有机/无机异质结薄膜发光二极管

Thin film light-emitting diodes with organic/inorganic heterostructure in which ZnO:Zn layer was used as electron transporting and hole blocking layer, PDDOPV, Poly(2,5- Didodecyloxy-1,4 Phenylenevinylene ) was used as hole transport and emission layer have been successfully prepared. Comparing to single layer device, the luminescent efficiency of bilayer device is improved about twenty-six times, the emission spectrum’s peak wavelength shifts to short wavelength, the half width at full maximum (HWFM) widens. The improvement of luminescent efficiency is due to the insertion of ZnO:Zn layer.

具有异质结的聚合物有机薄膜电致发光器件

本文报道了由一层电子传输材料 PPQ和一层空穴传输材料 PDDOPV构成的有机聚合物异质结发光二极管的实验结果 .虽然双层器件的点亮电压高于由纯 PDDOPV构成的单层器件 ,但是它在一定电压下 ,电流密度降低了一个数量级 。

高发光亮度高效率的异质结聚合物电致发光器件

成功制备了可溶性的空穴型聚合物 PDDOPV [poly （2,5-bis （dodecyloxy）-phenylenevinylene）]与电子型聚合物 PPQ [poly（phenyl quinoxaline）]构成的异质结有机薄膜发光二极管。异质结器件的最高亮度是其本身最低亮度的106倍,是 PDDOPV单层器件的 365倍,而最高效率则是 PDDOPV单层器件的 336倍。异质结器件在正向、反向以及交流驱动下均可获得发光,但在正向和交流驱动下的发光来自PDDOPV,而反向驱动下的发光既有来自 PDDOPV的,也有来自 PPQ的。反向偏压下器件获得发光的原因是高场强使得能带高度倾斜,高度倾斜的结果使得载流子的注入势垒变得足够薄从而被载流子隧穿,从而导致载流子的注入和复合。

有机薄膜电致发光器件

将无机薄膜电致发光器件和有机薄膜电致发光器件作了一个比较，并给出了有机薄膜电致发光器件的基本结构及其功能层材料选择的依据。最后分析了一个实际制备的双层器件。

n型聚合物掺杂p型聚合物单层电致发光器件

成功制备了可溶性 n型聚合物 PPQ掺杂的可溶性 p型聚合物 PDDOPV的单层发光器件。与具有相同厚度的纯 PDDOPV的单层器件相比 ,起亮电压从 4 .5 V降低到 2 .6 V;在电压相同的条件下 ,掺杂的单层器件的电流和纯 PDDOPV的单层器件在同一个数量级 ,但亮度和发光效率均高出 1个数量级以上。在 10 V时 ,掺杂器件与未掺杂器件的电流、亮度和发光效率的比值分别是 1.95 ,30 .9和 16 .0。掺杂器件亮度和发光效率的大幅提高被归因于在 PDDOPV中掺杂 PPQ降低了少子的注入势垒 ,提高了少子注入水平。这一结果表明 ,在可溶性 p型聚合物中掺杂可溶性 n型聚合物是提高器件性能的有效方法。