变形链球菌表面蛋白V区、P区及C末端遗传多态性与龋病发生关系的研究

目的 了解变形链球菌表面蛋白 V区、P区及 C末端遗传多态性与其粘附性能的关系。方法 实验菌株选自本实验室前期工作所获得的粘附力较强和较弱的血清 c型变形链球菌临床分离株 ,提取全菌 DNA ,经PCR分别扩增表面蛋白 V区、P区编码基因 spa P- pv(2 0 6 0～ 315 7bp)、C末端编码基因 spa P- c(4 0 0 3～ 4 85 1bp)后 ,用限制性内切酶 Alu 进行限制性片段长度多态性分析。结果 两组不同粘附力的变形链球菌 (血清 c型 )临床分离株全菌 DNA扩增产物 spa P- pv经 Alu 酶切后 ,出现了两种基因型 a、b。两种基因型在不同粘附力菌株的分布不同 (P<0 .0 5 ) ,a型在低粘附力菌株中的比例高于高粘附力菌株 ,而 b型在高粘附力菌株中的比例高于低粘附力菌株。 spa P- c经 Alu 酶切后 ,共呈现两种基因型 c、d。 d型在高、低粘附力的菌株中各占 1例 ,其分布无统计学差异。结论 spa P-

H_9P_2W_(15)V_3/C催化1,4-丁二醇环化脱水制备四氢呋喃

以活性炭为载体,通过浸渍法制备了H9P2W15V3/C催化剂,对催化剂进行FT-IR表征。以催化1,4-丁二醇脱水制备四氢呋喃为探针反应,考察催化剂的酸催化性能。通过正交实验得出了最佳条件反应:w(催化剂)=3.93%(相对1,4丁二醇质量),反应温度为185～190℃,反应时间为40 min,四氢呋喃平均收率达93.30%,催化剂重复使用3次,产率仍可达90.94%。本工艺具有绿色、安全、操作简单、收率高等优点。

H9P2W15V3／C催化绿色合成对羟基苯甲酸丁酯

以活性碳为载体,通过浸渍法制备了H9P2W15V3/C催化剂,对催化剂进行Uv-Vis、FT-IR表征。以对羟基苯甲酸丁酯的合成反应为探针,考察了催化剂的催化性能。研究了磷钨钒杂多酸负载量、催化剂用量、醇酸比、反应时间和反应温度对反应的影响。通过单因素实验和正交实验确定了反应的最佳条件:杂多酸负载量为30%,催化剂用量8.7%(按反应体系总质量计算),醇酸摩尔比2∶1,反应时间3h,反应温度125℃,酯化率可达91.30%。催化重复使用5次,酯化率仍可达76.42%。

真实气体C_p-C_V值的理论分析

计算了范德瓦耳斯气体与列纳德-琼斯气体的Cp-CV理论值,并与实验值进行了对比.

ZnO/p-Si异质结的I-V及C-V特性研究

通过磁控溅射Al掺杂的ZnO陶瓷靶,在p-Si片上沉积n型电导的ZnO薄膜而制备了ZnO/p-Si异质结,并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其光电特性以及载流子输运特性与导电机理进行了研究。研究表明ZnO/p-Si异质结存在良好的整流特性与光电响应,可以广泛应用在光电探测和太阳电池等领域。由于在ZnO/p-Si异质结界面处的导带补偿与价带补偿相差太大的缘故,在正向电压超过1V时,导电机理为空间电荷限制电流导电。同时,研究表明ZnO/p-Si异质结界面存在大量界面态,可以通过减小界面态进一步提高其光电特性。

C-V法测量pn结杂质浓度分布的基本原理及应用

全面地介绍了pn结C-V测量法的基本原理、测试设备及条件。利用pn结反向偏压时的电容特性推导了有效杂质浓度随深度分布的计算公式及突变结和线性缓变结的1/(C2)-V和1/(C3)-V关系图。应用该原理计算、分析了IN5401整流二极管pn结的特性及杂质浓度的纵向分布。

An／C_（60）－Polymer／P－Si结构C－V特性

报道了利用ＰＥＣＶＤ技术在Ｐ－Ｓｉ衬底抛光面上淀积含Ｃ６０聚合物薄膜及在薄膜表面蒸金形成Ａｎ／Ｃ６０－Ｐｏｌｙｍｅｒ／Ｐ－Ｓｉ结构．通过常温及温偏处理后的不同Ｃ－Ｖ特性，推算了聚合物薄膜中的几种电荷密度和介电常数，并对经过温偏处理后Ｃ－Ｖ曲线的畸变做了讨论．

结合模糊(C+P)均值聚类和SP-V-支持向量机的TSK分类器

为获得具有模糊规则自适应约简性能和较好的泛化性能的TSK分类器,本文提出了一种结合模糊(C+P)均值聚类(FCPM)算法和SP-V-支持向量机(SVM)分类算法来构建TSK(Takagi-Sugeno-Kang)分类器的方法。该方法首先用FCPM聚类算法对训练数据进行聚类;然后根据聚类结果确定TSK分类器的模糊规则前件中的高斯隶属度函数的中心和宽度参数;最后采用成组稀疏约束SP-V-SVM算法对模糊规则后件参数进行学习,该算法不仅改善了系统的泛化性能,还使系统具有模糊规则自适应约简功能,使得系统更为紧凑。与相关算法在UCI和IDA标准数据集分类实验中的模糊规则数和分类性能对比表明:用提出的分类算法所构造的TSK分类器不仅具有较好的分类性能,而且模糊规则数少,有利于构建更为紧凑的模糊分类系统。

P(v-a)CO2/C(a-v)O2在体外循环心脏术后容量管理中的价值

目的探讨动静脉二氧化碳分压差/动静脉氧含量差[P(v-a)CO_2/C(a-v)O_2]在体外循环心脏术后容量管理中的价值。方法收集2014年1月至2015年12月行心脏手术患者126例,以容量负荷试验后氧输送(DO_2)增加≥10%的患者共94例作为研究对象,根据氧消耗(VO_2)增加是否≥10%分成VO_2有反应组56例(△VO_2≥10%)和VO_2无反应组38例(△VO_2<10%),比较血流动力学参数、乳酸、中心静脉氧饱和度(ScvO_2)、中心静脉-动脉二氧化碳分压差[P(v-a)CO_2]、P(v-a)CO_2/C(a-v)O2等指标。结果 VO_2有反应组与VO_2无反应组患者容量负荷试验前后乳酸、ScvO_2比较均无统计学差异(P>0.05);容量负荷试验前,VO_2有反应组P(v-a)CO_2、P(v-a)CO_2/C(a-v)O_2均较VO_2无反应组升高(P<0.05);VO_2有反应组容量负荷试验后P(v-a)CO_2、P(v-a)CO_2/C(a-v)O2较容量负荷试验前下降(P<0.05);VO_2无反应组容量负荷试验前后P(v-a)CO_2、P(v-a)CO_2/C(a-v)O_2比较无统计学差异(P>0.05);ROC曲线分析得出乳酸、ScvO_2对判断VO_2/DO_2依赖无价值(P>0.05);P(v-a)CO_2≥6.42mm Hg判断VO_2/DO_2依赖的AUC为0.750,其灵敏度为78.43%,特异度为72.60%(P<0.05);P(v-a)CO_2/C(a-v)O2≥1.45mm Hg/ml判断VO_2/DO_2依赖的AUC为0.965,其灵敏度为86.70%,特异度为100%(P<0.05)。结论 P(v-a)CO_2/C(a-v)O2是反映VO_2/DO_2依赖的良好指标,能有效判断组织缺氧,指导体外循环心脏术后容量负荷试验阳性患者的液体治疗。

P(v-a)CO2/C(a-v)O2在早期重症急性胰腺炎患者中的预测价值

目的探讨动静脉二氧化碳分压差/氧含量差[P(v-a)CO2/C(a-v)O2]在早期重症急性胰腺炎(severe acute pancreatitis,SAP)患者中的预后评估价值.方法自2017年8月至2018年10月连续性纳入78例SAP患者,根据患者治疗后P(v-a)CO2/C(a-v)O2是否上升分为两组,研究组(上升组,n=32例)和对照组(下降组,n=46例).比较两组一般临床资料,病程中器官功能障碍并发症发生率、临床预后及氧代谢指标,并评估氧代谢指标对患者的预测价值.结果研究组病情危重度、CT评分、胰腺坏死范围及APACHEⅡ评分明显高于对照组(P<0.05);同时病程中研究组休克、急性呼吸窘迫综合征、急性肾损伤、胰腺坏死组织感染(IPN)等并发症发生率明显高于对照组(P<0.05).且与对照组比较,研究组IPN发生更早、ICU及住院天数更长、病死率更高(P<0.05).治疗前两组P(v-a)CO2/C(a-v)O2差异无统计学意义,但研究组治疗后P(v-a)CO2/C(a-v)O2(mm Hg/mL:2.51±1.37 vs.1.91±1.29,P=0.031)以及治疗前后P(v-a)CO2和乳酸明显高于对照组(P<0.05).多因素Logistics回归分析发现,治疗前患者住院死亡危险因素为P(v-a)CO2(P=0.017)及血乳酸(P=0.021),治疗后为P(v-a)CO2(P=0.009)、P(v-a)CO2/C(a-v)O2(P=0.019)及血乳酸(P=0.023).ROC曲线提示,治疗前P(v-a)CO2对SAP死亡预测价值最高,曲线下面积为0.762,最佳诊断界值为7.69 mm Hg;治疗后P(v-a)CO2/C(a-v)O2对SAP死亡预测价值最高,曲线下面积为0.840,最佳诊断界值为2.05 mm Hg/mL.结论P(v-a)CO2/C(a-v)O2在早期SAP患者预后评估中具有良好的临床应用价值,值得临床推广.

基于连续复利因子的通货膨胀下的非线性C-V-P模型

常态下的本量利(C-V-P)模型是线性的,然而当出现显著的通货膨胀并且其影响是连续的情形时,企业的线性本量利模型将演变为非线性的.本文利用连续复利因子来测度通货膨胀对企业利润的影响,并给出一个相应的非线性模型.

论农业部门的平均利润率规律——兼谈(C+V+P+R)的经济范畴

马克思在《资本论》第三卷和《剩余价值理论》等著作中反复论证并强调了一个著名的观点:资本主义条件下的农产品不是象工业品那样按其生产价格(其构成为成本价格加平均利润)出售,而是按着高于生产价格的价值(其构成为成本价格加平均利润加地租)出售。马克思的这一观点是与其价值理论、剩余价值理论、竞争理论、平均利润理论和地租理论等有机地联系在一起的.马克思以劳动价值理论为基础,从资本主义生产的实质出发,科学地分析了资本主义工业中各个部门的利润率平均化的过程,得出了各种工业品按生产价格出售的正确结论。

基于VPMELM的滚动轴承劣化状态辨识方法

针对变量预测模型模式识别方法(VPMCD)仅仅包含几种简单数学模型的问题,所建立的预测模型不足以反映特征值之间的复杂关系;极限学习机(ELM)回归模型是一种复杂且被广泛应用的模型,其模型可以反映特征之间的相互关系。结合极限学习机回归模型和VPMCD方法的优点,提出了一种基于极限学习机的变量预测模型(VPMELM)模式识别方法,并将该方法应用于滚动轴承劣化状态实验中。实验表明,基于VPMELM的辨识方法可以有效地对滚动轴承的劣化状态进行识别。

二极管非超突变结C-V幂律分析

基于杂质浓度分布的突变结或线性缓变结模型,二极管p-n结(电)容—(电)压关系可简单地由C-V幂律描述。精密的实验测量数据显示,采用指数n=1/2或n=1/3不足以全面描述非超突变结C-V关系。通过引入杂质浓度幂函数分布规律并利用泊松方程,从而获得二极管p-n结C-V幂律通式,而指数n=1/2或n=1/3仅是新模型的特例。运用合理的数据处理技术,由一系列实验结果说明该幂律分析方法更具普适性。

n-Si/p-CuI异质结的制备及其光电特性研究

采用成本低廉的连续离子层沉积法通过在n型Si衬底上沉积γ相的多晶结构的CuI薄膜而制备了CuI/n-Si异质结。并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其光电特性、载流子输运特性及导电机理进行了研究。研究表明CuI/n-Si异质结存在良好的整流特性,由于在CuI/nSi异质结界面处的导带补偿与价带补偿相差较大,在正向电压、无光照下,导电机理为空间电荷限制电流导电,此时空穴电流主导;在光照下,异质结表现出良好的光电响应,因此可以广泛应用在光电探测和太阳电池等领域。

cBN/SiN-p异质结的电学性质研究

用射频溅射系统成功制备出 c BN/ Si N-p异质结 ,并系统研究了其电学性质。掺硫 (S)的 n型 c-BN薄膜用 1 3 .5 6MHz射频溅射系统沉积在 P型 Si(1 0 0 ) (8～ 1 5 Ω·cm)衬底上 ,靶材为 h-BN靶 (纯度达 99.99% )。溅射气体为氩气和氮气混合而成 ,固态硫 (S)通过加热蒸发混入工作气体 ,改变硫的加热温度可改变硫的掺杂剂量。为了测量异质结的电学性质 ,用真空蒸镀法在异质结表面蒸镀了 1 .5 mm× 2 .0 mm的铝电极。实验结果表明 ,c BN/ Si N-p异质结的 I-V曲线具有明显的整流特性 ,其正向导电特性的拟合结果表明异质结的电流输运符合安德森理论 ,c BN/ Si N-p异质结的 C-V曲线也和理想异质结的 C-V特性非常接近。得到的 c BN/ Si N-p异质结的自建势为 4.71 V,c-BN薄膜层中的施主浓度为 6.5 0× 1 0 1 4/ cm3。

铁电存储器1T单元C-V特性的计算机模拟

依据传统的铁电材料的P-E特性建模的方法,引入电压影响因子,得到了更为适合的P-V特性的新模型。另外,通过对P-V特性的分析、整合,从理论上得到了铁电存储器内铁电电容的C-V特性。从而系统地建立铁电存储器IT单元特性模型,该模型简单、准确、可移植性强。通过计算机模拟得到的仿真结果和现实器件特性结果相比对,验证了模型的正确性。

江苏省典型汽车涂装企业VOCs排放特征与污染控制技术

利用物料衡算和源排放测试对江苏省典型汽车涂装企业VOCs排放特征进行研究,并提出最佳治理技术。结果表明,大客车单位涂装面积VOCs排放量达到300 g/m2以上,小轿车为40~60 g/m2。苯系物是VOCs排放的重要组分,最高占比为33.2%~64.6%。乙酸丁酯、异丙醇、丁醇等醇酯类物质近年来广泛用于代替苯系物溶剂,其排放占比为29.6%~61.2%。汽车涂装行业最佳治理技术包括采用3C1B、水性免中涂等先进涂装工艺,用粉末涂料、水性涂料和高固体成分涂料等代替溶剂型涂料,从源头控制排放。采用干式漆雾分离技术、转轮浓缩吸附-蓄热式焚烧技术等先进尾气治理技术,VOCs去除率可达99%以上。

p-CuSCN/n-Si异质结的光电特性研究

采用成本廉价的连续离子层沉积法在n型Si衬底上沉积β相的六方晶体结构的CuSCN薄膜制备了p-CuSCN/n-Si异质结。并通过测试其光照下的I-V和C-V特性对其光电特性以及载流子输运特性与导电机理进行了研究。研究表明,CuSCN/n-Si异质结存在良好的整流特性;由于在p-CuSCN/n-Si异质结界面处的导带补偿与价带补偿相差较大的缘故,在正向电压,无光照下,导电机理为空间电荷限制电流导电,此时空穴电流主导;在光照下,异质结表现出良好的光电响应,因此可以广泛应用在光电探测和太阳电池等领域。

正向偏置(p)SiC/(n)GaN异质结构稳态导电特性的模拟

本文利用MATLAB数值模拟了不同晶相(6H、4H、3C)p型掺杂SiC与六方相n型掺杂GaN构成异质结构的正向稳态导电特性.讨论了(p)SiC/(n)GaN异质结构模型,分析了正向偏压、温度对异质结构内载流子分布的影响,考虑了异质结构内载流子复合率随正向偏压的变化,对比了不同温度异质结构的电容-电压特性,探究了异质结构p区及n区不同少子寿命和掺杂浓度、温度等情况下的主要电流成份与正向偏压的关系.模拟数据与文献的实验结果吻合,可指导SiC/GaN异质结构双极晶体管等器件的制造.