针对一阶噪声整形(NS)往往需要增加功耗而以较高的过采样比(OSR)来实现较高的有效位数(ENOB),提出了一种低OSR、低功耗的二阶无源NS SAR ADC。该无源NS模块较高的无源增益可以更好地抑制比较器的噪声;其残差电压是通过开关MOS阵列复用...针对一阶噪声整形(NS)往往需要增加功耗而以较高的过采样比(OSR)来实现较高的有效位数(ENOB),提出了一种低OSR、低功耗的二阶无源NS SAR ADC。该无源NS模块较高的无源增益可以更好地抑制比较器的噪声;其残差电压是通过开关MOS阵列复用积分电容实现采样,从而无需额外的残差采样电容,避免了残差采样电容清零和残差采样时kT/C噪声的产生,因此减小了总的kT/C噪声。180 nm CMOS工艺仿真结果表明,在不使用数字校准的情况下,所设计的10位二阶无源NS SAR ADC电路以100 kS/s的采样率和5的OSR,实现了13.5位ENOB,电路功耗仅为6.98μW。展开更多
针对传统无源有损积分环路滤波器相较于有源无损积分环路滤波器,具有功耗低、电路设计简单等特点,但其噪声传输函数(NTF:Noise Transfer Function)平滑,噪声整形效果较弱的问题,提出了一种无源无损的二阶积分环路滤波器,保留了无源有损...针对传统无源有损积分环路滤波器相较于有源无损积分环路滤波器,具有功耗低、电路设计简单等特点,但其噪声传输函数(NTF:Noise Transfer Function)平滑,噪声整形效果较弱的问题,提出了一种无源无损的二阶积分环路滤波器,保留了无源有损积分优点的同时具有良好噪声整形效果。设计了一款分辨率为16 bit、采样率为2 Ms/s的混合架构噪声整形SAR ADC。仿真结果表明,在125 kHz带宽、过采样比为8时,实现了高信号与噪声失真比(SNDR(Signal to Noise and Distortion Ratio)为91.1 dB)、高精度(14.84 bit)和低功耗(285μW)的性能。展开更多
为了实现较高的电容检测范围,传统的采用SAR ADC的开关电容(Switched capacitor,SC)的电容数字转换器(Capacitance to digital converter,CDC)使用高压供电提高输出摆幅,而其为了保证噪声性能又采用大电流驱动,所以显著增加了系统功耗...为了实现较高的电容检测范围,传统的采用SAR ADC的开关电容(Switched capacitor,SC)的电容数字转换器(Capacitance to digital converter,CDC)使用高压供电提高输出摆幅,而其为了保证噪声性能又采用大电流驱动,所以显著增加了系统功耗。为了解决以上问题,提出了一种基于数字放大器的电容数字转换器,将CDAC阵列作为模拟输出承担高压。仅对CDAC阵列与传感电容采用高压(5 V)驱动,而其余部分仍采用低压(1 V)供电,使得CDC在达到高动态范围与高灵敏度的同时保持低功耗、低噪声。此外,针对噪声的优化,本文一方面通过在数字放大器内加入积分环路实现SAR ADC的一阶噪声整形,降低了系统的量化噪声,提高了CDC的有效位数;另一方面通过引入有源噪声抵消(Active noise cancellation technology,ANC)技术,降低了系统的混叠噪声,提高了系统的信噪比。展开更多
本文提出了一种高精度的二阶无源噪声整形逐次逼近型模数转换器(NS SAR ADC)。首先,采用了一种通过动态浮动反向放大器(FIA)实现kT/C噪声消除的技术,随后结合差分结构的定制电容,实现更小的电容阵列面积的同时抑制了采样热噪声。最后,...本文提出了一种高精度的二阶无源噪声整形逐次逼近型模数转换器(NS SAR ADC)。首先,采用了一种通过动态浮动反向放大器(FIA)实现kT/C噪声消除的技术,随后结合差分结构的定制电容,实现更小的电容阵列面积的同时抑制了采样热噪声。最后,采用翻转电压跟随器(FVF)结构作为动态缓冲器提取残差电压,并通过电容堆叠的操作实现无源求和,对比较器噪声与量化噪声进行了二阶整形。该设计采用0.18μm工艺实现,仿真表明,在1.8 V电源电压、8倍过采样率和2 MS/s的采样频率下,信号噪声失真比(SNDR)为88.57 dB,无杂散动态范围(SFDR)为99.09 dB,功耗仅为302μW。展开更多
首先采用栅压自举采样电路、比较器、全差分分段式电容阵列以及同步时序控制来实现10 bit SAR ADC的设计,在此基础上加入Sigma-Delta调制器来实现噪声整形,并将动态比较器改为4输入动态比较器以便进行电压余量求和,最终实现了12 bit NS ...首先采用栅压自举采样电路、比较器、全差分分段式电容阵列以及同步时序控制来实现10 bit SAR ADC的设计,在此基础上加入Sigma-Delta调制器来实现噪声整形,并将动态比较器改为4输入动态比较器以便进行电压余量求和,最终实现了12 bit NS SAR ADC的设计。展开更多
文摘针对一阶噪声整形(NS)往往需要增加功耗而以较高的过采样比(OSR)来实现较高的有效位数(ENOB),提出了一种低OSR、低功耗的二阶无源NS SAR ADC。该无源NS模块较高的无源增益可以更好地抑制比较器的噪声;其残差电压是通过开关MOS阵列复用积分电容实现采样,从而无需额外的残差采样电容,避免了残差采样电容清零和残差采样时kT/C噪声的产生,因此减小了总的kT/C噪声。180 nm CMOS工艺仿真结果表明,在不使用数字校准的情况下,所设计的10位二阶无源NS SAR ADC电路以100 kS/s的采样率和5的OSR,实现了13.5位ENOB,电路功耗仅为6.98μW。
文摘针对传统无源有损积分环路滤波器相较于有源无损积分环路滤波器,具有功耗低、电路设计简单等特点,但其噪声传输函数(NTF:Noise Transfer Function)平滑,噪声整形效果较弱的问题,提出了一种无源无损的二阶积分环路滤波器,保留了无源有损积分优点的同时具有良好噪声整形效果。设计了一款分辨率为16 bit、采样率为2 Ms/s的混合架构噪声整形SAR ADC。仿真结果表明,在125 kHz带宽、过采样比为8时,实现了高信号与噪声失真比(SNDR(Signal to Noise and Distortion Ratio)为91.1 dB)、高精度(14.84 bit)和低功耗(285μW)的性能。