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improvement of electrical properties of Cu/SiCOH low-k film integrated system by O2 plasma treatment
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作者 钱晓梅 卫永霞 +3 位作者 俞笑竹 叶超 宁兆元 梁荣庆 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第2期524-528,共5页
This paper investigates the effect of O2 plasma treatment on the electric property of Cu/SiCOH low dielectric constant (low-k) film integrated structure. The results show that the leakage current of Cu/SiCOH low-k i... This paper investigates the effect of O2 plasma treatment on the electric property of Cu/SiCOH low dielectric constant (low-k) film integrated structure. The results show that the leakage current of Cu/SiCOH low-k integrated structure can be reduced obviously at the expense of a slight increase in dielectric constant k of SiCOH films. Bythe Fourier transform infrared (FTIR) analysis on the bonding configurations of SiCOH films treated by O2 plasmar it is found that the decrease of leakage current is related to the increase of Si-O cages originating from the linkage of Si dangling bonds through O, which makes the open pores sealed and reduces the diffusion of Cu to pores. 展开更多
关键词 porous SiCOH film o2 plasma treatment electrical property
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Effects of O_2 Plasma Treatment on the Chemical and Electric Properties of Low-k SiOF Films
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作者 Pengfei WANG, Shijin DING, Wei ZHANG and Jitao WANG Dept.of Electronic Engineering., Fudan University, Shanghai 200433, China W. W.Lee Taiwan Semiconductor Manuf. Co., Taiwan, China 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2001年第6期643-645,共3页
With the progress of ULSI technology, materials with low dielectric constant are required to replace SiO2 film as the interlayer to scale down the interconnection delay. Fluorinated Si oxide thin films (SiOF) are a pr... With the progress of ULSI technology, materials with low dielectric constant are required to replace SiO2 film as the interlayer to scale down the interconnection delay. Fluorinated Si oxide thin films (SiOF) are a promising material for the low dielectric constant and the process compatibility in existing technology. However, SiOF films are liable to absorb moisture when exposed to air. By treating the SiOF films with O-2 plasma, it was found that the moisture resistibility of SiOF films was remarkably improved. The mechanism of the improvement in stability of dielectric constant was investigated. The results show that: 1) F atoms dissociated from the films and the bond angle of Si-O-Si decreased. 2) The plasma treatment enhanced the strength of Si-F bonds by removing unstable =SiF2 structures in the films. Resistibility of SiOF films in moisture was improved. 展开更多
关键词 Effects of o2 plasma treatment on the Chemical and Electric Properties of Low-k SiOF Films Si mode FWHM
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PMMA人工晶状体表面的CF4/O2等离子体修饰 被引量:3
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作者 张丽华 吴迪 +3 位作者 陈亚芍 李雪娇 赵宝明 黄长征 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1854-1858,共5页
为了改善聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)人工晶状体的生物相容性和透光性,采用CF4/O2等离子体技术修饰其表面.通过衰减全反射红外光谱(ATR-FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)、静态接触角(CA)测定、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见近红外光谱(UV-Vis... 为了改善聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)人工晶状体的生物相容性和透光性,采用CF4/O2等离子体技术修饰其表面.通过衰减全反射红外光谱(ATR-FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)、静态接触角(CA)测定、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见近红外光谱(UV-Vis)等方法进行表征,结果表明,经CF4/O2等离子体处理后,PMMA表面的含氟和含氧基团增加,其表面的亲水性增强,生物相容性改善,紫外光的隔离效率增大.因此,通过CF4/O2等离子体修饰能够有效地改善PMMA人工晶状体的性质. 展开更多
关键词 PMMA人工晶状体 CF4/o2 等离子体处理 生物相容性 透光性
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氧气等离子体处理提升InZnO材料及TFT电学性能和稳定性研究
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作者 黄传鑫 辛纪英 +4 位作者 田中俊 王猛 吕凯凯 梁兰菊 刘云云 《真空》 CAS 2023年第4期24-28,共5页
氧化物薄膜晶体管(TFT)是有源矩阵有机发光二极管的核心驱动元件,是现今开发新型显示器的关键技术,在平板显示方面具有广阔的应用前景。但氧化物半导体中存在大量由氧空位引起的缺陷态,从而影响了TFT器件的性能及稳定性,成为其商业化进... 氧化物薄膜晶体管(TFT)是有源矩阵有机发光二极管的核心驱动元件,是现今开发新型显示器的关键技术,在平板显示方面具有广阔的应用前景。但氧化物半导体中存在大量由氧空位引起的缺陷态,从而影响了TFT器件的性能及稳定性,成为其商业化进程的瓶颈。本文通过磁控溅射方法制备了IZO TFT,并将其进行O2等离子体处理,研究了离子体处理对IZO薄膜及TFT性能的影响。结果表明:O2等离子体处理后IZO TFT迁移率由8.2cm^(2)/(V·s)提高到9.5cm^(2)/(V·s),阈值电压由-3.2V减小到-5.1V,亚阈值摆幅由0.45V/decade减小到0.38V/decade,开关比由2.3×10^(7)提高到4.4×10^(7);在光照负偏压下,器件的阈值电压漂移量从7.1V降低到3.2V;在100℃老化条件下,器件的阈值电压漂移量从12.5V降低到6.4V;O2等离子体处理可以有效提高IZO TFT的电学性能和稳定性。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 磁控溅射 o2等离子体处理 缺陷态 稳定性
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用氧等离子体处理改善竹地板胶合性能 被引量:17
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作者 黄河浪 卢晓宁 +2 位作者 薛丽丹 曾志高 梁星宇 《浙江林学院学报》 CSCD 北大核心 2006年第5期486-490,共5页
为了解氧等离子体处理对竹材表面性能的影响,用表面润湿角测定评估竹材表面润湿性,通过测试竹地板的胶层剪切强度了解竹材胶合性能的变化。结果表明:竹材经过氧等离子体处理后,表面润湿角有较大减小,尤其是带有竹青和竹黄的竹片,润湿角... 为了解氧等离子体处理对竹材表面性能的影响,用表面润湿角测定评估竹材表面润湿性,通过测试竹地板的胶层剪切强度了解竹材胶合性能的变化。结果表明:竹材经过氧等离子体处理后,表面润湿角有较大减小,尤其是带有竹青和竹黄的竹片,润湿角从原来的76.5°降到36.0°,同时胶合强度提高33%。更重要的是竹地板的胶合强度变异系数从原来的39.0%降到9.8%,对于无竹青和竹黄的竹地板尽管胶合强度没有明显增加,但变异系数有显著的降低。因此,竹材经氧等离子体处理后,表面特性改善,压制的竹地板质量稳定性提高。 展开更多
关键词 林业工程 竹地板 氧等离子体处理 胶合强度 变异系数
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聚羟基烷酸酯薄膜的亲水性改性 被引量:6
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作者 卢玲 王迎军 +1 位作者 郑裕东 吴刚 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期22-25,共4页
分别采用氧等离子体方法和碱性条件下水解的方法对新型生物高分子3-羟基丁酸和3-羟基戊酸共聚物(PHBV)薄膜进行改性处理,以改善其亲水性和细胞亲和性。采用XPS考察了改性前后薄膜表面的组成、元素化学状态,用SEM观察了表面形貌变化,并... 分别采用氧等离子体方法和碱性条件下水解的方法对新型生物高分子3-羟基丁酸和3-羟基戊酸共聚物(PHBV)薄膜进行改性处理,以改善其亲水性和细胞亲和性。采用XPS考察了改性前后薄膜表面的组成、元素化学状态,用SEM观察了表面形貌变化,并考察了犬骨髓基质细胞在其上的生长情况。结果表明,经等离子体和水解改性后PHBV薄膜表面的氧含量分别增加了5.3%和2.5%,水接触角分别减小了36°和 16.7°,表明材料表面的亲水性增强。在氧等离子体处理后分别有1.5%和3.5%的C-O和C-C发生断裂, 生成亲水的羧基,而在碱性溶液中则发生酯键的水解。改性后的PHBV薄膜更有利于细胞的生长,尤以采用氧等离子体处理的效果更为明显。研究结果为进一步的表面改性修饰以及制备细胞亲和性好的PHBV三维支架打下良好基础。 展开更多
关键词 PHBV 氧等离子体 水解 亲水性
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