GaAs基纳米线的光学性质和激射

工作在红外波段的砷化镓(GaAs)基纳米线激光器在集成光电子学中起着重要作用.在过去的十几年中,纳米线激光器领域发展迅速,但是与工作在紫外和可见波段的材料相比,由于GaAs基材料的特性,近红外激光器的实现相对困难.在本文中,我们着重介绍了GaAs基纳米线的最新进展,特别是GaAs纳米线的光学性质和激射特性.详细介绍了GaAs纳米线的生长机理,包括晶相控制和复杂结构的生长.回顾并讨论了GaAs基纳米线的光学性质的影响因素和改进方法.最后,展示了GaAs基纳米线激光器的设计及其最新进展.