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Comparative evaluation of commercial Douchi by different molds:biogenic amines,non-volatile and volatile compounds 被引量:1
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作者 Aijun Li Gang Yang +4 位作者 Zhirong Wang Shenglan Liao Muying Du Jun Song Jianquan Kan 《Food Science and Human Wellness》 SCIE CSCD 2024年第1期434-443,共10页
To provide new insights into the development and utilization of Douchi artificial starters,three common strains(Aspergillus oryzae,Mucor racemosus,and Rhizopus oligosporus)were used to study their influence on the fer... To provide new insights into the development and utilization of Douchi artificial starters,three common strains(Aspergillus oryzae,Mucor racemosus,and Rhizopus oligosporus)were used to study their influence on the fermentation of Douchi.The results showed that the biogenic amine contents of the three types of Douchi were all within the safe range and far lower than those of traditional fermented Douchi.Aspergillus-type Douchi produced more free amino acids than the other two types of Douchi,and its umami taste was more prominent in sensory evaluation(P<0.01),while Mucor-type and Rhizopus-type Douchi produced more esters and pyrazines,making the aroma,sauce,and Douchi flavor more abundant.According to the Pearson and PLS analyses results,sweetness was significantly negatively correlated with phenylalanine,cysteine,and acetic acid(P<0.05),bitterness was significantly negatively correlated with malic acid(P<0.05),the sour taste was significantly positively correlated with citric acid and most free amino acids(P<0.05),while astringency was significantly negatively correlated with glucose(P<0.001).Thirteen volatile compounds such as furfuryl alcohol,phenethyl alcohol,and benzaldehyde caused the flavor difference of three types of Douchi.This study provides theoretical basis for the selection of starting strains for commercial Douchi production. 展开更多
关键词 DOUCHI Starting strains non-volatile compounds Volatile compounds Sensory evaluation
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Correlation of gut microorganisms and non-volatile flavor substances provides new insights for breeding Scylla paramamosain
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作者 Gao GAO Xing LI +7 位作者 Kangxiang QIN Yun HU Xiaosong JIANG Chenxi CHE Yuntao LI Changkao MU Chunlin WANG Huan WANG 《Journal of Oceanology and Limnology》 SCIE CAS CSCD 2024年第4期1336-1347,共12页
The farming of Scylla paramamosain with specific flavors has a higher commercial value,and the flavors are related to the integrated farming environment and non-volatile flavor substances,while the survival environmen... The farming of Scylla paramamosain with specific flavors has a higher commercial value,and the flavors are related to the integrated farming environment and non-volatile flavor substances,while the survival environment is one of the important ways to source gut microorganisms in the organism.In this study,the levels of dominant taxa in the gut flora of S.paramamosain from Mong Cai,Vietnam(VN),Taishan City,Guangdong Province(TS)of China,and Ninghai County,Ningbo City(NB)Zhejiang Province of China converged with those of S.paramamosain from Sanmen County,Ningbo City(CK 1,CK 2,and CK 3)at 28 d of domestication.The top 15 genera with the highest abundance of VN,TS,and NB gut flora were the same as CK 1,CK 2,and CK 3,but with different percentages,and gradually converged to CK 1,CK 2,and CK 3,respectively,at 28 d of domestication.Correlation between intestinal flora and non-volatile flavor substances in the hepatopancreas at the percentage level of relative abundance of bacterial genera found that above 28 d of domestication,Muribaculaceae,Psychrilyobacter,Clostridia_vadinBB 60_group,Halarcobacter Carboxylicivirga,Sediminispirochaeta may be the most important genera affecting flavor amino acids of VN.Sediminispirochaeta,Carboxylicivirga,Halarcobacter,Photobacterium,ZOR 0006,Psychrilyobacter,and Pseudomonas may be the most important genera affecting flavor amino acids of NB.Sediminispirochaeta,Carboxylicivirga,Halarcobacter,Photobacterium,ZOR 0006,Vibrio,and Sphingomonas may be the most important genera affecting flavor amino acids of TS.These results show that the intestinal flora structure of crabs from different areas were domesticated in the same area for at least 28 d before they converged to that of the domesticated crab,and the most important genera affecting the flavor amino acids of TS,VN,and NB were also identified.The results of this study provide a reference and basis for the technique of directional cultivation of the flavor quality of the crab. 展开更多
关键词 survival environment Scylla paramamosain intestinal flora structure non-volatile flavor substance directional breeding
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NMOS晶体管电荷共享导致的SRAM单元单粒子翻转恢复效应研究
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作者 高珊 李洋 +4 位作者 郝礼才 赵强 彭春雨 蔺智挺 吴秀龙 《中国集成电路》 2024年第6期48-55,共8页
基于Synopsys公司的三维器件模拟软件TCAD,本文研究了NMOS晶体管电荷共享导致SRAM单元的单粒子翻转恢复(SEUR)效应。分析了NMOS晶体管电荷共享导致SEUR效应的物理机制,系统研究了NMOS晶体管偏置(如电源电压、P阱偏置电压)和工艺参数(如P... 基于Synopsys公司的三维器件模拟软件TCAD,本文研究了NMOS晶体管电荷共享导致SRAM单元的单粒子翻转恢复(SEUR)效应。分析了NMOS晶体管电荷共享导致SEUR效应的物理机制,系统研究了NMOS晶体管偏置(如电源电压、P阱偏置电压)和工艺参数(如P+深阱掺杂浓度、P阱接触距离)对线性能量传输翻转恢复阈值(LETrec)以及单粒子翻转脉冲宽度(PWrec)的影响。研究发现:PWrec随着电源电压的增大而增大;PWrec和LETrec随着P阱偏置电压的增大而减小;LETrec随着P+深阱掺杂浓度的增大而增大;PWrec随着P阱接触与NMOS晶体管之间距离的增大而增大,而LETrec随着P阱接触与NMOS晶体管之间距离增大而减小。本文研究结论有助于优化SRAM单元抗单粒子效应设计,尤其是基于SEUR效应的SRAM单元的抗辐照加固设计提供了理论指导。 展开更多
关键词 单粒子翻转恢复效应 sram 电荷共享 工艺参数
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Correlation between dominant bacterial community and non-volatile organic compounds during the fermentation of shrimp sauces 被引量:3
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作者 Ruichang Gao Huijie Liu +3 位作者 Ying Li Hongying Liu Yue Zhou Li Yuan 《Food Science and Human Wellness》 SCIE CSCD 2023年第1期233-241,共9页
Shrimp sauce,one of the traditional salt-fermented food in China,has a unique flavor that is influenced by the resident microflora.The quality of salt-fermented shrimp sauce was evaluated in this work by determining t... Shrimp sauce,one of the traditional salt-fermented food in China,has a unique flavor that is influenced by the resident microflora.The quality of salt-fermented shrimp sauce was evaluated in this work by determining the total volatile basic nitrogen(TVB-N),the amino acid nitrogen(AAN),organic acid,5’-nucleotide and free amino acids(FAA).Moreover,the dynamics of microbial diversity during processing was investigated by using high-throughput sequencing technology.The results showed that the AAN,TVB-N,organic acid,5’-nucleotide and FAA content were in range of 0.93-1.42 g/100 mL,49.91-236.27 mg/100 mL,6.65-20.68 mg/mL,3.51-6.56 mg/mL and 81.27-102.90 mg/mL.Among the microbial diversity found in the shrimp sauce,Tetragenococcus,Flavobacterium,Polaribacter,Haematospirillum and Staphylococcus were the predominant genera.Correlation analysis indicated that the bacteria Tetragenococcus and Staphylococcus were important in the formation of non-volatile compounds.Tetragenococcus positively correlated with a variety of FAAs;Staphylococcus positively correlated with 5’-nucleotides.The analysis indicated that Tetragenococcus and Staphylococcus were the core genera affecting non-volatile components.These findings indicate the dynamics of the bacterial community and non-volatile components inter-relationships during shrimp sauce fermentation and provide a theoretical basis for improving the fermentation process of shrimp sauce. 展开更多
关键词 Shrimp sauces non-volatile compounds Bacterial community Electronic tongue Correlation analysis
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Virtex-5系列SRAM型FPGA单粒子效应重离子辐照试验技术研究
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作者 赖晓玲 郭阳明 +2 位作者 巨艇 朱启 贾亮 《计算机测量与控制》 2024年第1期304-311,共8页
针对SRAM型FPGA在空间辐射环境下易发生单粒子效应,影响星载设备正常工作甚至导致功能中断的问题,开展了SRAM型FPGA单粒子效应地面辐照试验方法研究,提出了配置存储器(CRAM)和块存储器(BRAM)的单粒子翻转效应测试方法,并以Xilinx公司工... 针对SRAM型FPGA在空间辐射环境下易发生单粒子效应,影响星载设备正常工作甚至导致功能中断的问题,开展了SRAM型FPGA单粒子效应地面辐照试验方法研究,提出了配置存储器(CRAM)和块存储器(BRAM)的单粒子翻转效应测试方法,并以Xilinx公司工业级Virtex-5系列SRAM型FPGA为测试对象,设计了单粒子效应测试系统,开展了重离子辐照试验,获取了器件的单粒子闩锁试验数据和CRAM、BRAM以及典型用户电路三模冗余前后的单粒子翻转试验数据;最后利用空间环境模拟软件进行了在轨翻转率分析,基于CREME96模型计算得到XC5VFX130T器件配置存储器GEO轨道的单粒子翻转概率为6.41×10^(-7)次/比特·天。 展开更多
关键词 sram型FPGA 单粒子效应 单粒子翻转 单粒子闩锁 重离子辐照试验
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基于数据残留时间的SRAM-PUF预选算法
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作者 陈泽亮 孔德珠 +2 位作者 尹爱国 陈泽福 张培勇 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期1478-1487,共10页
静态随机存取存储器(Static Random-Access Memory,SRAM)物理不可克隆函数(Physical Unclonable Function,PUF)利用参数设计完全相同的晶体管在制造过程中存在的工艺偏差,生成每块芯片无法克隆的密钥响应.由于SRAM-PUF内部错误分布的随... 静态随机存取存储器(Static Random-Access Memory,SRAM)物理不可克隆函数(Physical Unclonable Function,PUF)利用参数设计完全相同的晶体管在制造过程中存在的工艺偏差,生成每块芯片无法克隆的密钥响应.由于SRAM-PUF内部错误分布的随机性,密钥重构需要使用纠错码,而纠错电路的面积与其纠错能力呈正相关,为了降低SRAM-PUF错误分布,减小纠错电路面积,本文通过对SRAM数据残留特性的研究,提出一种数据残留预选算法,对SRAM单元进行筛选,提高PUF响应稳定性,使用区块择优算法筛选SRAM区块,减小响应的分散度,以更短的时间和资源消耗生成SRAM-PUF响应,测试结果表明,在不同温度(-40℃~80℃)和±10%电压波动下,256位SRAM-PUF响应拥有99.8%的稳定性及1.9×10^(-8)的误码率,相对于通用的临时多数表决(Temporal Majority Voting,TMV)算法提升了1.7%的稳定性,降低2.1×10^(5)倍误码率,与1000次TMV相比,时间复杂度从O(2000n)线性降低到O(900n).经过72小时老化测试后,采用数据残留算法预选的SRAM-PUF稳定性仅下降0.2%. 展开更多
关键词 物理不可克隆函数 sram 预选算法 数据残留 临时多数表决
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一种同步流水线SRAM读写控制模型
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作者 李铁虎 黄丹 +1 位作者 罗华军 祁宗 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第2期228-234,共7页
设计了一种同步流水线静态随机存储器读写控制系统的行为级模型。分析了存储器芯片的控制信号和工作时序要求,利用Verilog硬件描述语言对存储器芯片的读写系统进行了行为级建模。系统包括主机、总控制器和存储器三部分,其中总控制器又... 设计了一种同步流水线静态随机存储器读写控制系统的行为级模型。分析了存储器芯片的控制信号和工作时序要求,利用Verilog硬件描述语言对存储器芯片的读写系统进行了行为级建模。系统包括主机、总控制器和存储器三部分,其中总控制器又包括信号源发生器和数据收发控制器两个子模块。利用Modelsim软件对系统行为级模型进行了仿真验证,结果表明系统控制模型在非猝发(常规)、线性猝发、交织猝发三种工作模式下均可对存储器进行正确读写操作。该模型将主机端源控制信号数量减至最少,极大简化了读写控制流程;采用系统时钟双沿对数据采样传输,提升了系统的稳定性。 展开更多
关键词 sram 读写控制系统 VERILOG硬件描述语言 行为级模型
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基于Back-n白光中子实验装置的SRAM翻转截面测量
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作者 刘毓萱 秋妍妍 +4 位作者 谭志新 易晗 贺永宁 赵小龙 樊瑞睿 《现代应用物理》 2024年第2期103-107,共5页
本文主要研究静态随机存取存储器(static random-access memory,SRAM)的单粒子效应翻转截面的测量方法。基于宽能谱白光中子束流,采用了一种操作更方便的SRAM翻转截面测量方法。在SRAM前面放置聚乙烯中子慢化材料改变入射到SRAM表面上... 本文主要研究静态随机存取存储器(static random-access memory,SRAM)的单粒子效应翻转截面的测量方法。基于宽能谱白光中子束流,采用了一种操作更方便的SRAM翻转截面测量方法。在SRAM前面放置聚乙烯中子慢化材料改变入射到SRAM表面上的中子能谱,利用模拟计算得到改变后的中子能谱。利用奇异值分解法求解翻转率的矩阵方程得到SRAM的翻转截面。结果表明在4~15 MeV的能量范围内,使用反角白光中子源测试的SRAM翻转截面信息和参考文献中使用单能中子源测试拟合的SRAM翻转截面信息基本吻合。 展开更多
关键词 中子能谱 准单能中子源 单粒子效应 sram翻转截面 奇异值分解
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双埋氧绝缘体上硅SRAM铀离子单粒子效应研究
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作者 王春林 高见头 +5 位作者 刘凡宇 陈思远 王娟娟 王天琦 李博 倪涛 《现代应用物理》 2024年第4期40-46,58,共8页
随着集成电路技术的进步,提高电路的单粒子翻转(single event upset,SEU)阈值变得愈发困难。双埋氧层绝缘体上硅(double silicon-on-insulator,DSOI)技术为单粒子加固技术提供了新方法。利用哈尔滨工业大学空间地面模拟装置(space envir... 随着集成电路技术的进步,提高电路的单粒子翻转(single event upset,SEU)阈值变得愈发困难。双埋氧层绝缘体上硅(double silicon-on-insulator,DSOI)技术为单粒子加固技术提供了新方法。利用哈尔滨工业大学空间地面模拟装置(space environment simulation and research infrastructure,SESRI)产生的铀离子对中国科学院微电子研究所研制的DSOI静态随机存取存储器(static random access memory,SRAM)开展了SEU效应研究。铀离子是目前可获得的线性能量传递(linear energy transfer,LET)最高的重离子。2种不同SEU加固能力的DSOI 4 kbit SRAM试验结果显示,通过对NMOS和PMOS的背栅实施独立偏压控制,可实现DSOI SRAM电路抗SEU能力的宽范围调制。最优条件下,使用LET为118 MeV·cm ^(2)·mg^(-1)的铀离子,累积注量为1×10^(7) cm^(-2)时,被测器件无SEU发生。 展开更多
关键词 绝缘体上硅 双埋氧层绝缘体上硅 静态随机存储器 单粒子效应 单粒子翻转
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基于ALO-BP神经网络的SRAM读时序预测
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作者 柴永剑 张立军 +2 位作者 严雨灵 谢东东 马利军 《电子设计工程》 2024年第8期82-86,91,共6页
针对芯片设计中的后仿流程采用的时序分析用时过长,且传统回归模型预测出的时序值精确度较低等问题,提出一种基于蚁狮优化(Ant Lion Optimizer,ALO)算法的反向传播(Back Propagation,BP)神经网络的读时序预测方法。对14 nm SRAM芯片进... 针对芯片设计中的后仿流程采用的时序分析用时过长,且传统回归模型预测出的时序值精确度较低等问题,提出一种基于蚁狮优化(Ant Lion Optimizer,ALO)算法的反向传播(Back Propagation,BP)神经网络的读时序预测方法。对14 nm SRAM芯片进行表征,生成对应的liberty文件,提取其中的典型特征和时序参数并进行量化和归一化处理,形成相应的训练测试集。利用BP神经网络的自适应学习能力对数据集进行仿真训练,确定最优隐含层数;针对训练过程中对网络初始值非常依赖这一问题,采用蚁狮优化算法寻找均方误差最小时的网络初始权值,同时对比多种预测方法,对仿真方法和结果进行分析。实验结果表明,该模型收敛速度快、预测精度高,能对读时序进行有效预测。 展开更多
关键词 sram BP神经网络 ALO算法 读时序
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A Study on the Design Method of Hybrid MOSFET-CNTFET Based SRAM-A Secondary Publication
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作者 Geunho Cho 《Journal of Electronic Research and Application》 2024年第1期106-112,共7页
More than 10,000 carbon nanotube field-effect transistors(CNTFETs)have been successfully integrated into one semiconductor chip using conventional semiconductor design procedures and manufacturing processes.These tran... More than 10,000 carbon nanotube field-effect transistors(CNTFETs)have been successfully integrated into one semiconductor chip using conventional semiconductor design procedures and manufacturing processes.These transistors offer advantages such as high carrier mobility,large saturation velocity,low intrinsic capacitance,flexibility,and transparency.The three-dimensional multilayer structure of the CNTFET semiconductor chip,along with ongoing research in CNTFET manufacturing processes,increases the potential for creating a hybrid MOSFET-CNTFET semiconductor chip.This chip combines conventional metal-oxide-semiconductor field-effect transistors(MOSFETs)and CNTFETs in one integrated system.This paper discusses a methodology to design 6T binary static random-access memory(SRAM)using a hybrid MOSFET-CNTFET.This paper introduces a method for designing a hybrid MOSFET-CNTFET SRAM by leveraging existing MOSFET SRAM or CNTFET SRAM design approaches.Additionally,this paper compares its performance with conventional MOSFET SRAM and CNTFET SRAM designs. 展开更多
关键词 MOSFET CNTFET sram HYBRID Carbon nanotube
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基于RS和BCH码的SRAM-PUF密钥提取方法及性能分析
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作者 周昱 于宗光 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 2024年第7期187-193,共7页
物理不可克隆函数(PUF)是芯片制造过程中随机偏差形成的唯一和不可复制的物理指纹,使用这个特征可以鉴别各个芯片,然而PUF芯片因环境变化会影响输出,导致在认证应用时可能失败。介绍了模糊提取器的密钥提取方法,通过在静态随机存取存储... 物理不可克隆函数(PUF)是芯片制造过程中随机偏差形成的唯一和不可复制的物理指纹,使用这个特征可以鉴别各个芯片,然而PUF芯片因环境变化会影响输出,导致在认证应用时可能失败。介绍了模糊提取器的密钥提取方法,通过在静态随机存取存储器(SRAM)-PUF芯片中加入里德-所罗门(RS)硬解码,在认证系统中加入BCH软解码模块,纠正PUF在一定范围内变化来确保通过认证,并对SRAM-PUF电路在三温下进行实验分析。实验结果表明,SRAM-PUF电路的PUF点分布有较好的均衡性,在常温时可靠性接近100%,在低温条件下可靠性范围为98.84%~100%,在高温条件下,可靠性范围为97.77%~99%,当RS码和BCH码设计的纠错能力大于PUF可靠性时能够通过认证。 展开更多
关键词 物理不可克隆函数 静态随机存取存储器 模糊提取器 里德-所罗门码 BCH码
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A Low-Power,Single-Poly,Non-Volatile Memory for Passive RFID Tags 被引量:1
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作者 赵涤燹 闫娜 +3 位作者 徐雯 杨立吾 王俊宇 闵昊 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期99-104,共6页
Single-poly,576bit non-volatile memory is designed and implemented in an SMIC 0.18μm standard CMOS process for the purpose of reducing the cost and power of passive RFID tag chips. The memory bit cell is designed wit... Single-poly,576bit non-volatile memory is designed and implemented in an SMIC 0.18μm standard CMOS process for the purpose of reducing the cost and power of passive RFID tag chips. The memory bit cell is designed with conventional single-poly pMOS transistors, based on the bi-directional Fowler-Nordheim tunneling effect, and the typical program/erase time is 10ms for every 16bits. A new ,single-ended sense amplifier is proposed to reduce the power dissipation in the current sensing scheme. The average current consumption of the whole memory chip is 0.8μA for the power supply voltage of 1.2V at a reading rate of 640kHz. 展开更多
关键词 RFID single-poly non-volatile memory standard CMOS process sense amplifier low power
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基于UVM的AHB总线SRAM控制器设计和验证 被引量:2
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作者 梁光胜 李朝洋 +1 位作者 梁兆楷 杨松 《集成电路应用》 2023年第6期51-53,共3页
阐述AHB总线的SARM控制器运行原理和特点,以System Verilog为验证语言,VCS和DVE为仿真软件,搭建了基于UVM的通用验证平台,针对待测模块设计随机化测试用例,给出基于UVM的AHB总线SRAM控制器的验证结果,检测UVM验证平台的重用性、可移植... 阐述AHB总线的SARM控制器运行原理和特点,以System Verilog为验证语言,VCS和DVE为仿真软件,搭建了基于UVM的通用验证平台,针对待测模块设计随机化测试用例,给出基于UVM的AHB总线SRAM控制器的验证结果,检测UVM验证平台的重用性、可移植性和可靠性。 展开更多
关键词 UVM验证方法 AHB总线 静态随机存取存储器 System Verilog VCS
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一种高精度8TSRAM存储阵列存内计算电路
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作者 韦雪明 周立昕 +3 位作者 尹仁川 许仕海 蒋丽 李建华 《桂林电子科技大学学报》 2023年第6期465-472,共8页
为解决传统“冯·诺依曼”架构功耗墙瓶颈,提升人工智能应用中点乘求和计算能效,设计了一种基于8T静态随机存储器阵列的存内计算电路,可有效解决“内存墙”问题。通过对存储单元的偏置电压设计来稳定充放电电流,可改善位线放电线性... 为解决传统“冯·诺依曼”架构功耗墙瓶颈,提升人工智能应用中点乘求和计算能效,设计了一种基于8T静态随机存储器阵列的存内计算电路,可有效解决“内存墙”问题。通过对存储单元的偏置电压设计来稳定充放电电流,可改善位线放电线性度,提高计算准确性。同时,在保证放电电流相同的前提条件下,减少了模数转换器(ADC)阈值编码,存储阵列的面积明显减小。电路基于65 nm CMOS工艺设计,通过8×72存储阵列的并行计算结构完成了64 Byte二进制点乘累加计算功能。仿真结果表明,在3位ADC输出、8 bit比较输出模式下,使用0.8、1.2 V的核心电源电压和250 MHz的时钟频率,可达到每比特1.69 GOPS/W的计算能效。与理论值基线相比,计算输出的平均计算偏差最大为1.05%,有效提高了计算准确率,并减小了电路面积。 展开更多
关键词 存内计算 CMOS 8T sram 点乘累加计算 高线性度
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双端口SRAM抗写干扰结构的优化设计 被引量:1
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作者 李学瑞 秋小强 刘兴辉 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第7期617-623,共7页
针对双端口静态随机存储器(SRAM)通常存在写干扰而导致数据写入困难的问题,基于经典位线电平复制技术提出了一种新型的位线电平复制结构。基于SMIC 28 nm CMOS工艺对位线电平复制结构进行设计,通过优化控制逻辑的组合电路,缩短位线电平... 针对双端口静态随机存储器(SRAM)通常存在写干扰而导致数据写入困难的问题,基于经典位线电平复制技术提出了一种新型的位线电平复制结构。基于SMIC 28 nm CMOS工艺对位线电平复制结构进行设计,通过优化控制逻辑的组合电路,缩短位线电平复制操作的开启时间,提高了数据写入SRAM的速度,使设计的SRAM可在更高频率下正常工作,同时降低了动态功耗。仿真结果显示,在0.9 V工作电压下,相对于经典位线电平复制结构,采用新结构设计的SRAM的写入时间缩短了约27.4%,动态功耗降低了约48.1%,抗干扰能力得到显著提升。 展开更多
关键词 双端口静态随机存储器(sram) 位线电平复制 写干扰 控制逻辑 数据写入时间
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基于SRAM的感存算一体化技术综述
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作者 杨兴华 杨子翼 +7 位作者 苏海津 姜炜煌 张静 魏琦 骆丽 王忠静 吕华芳 乔飞 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第8期2828-2838,共11页
基于SRAM(静态随机存取)存储器的感存算一体化芯片架构将传感、存储和计算功能结合,通过使存储单元具备计算能力,避免了计算过程中数据的搬移,解决了冯诺依曼架构所面临的“存储墙”的问题。该结构与传感器部分结合,可以实现超高速、超... 基于SRAM(静态随机存取)存储器的感存算一体化芯片架构将传感、存储和计算功能结合,通过使存储单元具备计算能力,避免了计算过程中数据的搬移,解决了冯诺依曼架构所面临的“存储墙”的问题。该结构与传感器部分结合,可以实现超高速、超低功耗的运算能力。SRAM存储器相较于其他存储器在速度方面具有较大优势,主要体现在该架构能够实现较高的能效比,在精度增强后可以保证较高精度,适用于低功耗高性能要求下的大算力场景设计。该文调研了近几年来关于感存算一体化的研究,介绍了传统感知系统和持续感知系统及感算共融系统,并介绍了基于SRAM存储器的感存算一体芯片最常见的几种计算单元结构,在电压域、电荷域和数字域考察了基于SRAM的感存算一体的研究发展,进行分析对比其优劣势,结合调研分析讨论了该领域的未来发展方向。 展开更多
关键词 感存算一体 sram存储器 冯诺依曼计算架构
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Overview of one transistor type of hybrid organic ferroelectric non-volatile memory 被引量:3
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作者 Young Tea Chun Daping Chu 《Instrumentation》 2015年第1期65-74,共10页
Organic ferroelectric memory devices based on field effect transistors that can be configured between two stable states of on and off have been widely researched as the next generation data storage media in recent yea... Organic ferroelectric memory devices based on field effect transistors that can be configured between two stable states of on and off have been widely researched as the next generation data storage media in recent years.This emerging type of memory devices can lead to a new instrument system as a potential alternative to previous non-volatile memory building blocks in future processing units because of their numerous merits such as cost-effective process,simple structure and freedom in substrate choices.This bi-stable non-volatile memory device of information storage has been investigated using several organic or inorganic semiconductors with organic ferroelectric polymer materials.Recent progresses in this ferroelectric memory field,hybrid system have attracted a lot of attention due to their excellent device performance in comparison with that of all organic systems.In this paper,a general review of this type of ferroelectric non-volatile memory is provided,which include the device structure,organic ferroelectric materials,electrical characteristics and working principles.We also present some snapshots of our previous study on hybrid ferroelectric memories including our recent work based on zinc oxide nanowire channels. 展开更多
关键词 ORGANIC FERROELECTRIC field effect TRANSISTOR non-volatile MEMORY HYBRID
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一种面向可容错应用的低功耗SRAM架构
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作者 黄茂航 王梓霖 贺雅娟 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第1期70-74,共5页
提出了一种面向可容错应用的低功耗SRAM架构。通过对输入数据进行预编码,提出的SRAM架构实现了以较小的精度损失降低SRAM电路功耗。设计了一种单端的8管SRAM单元。该8管单元采用读缓冲结构,提升了读稳定性。采用打破反馈环技术,提升了... 提出了一种面向可容错应用的低功耗SRAM架构。通过对输入数据进行预编码,提出的SRAM架构实现了以较小的精度损失降低SRAM电路功耗。设计了一种单端的8管SRAM单元。该8管单元采用读缓冲结构,提升了读稳定性。采用打破反馈环技术,提升了写能力。以该8管单元作为存储单元的近似SRAM电路能够在超低压下稳定工作。在40 nm CMOS工艺下对电路进行仿真。结果表明,该8管单元具有良好的稳定性和极低的功耗。因此,以该8管单元作为存储单元的近似SRAM电路具有非常低的功耗。在0.5 V电源电压和相同工作频率下,该近似SRAM电路的功耗比采用传统6管单元的SRAM电路功耗降低了59.86%。 展开更多
关键词 sram 近似 编码 超低压
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Formation of high density TiN nanocrystals and its application in non-volatile memories
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作者 李学林 冯顺山 陈国光 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2008年第3期1070-1077,共8页
Non-volatile memory based on TiN nanocrystal (TiN-NC) charge storage nodes embedded in SiO2 has been fabricated and its electrical properties have been measured. It was found that the density and size distribution o... Non-volatile memory based on TiN nanocrystal (TiN-NC) charge storage nodes embedded in SiO2 has been fabricated and its electrical properties have been measured. It was found that the density and size distribution of TiN-NCs can be controlled by annealing temperature. The formation of well separated crystalline TiN nano-dots with an average size of 5 nm is confirmed by transmission electron microscopy and x-ray diffraction, x-ray photoelectron spectroscopy confirms the existence of a transition layer of TiNxOy/SiON oxide between TiN-NC and SiO2, which reduces the barrier height of tunnel oxide and thereby enhances programming/erasing speed. The memory device shows a memory window of 2.5V and an endurance cycle throughout 10^5. Its charging mechanism, which is interpreted from the analysis of programming speed (dVth/dt) and the gate leakage versus voltage characteristics (Ig vs Vg), has been explained by direct tunnelling for tunnel oxide and Fowler Nordheim tunnelling for control oxide at programming voltages lower than 9V, and by Fowler-Nordheim tunnelling for both the oxides at programming voltages higher than 9V. 展开更多
关键词 TiN nanocrystal SIZE DENSITY non-volatile memory application
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