芳樟工厂化育苗技术研究

通过对芳樟工业原料林良种茎尖的离体培养和繁殖 ,探讨芳樟茎尖诱导、分化、不定芽生长分化、生根的适宜的培养基和适宜的培养条件。结果表明 :适宜芳樟茎尖诱导培养基为MS +6 -BAa～ 2amg .L-1+NAAbmg .L-1,诱导率达 70 %以上 ,适宜分化丛生芽的理想培养基为改良MS +6 -BAa′～ 2a′mg .L-1+NAA0～ 2bmg .L-1+GA0～cmg .L-1芽年增殖系数达4 5 12 以上 ,有效芽苗率达 80 %以上 ,适合生根培养基为 1/2改良MS +NAAb′mg .L-1+IBA0～b′mg .L-1或 1/2改良MS +IBAb′mg .L-1+NAA0～b′mg .L-1,或R +IBAc2 mg .L-1+NAAc1 mg .L-1生根率达 98%以上。移栽土壤基质以黄心土加沙(10∶1)理想 ,移栽成活率可达 85