PCVD法制高Si钢片的研究

一般软磁硅钢含硅量小于 3 5 % ,超过此限则难于加工。为了提高硅钢的磁性 ,除通过冷轧提高硅钢织构度外 ,最有效的方法是提高钢片硅含量 ,达 6 5 %Si为最佳。由于超过 3 5 %Si含量的钢 ,无法轧制成薄片。为此用等离子体化学气相沉积方法 (thePlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition) ,在 0 1～ 0 3mm厚的普通硅钢片表面涂硅 ,再进行短时间高温扩散 ,使硅钢平均含硅量可达 6 5 % 。

PCVD法渗Si的研究

为解决硅含量超过 3.5 %的硅钢片无法轧制成薄片的矛盾 ,探讨用等离子体化学气相沉积法 (PCVD法 ) ,在 (0 .1～ 0 .3) mm厚的普通硅钢片表面涂硅 ,然后进行短时间高温扩散 ,使硅钢片平均含硅量达 6 .5 % ,磁性能达到或超过冷轧取向硅钢片性能。

PCVD法制作高硅硅钢片的研究

用等离子体化学气相沉积方法 (PCVD) ,在 0 .1～ 0 .3mm厚的普通硅钢片表面涂硅 ,再进行短时间高温扩散 ,使硅钢平均含硅量达 6 .5 % ,磁性能超过或达到冷轧取向硅钢水平。

PCVD法制6.5%Si电工钢的研究

研究了PCVD法在电工钢上沉积Si的规律及其电磁性能,探讨了处理温度对表层中Si含量影响。DW620—50电工钢经PCVD处理后磁性能得以改善,高温扩散后其铁损降低了45.2％,磁饱和强度提高了4.5％。

挤压轮表面PCVD法制备T(iCN)涂层组织与性能

通过挤压轮的失效形式分析,表面裂纹是引起其失效的主要原因。应用PCVD法对挤压轮(H13)进行表面改性处理,在其表面备制了一层T(iCN)涂层。通过扫描电镜观察T(iCN)涂层表面的形貌以及断口组织形貌,用EDS对其化学元素进行能谱分析,测试了T(iCN)涂层表面显微硬度和粗糙度。结果表明T(iCN)涂层中所含Ti元素的质量和原子百分比为最多,涂层界面结合良好,其表面硬度为1004HV,粗糙度为1.23μm,有利于改善其疲劳性能和延长使用寿命。

直流PCVD方法制备α-Si:D/H薄膜

将 Ar(95%)-SiH_4(2.5%)-D_2(2.5%)混合气体在等离子体直流正辉区用化学气相沉淀(PCVD))方法制备 a-Si:D/H 薄膜.采用双探针技术测量了混合气体等离子体参数,红外照相方法测量了反应腔壁温度.结果表明,基片支架对反应腔的等离子体有干扰,反应腔壁温度分布不均匀;基片温度高的区域薄膜沉淀速率大;加大电源功率可提高薄膜沉淀速率.