)Fe_(20)/Cu纳米多层膜及其巨磁电阻效应 被引量:5
13
作者 张卫国 姜莹 姚素薇 《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期503-507,共5页
采用单槽控电位双脉冲技术在n-Si(111)晶面上制备了[Ni80Fe20/Cu]n多层膜,用SEM观测了多层膜的断面形貌,利用X射线衍射(XRD)表征了多层膜的超晶格结构。采用四探针法研究了多层膜的巨磁电阻(GMR)性能,结果表明,多层膜的GMR值随着Cu层厚... 采用单槽控电位双脉冲技术在n-Si(111)晶面上制备了[Ni80Fe20/Cu]n多层膜,用SEM观测了多层膜的断面形貌,利用X射线衍射(XRD)表征了多层膜的超晶格结构。采用四探针法研究了多层膜的巨磁电阻(GMR)性能,结果表明,多层膜的GMR值随着Cu层厚度的变化发生周期性振荡,随着NiFe层厚度的增加先增大后减小;当样品结构为[NiFe(1.6nm)/Cu(2.6nm)]80时,GMR值可达6.4%;多层膜的最低饱和磁场仅为750Oe。磁滞回线测试结果表明,反铁磁耦合多层膜具有较小的矩形比,更适宜作为磁头材料。 展开更多
关键词 电沉积 多层膜 巨磁电阻 超晶格 nife/cu
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Comparative Investigation on the microstructures of Ni80Fe20/Cu and Ni80Fe20/Fe50Mn50 Superlattices by X—Ray Diffraction
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作者 MingXu GuangmingLug 《同步辐射装置用户科技论文集》 2000年第1期179-181,共3页
关键词 nife/cu nife/FeMn X射线衍射 微结构 多层涂层
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Magnetic property and interlayer segregation in spin valve metal multilayers
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作者 于广华 李明华 +3 位作者 朱逢吾 柴春林 姜宏伟 赖武彦 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2002年第2期140-145,共6页
The experimental results show that the exchange coupling field of NiFe/FeMn for Ta/NiFe/FeMn/Ta multilayers is higher than that for the spin valve multilayers Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta.In order to find out the reason,th... The experimental results show that the exchange coupling field of NiFe/FeMn for Ta/NiFe/FeMn/Ta multilayers is higher than that for the spin valve multilayers Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta.In order to find out the reason,the composition and chemical states at the surfaces of Ta(12nm)/NiFe(7nm),Ta(12nm)/NiFe(7nm)/Cu(4nm) and Ta(12nm)/NiFe(7nm)/Cu(3nm)/NiFe(5nm) were studied using the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS).The results show that no elements from lower layers float out or segregate to the surface for the first and second samples.However,Cu atoms segregate to the surface of Ta(12nm)/NiFe(7nm)/Cu(3nm)/NiFe(5nm) multilayers,i.e.Cu atoms segregate to the NiFe/FeMn interface for Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta multilayers.We believe that the presence of Cu atoms at the interface of NiFe/FeMn is one of the important factors causing the exchange coupling field of Ta/NiFe/FeMn/Ta multilayers to be higher than that of Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta multilayers. 展开更多
关键词 nife/FeMn nife/cu/nife/FeMn interlayer segregation exchange coupling field Hex X-ray PHOTOELECTRON spectroscopy(XPS).
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