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Ta_2O_5-PMMA复合栅绝缘层对OFETs性能的影响(英文) 被引量:1
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作者 石晓东 王伟 +2 位作者 李春静 任利鹏 尹强 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期70-75,共6页
选用五氧化二钽(Ta_2O_5)-聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)复合材料作为栅绝缘层制备了并五苯有机场效应晶体管(OFETs)。通过在Ta_2O_5表面旋涂一层PMMA可以降低栅绝缘层的表面粗糙度,增大其场效应晶体管的迁移率。研究了厚度在20~60 nm范围内的... 选用五氧化二钽(Ta_2O_5)-聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)复合材料作为栅绝缘层制备了并五苯有机场效应晶体管(OFETs)。通过在Ta_2O_5表面旋涂一层PMMA可以降低栅绝缘层的表面粗糙度,增大其场效应晶体管的迁移率。研究了厚度在20~60 nm范围内的PMMA对复合绝缘层表面形貌、粗糙度以及器件电学性能的影响。结果表明,当PMMA厚度为40 nm时,器件的电学性能最佳。与单一的Ta_2O_5栅绝缘层器件相比,其场效迁移率由4.2×10^(-2)cm^2/(V·s)提高到0.31 cm^2/(V·s);栅电压增加到-20 V时,开关电流比由2.9×10~2增大到2.9×10~5。 展开更多
关键词 Ta2O5-PMMA 绝缘层 ofets 迁移率 开关电流比
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高性能柔性OFET器件最新进展研究 被引量:2
2
作者 陈卉 文毅 《科技视界》 2017年第11期41-42,共2页
有机场效应晶体管,因其质轻价廉且与柔性衬底兼容等优点,广泛应用于传感器阵列,平板显示器和射频识别等许多领域。为了获得迁移率高、空气稳定性好、机械柔韧性佳的高性能柔性OFET,本文以对器件性能影响较为显著的关键因素为出发点,阐... 有机场效应晶体管,因其质轻价廉且与柔性衬底兼容等优点,广泛应用于传感器阵列,平板显示器和射频识别等许多领域。为了获得迁移率高、空气稳定性好、机械柔韧性佳的高性能柔性OFET,本文以对器件性能影响较为显著的关键因素为出发点,阐述了柔性OFET器件衬底材料、绝缘层材料、电极材料及制备工艺的最新进展情况。结果表明,全有机柔性OFET器件具备低压操作,良好电荷捕获能力,弯曲时器件特性稳定等优点,适合大规模商业化使用。 展开更多
关键词 柔性ofet 丝蚕蛋白 交联 高介电常数 微图形 紫外线照射
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新型电极材料在N型OFET中的应用
3
作者 刘浩坤 梁强兵 +6 位作者 郝阳 张叶 李战峰 冀婷 李国辉 郝玉英 崔艳霞 《电子技术应用》 2022年第5期12-20,共9页
相比于无机场效应晶体管,有机场效应晶体管(OFET)具有制备工艺简单、成本低、柔性、透明等优点,在柔性电子产品、可穿戴器件等领域中有广泛用途。电极作为OFET器件的一个重要组成部分,其影响OFET器件的整体性能。为了提升电极性能,一方... 相比于无机场效应晶体管,有机场效应晶体管(OFET)具有制备工艺简单、成本低、柔性、透明等优点,在柔性电子产品、可穿戴器件等领域中有广泛用途。电极作为OFET器件的一个重要组成部分,其影响OFET器件的整体性能。为了提升电极性能,一方面可以对金属电极进行修饰,另一方面可以使用聚合物等新材料来制作OFET电极。围绕新型电极材料在N型OFET中的应用展开综述。首先,介绍OFET的一般器件结构。接着依次介绍了修饰金属电极、聚合物电极、碳基电极、无机化合物电极和纳米线电极的N型OFET进展。最后,总结全文,并对OFET新型电极材料的未来发展做出了展望。 展开更多
关键词 N型有机场效应晶体管 电极 金属电极 聚合物电极
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基于双绝缘层低电压n-型OFET的研制 被引量:3
4
作者 周建林 张福甲 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1602-1605,共4页
采用顶接触结构研制了以Ta2O5/PMMA为绝缘层,有机材料PTCDI-C12为有源层的低电压n型有机场效应晶体管。其中Ta2O5薄膜采用阳极氧化方法制备,PMMA薄膜通过溶液旋涂法制备。与基于单一Ta2O5绝缘层的器件相比,双绝缘层器件的电学性能大幅... 采用顶接触结构研制了以Ta2O5/PMMA为绝缘层,有机材料PTCDI-C12为有源层的低电压n型有机场效应晶体管。其中Ta2O5薄膜采用阳极氧化方法制备,PMMA薄膜通过溶液旋涂法制备。与基于单一Ta2O5绝缘层的器件相比,双绝缘层器件的电学性能大幅提高。经测试得到器件场效应电子迁移率为0.063 cm2/Vs,开关电流比为1.7×104,阈值电压为2.3 V。 展开更多
关键词 有机场效应晶体管(ofet) 双绝缘层 PTCDI-Cl2 N型
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Design of basic digital circuit blocks based on an OFET device charge model
5
作者 沈澍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2013年第5期110-114,共5页
An OFET charge model, as well as its parameter extraction method are presented. The fitting results are also discussed and different OFET model characters are compared. Some basic OFET based digital circuit blocks, in... An OFET charge model, as well as its parameter extraction method are presented. The fitting results are also discussed and different OFET model characters are compared. Some basic OFET based digital circuit blocks, including the inverter, NAND, and ring oscillator are also developed, which would be considered to be helpful to the design of relevant applications. 展开更多
关键词 ofet SPICE ADS inverter NAND ring oscillator
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Extracting Parameters of OFET Before and After Threshold Voltage Using Genetic Algorithms
6
作者 Imad Benacer Zohir Dibi 《International Journal of Automation and computing》 EI CSCD 2016年第4期382-391,共10页
This paper presents a compact analytical model for the organic field-effect transistors (OFETs), which describes two main aspects, the first one is related to the behavior in above threshold regime, while the other ... This paper presents a compact analytical model for the organic field-effect transistors (OFETs), which describes two main aspects, the first one is related to the behavior in above threshold regime, while the other corresponds to the below threshold regime. The total drain current in the OFET device is calculated as the sum of two components, with the inclusion of a smooth transition function in order to take into account both regions using a single expression. A genetic algorithm based approach (GA) is investigated as a parameter extraction tool in the case of the compact OFET model to find the parameters' values from experimental data such as: mobility enhancement factor % threshold voltage VTh, subthreshold swing S, channel length modulation A, and knee region sharpness m. The comparison of the developed current model with the experimental data shows a good agreement in terms of the transfer and the output characteristics. Therefore, the GA based approach can be considered as a competitive candidate compared to the direct method. 展开更多
关键词 Organic field effect transistor ofet compact model parameter extraction genetic algorithm (GA) threshold regime.
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Expanding the potential of biosensors:a review on organic field effect transistor(OFET)and organic electrochemical transistor(OECT)biosensors
7
作者 Yue Niu Ze Qin +3 位作者 Ying Zhang Chao Chen Sha Liu Hu Chen 《Materials Futures》 2023年第4期99-113,共15页
Organic electronics have gained significant attention in the field of biosensors owing to their immense potential for economical,lightweight,and adaptable sensing devices.This review explores the potential of organic ... Organic electronics have gained significant attention in the field of biosensors owing to their immense potential for economical,lightweight,and adaptable sensing devices.This review explores the potential of organic electronics-based biosensors as a revolutionary technology for biosensing applications.The focus is on two types of organic biosensors:organic field effect transistor(OFET)and organic electrochemical transistor(OECT)biosensors.OFET biosensors have found extensive application in glucose,DNA,enzyme,ion,and gas sensing applications,but suffer from limitations related to low sensitivity and selectivity.On the other hand,OECT biosensors have shown superior performance in sensitivity,selectivity,and signal-to-noise ratio,owing to their unique mechanism of operation,which involves the modulation of electrolyte concentration to regulate the conductivity of the active layer.Recent advancements in OECT biosensors have demonstrated their potential for biomedical and environmental sensing,including the detection of neurotransmitters,bacteria,and heavy metals.Overall,the future directions of OFET and OECT biosensors involve overcoming these challenges and developing advanced devices with improved sensitivity,selectivity,reproducibility,and stability.The potential applications span diverse fields including human health,food analysis,and environment monitoring.Continued research and development in organic biosensors hold great promise for significant advancements in sensing technology,opening up new possibilities for biomedical and environmental applications. 展开更多
关键词 BIOSENSOR ofet OECT
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基于有机场效应晶体管的可穿戴柔性监测设备在生物医学领域的研究现状 被引量:1
8
作者 郭恺 唐翠芝 +5 位作者 孙博 肖端强 刘元标 焦恩祥 巩杰 张海军 《医疗卫生装备》 CAS 2024年第1期93-100,共8页
介绍了基于有机场效应晶体管(organic field effect transistor,OFET)技术的柔性半导体器件的工作原理和发展概况,综述了基于OFET的生物力学监测设备、文身生物监测设备、细胞检测设备等可穿戴柔性监测设备的研究现状,分析了基于OFET的... 介绍了基于有机场效应晶体管(organic field effect transistor,OFET)技术的柔性半导体器件的工作原理和发展概况,综述了基于OFET的生物力学监测设备、文身生物监测设备、细胞检测设备等可穿戴柔性监测设备的研究现状,分析了基于OFET的可穿戴柔性监测设备存在的不足,指出了微型化、个性化、多元化等是未来基于OFET的可穿戴柔性监测设备的发展方向。 展开更多
关键词 ofet 可穿戴柔性监测设备 生物医学 生物力学监测设备 文身生物监测设备 细胞检测设备
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并五苯薄膜的AFM及XRD研究 被引量:2
9
作者 陶春兰 张旭辉 +4 位作者 董茂军 欧谷平 张福甲 刘一阳 张浩力 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期740-742,共3页
报道了以热氧化硅片为衬底,用溶液溶解和真空蒸镀两种方法制备有机半导体材料并五苯薄膜。用原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的形貌,用X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜的晶体结构,讨论了诸多因素对薄膜的影响以及两种方法制备的并五苯薄膜的相... 报道了以热氧化硅片为衬底,用溶液溶解和真空蒸镀两种方法制备有机半导体材料并五苯薄膜。用原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的形貌,用X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜的晶体结构,讨论了诸多因素对薄膜的影响以及两种方法制备的并五苯薄膜的相结构。 展开更多
关键词 并五苯薄膜 有机场效应晶体管(ofets) AFM XRD
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有机场效应晶体管最新实验研究进展 被引量:2
10
作者 谢吉鹏 马朝柱 +2 位作者 杨汀 姚博 彭应全 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第5期291-301,共11页
介绍了近两年新报道的有机半导体材料,列举了其场效应性能参数;综述了有机场效应晶体管(OFET)在器件结构上的改进,重点阐述了基于常见有机功能层材料富勒烯及其衍生物、并五苯、聚3-己基噻吩的OFET对栅介质层及有机功能层与电极的界面... 介绍了近两年新报道的有机半导体材料,列举了其场效应性能参数;综述了有机场效应晶体管(OFET)在器件结构上的改进,重点阐述了基于常见有机功能层材料富勒烯及其衍生物、并五苯、聚3-己基噻吩的OFET对栅介质层及有机功能层与电极的界面的改进,讨论了器件结构改进对OFET阈值电压、开关比、载流子迁移率的影响;介绍了衬底温度、退火处理对OF-ET性能的影响。最后,针对有机场效应晶体管研究现状,指出未来研究中应注重开发高迁移率、高薄膜稳定性的有机功能材料和高介电常数、高成膜质量的有机栅介质材料,继续优化器件结构,改进制备工艺以提高器件性能。 展开更多
关键词 有机场效应晶体管(ofet) 有机半导体材料 栅介质层 电极界面 衬底温度 退火处理
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采用真空镀膜制备的叠层结构有机场效应晶体管的研究
11
作者 赵明 李训栓 +8 位作者 宋长安 马朝柱 袁建挺 汪润生 李远飞 张光辉 郭晗 叶早晨 彭应全 《真空》 CAS 北大核心 2009年第5期18-21,共4页
本文报道了一种叠层结构有机场效应管,它有别于一般的顶接触式和底接触式结构OFET。该器件采用真空镀膜制备,以SiO2作为绝缘层,酞菁铜CuPc作为沟道层。测量出其输出特性曲线,可看见较明显的场效应特性。对器件温度特性的研究表明,漏极... 本文报道了一种叠层结构有机场效应管,它有别于一般的顶接触式和底接触式结构OFET。该器件采用真空镀膜制备,以SiO2作为绝缘层,酞菁铜CuPc作为沟道层。测量出其输出特性曲线,可看见较明显的场效应特性。对器件温度特性的研究表明,漏极电流随着温度的升高而增大。XRD分析表明,在Si/SiO2和Si/SiO2/Al两种衬底上蒸镀制备的CuPc薄膜呈多晶结构,且两种衬底上的CuPc薄膜晶粒尺度大致相等。 展开更多
关键词 真空镀膜 酞菁铜CuPc 叠层结构 有机场效应晶体管(ofet)
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基于硅钛氧化物复合薄膜的有机场效应晶体管
12
作者 胡加兴 李乐丹 王茹霞 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第12期943-947,956,共6页
研究了以硅钛氧化物复合薄膜为绝缘层、并五苯为半导体层的有机场效应晶体管(OFET),其中硅钛氧化物复合薄膜采用溶胶-凝胶法制备。采用傅里叶红外光谱仪、X射线衍射仪、原子力显微镜和扫描电子显微镜对硅钛氧化物复合薄膜进行了测试和... 研究了以硅钛氧化物复合薄膜为绝缘层、并五苯为半导体层的有机场效应晶体管(OFET),其中硅钛氧化物复合薄膜采用溶胶-凝胶法制备。采用傅里叶红外光谱仪、X射线衍射仪、原子力显微镜和扫描电子显微镜对硅钛氧化物复合薄膜进行了测试和表征。结果表明,硅钛氧化物复合薄膜中存在两种不同类型的氧化钛晶体结构(锐钛矿和金红石),具有较高的介电常数(k=9.47),在30 V偏压下漏电流密度小于1×10-9 A·cm-2。器件测试结果表明,有机场效应晶体管的载流子迁移率为0.16 cm2·V-1·s-1,开启电压为-1.9 V,亚阈值摆幅为180 mV·dec-1,开关比为1×104。高介电常数绝缘层可以有效降低有机场效应晶体管的工作电压、开启电压和亚阈值摆幅。 展开更多
关键词 硅钛氧化物复合薄膜 有机场效应晶体管(ofet) 溶胶-凝胶法 介电常数 工作电压
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Enhancing the high-temperature stability of OFETs by inducing D-A stacking in P(NDI2OD-T2) films
13
作者 Xuetao Xiao Wenhao Li +6 位作者 Qing Zhou Zeng Wu Xiaochan Zuo Rong Ma Yifei Xu Sichun Wang Yan Zhao 《Science China Materials》 2025年第1期117-124,共8页
High-temperature stability of organic field-effect transistors(OFETs)is critical to ensure its long-term reliable operation under various environmental conditions.The molecular packing of donor-acceptor(D-A)conjugated... High-temperature stability of organic field-effect transistors(OFETs)is critical to ensure its long-term reliable operation under various environmental conditions.The molecular packing of donor-acceptor(D-A)conjugated polymers is closely related to the electrical performance stability in OFETs.Herein,we choose poly[[N,N′-bis(2-octyldodecyl)-naphthalene-1,4,5,8-bis(dicarboximide)-2,6-diyl]-alt-5,5′-(2,2′-bithiophene)]as a modal system to reveal the relationship between the molecular stacking and electrical stability in high-temperature environment.The results demonstrate that the films with D-A moieties in alternate stacking have better electrical thermal stability compared to normal donor-donor(D-D)stacking.The D-A stacking configuration alternates donor and acceptor units along the out-of-plane direction,while the D-D stacking involves D-D and A-A stacking separately.The structural transition from D-D to D-A is captured at a treated temperature range of 225±250°C.Owing to the tighter packing arrangement along theπ-πand lamellar directions,the electron mobility of the D-A stacked films reaches up to 0.23 cm^(2)/V·s,a 50%increase as compared to the D-D stacking films.Furthermore,the D-A stacked films indicate superior electrical performance stability with mobility retaining 100%at 250°C during high-temperature cycling tests.This result highlights that the manipulation of conjugated polymer closely stacked structures can significantly enhance the thermal stability and durability of semiconductor devices. 展开更多
关键词 high-temperature stability D-A stacking P(NDI2OD-T2) electrical properties ofets
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基于单根酞菁铜纳米线的FET式H_2S气体传感器 被引量:2
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作者 塔力哈尔.夏依木拉提 尚志勇 +3 位作者 李文亮 彭敏 孟军霞 谢宁 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2015年第10期19-22,共4页
结合FET和一维微纳材料的优势,构筑了具有高灵敏度和低检测极限的FET式H2S气体传感器。研究结果发现,在室温条件下,器件对体积分数5×10–6至50×10–6的H2S具有良好的灵敏度和低检测极限(5×10–6)。相比于薄膜FET传感器,... 结合FET和一维微纳材料的优势,构筑了具有高灵敏度和低检测极限的FET式H2S气体传感器。研究结果发现,在室温条件下,器件对体积分数5×10–6至50×10–6的H2S具有良好的灵敏度和低检测极限(5×10–6)。相比于薄膜FET传感器,检测极限降至原来的1/20。与PMMA绝缘层比较研究结果显示:引起器件对H2S的高器件性能的原因主要归因于被暴露的导电沟道和微纳材料的性质。 展开更多
关键词 H2S ofet 微纳材料 气体绝缘层 气体传感器 纳米线 酞菁铜
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基于TiO2/PMMA复合绝缘层的并五苯场效应晶体管研究
15
作者 杨丹 《科技创新导报》 2019年第26期86-87,89,共3页
当前制备高性能、柔性半导体器件已成为光电子领域的热门研究,将高介电常数的无机材料与易成膜、柔性好的有机材料相结合制备高电容率绝缘层,是提升有机场效应晶体管性能的有效途径之一。本文采用简便的旋涂法制备了二氧化钛(TiO2)与聚... 当前制备高性能、柔性半导体器件已成为光电子领域的热门研究,将高介电常数的无机材料与易成膜、柔性好的有机材料相结合制备高电容率绝缘层,是提升有机场效应晶体管性能的有效途径之一。本文采用简便的旋涂法制备了二氧化钛(TiO2)与聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的复合绝缘薄膜,介电常数相对纯PMMA薄膜有所提升,将其作为场效应晶体管的绝缘层,加之并五苯作为有源层,得到了低制备成本,高载流子迁移率,且具可柔性加工潜质的有机场效应晶体管。 展开更多
关键词 二氧化钛(TiO2) 聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA) 绝缘层 有机场效应晶体管(ofet)
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有机半导体材料并五苯薄膜的生长 被引量:2
16
作者 吴沛 王耀 +2 位作者 庞叔鸣 徐春祥 崔一平 《电子器件》 EI CAS 2005年第1期13-15,共3页
优化有机晶体的生长工艺是获得性能优良的有机场效应管(OFET)的重要基础。以热氧化后的硅片为衬底,用真空蒸镀的方法制备了有机半导体材料并五苯薄膜,通过X射线衍射和原子力显微镜对薄膜的生长晶体结构及形貌等进行了分析,讨论了薄膜制... 优化有机晶体的生长工艺是获得性能优良的有机场效应管(OFET)的重要基础。以热氧化后的硅片为衬底,用真空蒸镀的方法制备了有机半导体材料并五苯薄膜,通过X射线衍射和原子力显微镜对薄膜的生长晶体结构及形貌等进行了分析,讨论了薄膜制备过程中的诸多因素对晶体生长的影响。 展开更多
关键词 并五苯 有机场效应管(ofet) 晶面间距
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基于降低有机场效应晶体管泄漏电流的研究进展 被引量:2
17
作者 林雪梅 李蒙蒙 +1 位作者 龙世兵 李泠 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第9期665-674,共10页
近年来,由于有机场效应晶体管(OFET)具有成本低、机械柔性优异且可大面积制备等优点成为国际研究的前沿领域之一。迄今为止,OFET的载流子迁移率已超过了非晶硅薄膜晶体管,在柔性集成电路中表现出了巨大的应用潜力。随着技术的不断改进,O... 近年来,由于有机场效应晶体管(OFET)具有成本低、机械柔性优异且可大面积制备等优点成为国际研究的前沿领域之一。迄今为止,OFET的载流子迁移率已超过了非晶硅薄膜晶体管,在柔性集成电路中表现出了巨大的应用潜力。随着技术的不断改进,OFET的工作频率不断提高。首先阐述了泄漏电流的来源;然后介绍了影响OFET静态功耗的最主要因素是栅极泄漏电流,总结了近年来降低OFET栅极泄漏电流的主要方法,如构建多层结构的栅介质、开发新型栅介质材料和交联栅介质材料;最后对降低OFET泄漏电流的方法进行了展望。 展开更多
关键词 有机场效应晶体管(ofet) 静态功耗 泄漏电流 栅介质层 界面工程
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多并苯和杂环多并苯材料研究进展 被引量:4
18
作者 傅妮娜 田波 +2 位作者 黄红艳 赵保敏 黄维 《南京邮电大学学报(自然科学版)》 北大核心 2013年第4期105-114,118,共11页
多并苯芳烃(polyacenes)是一类线性并芳香环碳氢化合物。多并苯化合物具有独特的线性π电子离域特性(linear delocalizedπ-system),是一类独特的有机半导体材料。多并苯材料由于其在有机电子学器件中的潜在应用而受到广泛的关注和研究... 多并苯芳烃(polyacenes)是一类线性并芳香环碳氢化合物。多并苯化合物具有独特的线性π电子离域特性(linear delocalizedπ-system),是一类独特的有机半导体材料。多并苯材料由于其在有机电子学器件中的潜在应用而受到广泛的关注和研究,多并苯化合物能够实现高度有序的分子堆积,因此,能够被应用于大规模功能器件中。近20年来,高性能多并苯类材料的合成及应用已取得显著进展,尤其在有机场效应晶体管(OFETs)应用领域,多并苯类材料已发展成为OFETs的主要材料。文中综述了在OFETs中多并苯和杂环多并苯分子结构对材料电学性能的影响,最后展望了多并苯和杂环多并苯的应用前景。 展开更多
关键词 多并苯芳烃 有机场效应晶体管 有机半导体 迁移率 稳定性
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基于P3HT的有机场效应晶体管及其生物传感应用研究进展
19
作者 乐杨帆 郝润芳 +3 位作者 李强 张强 冀健龙 张文栋 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2022年第6期495-504,共10页
简要介绍了基于聚(3-己基噻吩)的有机场效应晶体管(P3HT OFET)的基本概念与工作原理,对P3HT OFET的性能提升手段进行了分类归纳,主要从电极优化、P3HT有源层沉积工艺调控、介电层/P3HT界面处理、P3HT有源层掺杂和共混四个方面进行描述,... 简要介绍了基于聚(3-己基噻吩)的有机场效应晶体管(P3HT OFET)的基本概念与工作原理,对P3HT OFET的性能提升手段进行了分类归纳,主要从电极优化、P3HT有源层沉积工艺调控、介电层/P3HT界面处理、P3HT有源层掺杂和共混四个方面进行描述,并介绍了性能提升后的P3HT OFET载流子迁移率、阈值电压和电流开关比等相关性能参数。基于P3HT OFET固有的增益放大能力,可以将微弱的生物信号进行放大,归纳总结了P3HT OFET作为生物传感器用于蛋白质、HIV病毒和基因组标志物等不同生物分子检测的研究进展。最后对P3HT OFET现阶段面临的问题进行了分析,并对未来的发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 有机场效应晶体管(ofet) 聚(3-己基噻吩)(P3HT) 生物传感器 生物分子检测
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真空气相沉积生长PTCDI-C8 N型有机薄膜晶体管
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作者 苏永波 谭桂英 谭力 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2012年第2期279-282,共4页
在大气环境下N型有机薄膜晶体管(OFET)的性能不稳定,为提高晶体管在大气环境稳定性,该文分别制作了SiO2单绝缘层器件和SiO2/PMMA双绝缘层器件。采用N型新材料PTCDI-C8作为有源层,Ag作为源、漏电极,对制作的不同绝缘层的器件进行聚对二... 在大气环境下N型有机薄膜晶体管(OFET)的性能不稳定,为提高晶体管在大气环境稳定性,该文分别制作了SiO2单绝缘层器件和SiO2/PMMA双绝缘层器件。采用N型新材料PTCDI-C8作为有源层,Ag作为源、漏电极,对制作的不同绝缘层的器件进行聚对二甲苯的封装,对有源层进行形貌和晶体结构分析。并进行电流-电压(I-V)曲线测试。在相同工作电压下,双绝缘层器件比单绝缘层器件具有更大的场效应迁移率、开关电流比和更小的阈值电压。 展开更多
关键词 PTCDI-C8 有机玻璃(PMMA) SIO2 有机薄膜晶体管(ofet) 聚对二甲苯
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