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关于Linux内核可抢占性的研究 被引量:7
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作者 董晓峰 顾新 《计算机工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期82-83,143,共3页
标准Linux内核是不可抢占的,导致较大的延迟,增强内核抢占性能、降低内核响应时间,可提高系统内核对实时任务的响应能力。该文对此进行了分析和研究,阐述了减小调度器延时的两种方案:插入抢占点和可抢占内核,并仔细分析了相应的两种补... 标准Linux内核是不可抢占的,导致较大的延迟,增强内核抢占性能、降低内核响应时间,可提高系统内核对实时任务的响应能力。该文对此进行了分析和研究,阐述了减小调度器延时的两种方案:插入抢占点和可抢占内核,并仔细分析了相应的两种补丁。其中着重研究了插入抢占点的方法。最后指出了抢占内核的不足之处和今后的发展方向。 展开更多
关键词 抢占 调度器延时 进程分配延时
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正电子深能级瞬态谱在Ga As缺陷研究中的应用 被引量:4
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作者 张英杰 邓爱红 +4 位作者 幸浩洋 龙娟娟 喻菁 于鑫翔 程祥 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期586-590,共5页
本文介绍的正电子深能级瞬态谱(PDLTS)技术是结合了对固体缺陷有很高灵敏度的正电子湮没谱(PAS)和一些深能级瞬态谱(DLTS)技术而成新的实验方法.该技术能用来研究Ⅲ~Ⅴ,Ⅱ~Ⅵ族等半导体材料的缺陷特征,它的优点不仅能研究半... 本文介绍的正电子深能级瞬态谱(PDLTS)技术是结合了对固体缺陷有很高灵敏度的正电子湮没谱(PAS)和一些深能级瞬态谱(DLTS)技术而成新的实验方法.该技术能用来研究Ⅲ~Ⅴ,Ⅱ~Ⅵ族等半导体材料的缺陷特征,它的优点不仅能研究半导体材料中缺陷的电学特征而且还能够同时揭示这些电活性缺陷的微观结构信息.本文将介绍砷化镓中EL2缺陷能级的PDLTS研究,运用该技术并结合深能级Arrhenius分析,得到EL2能级值为0.82±0.02eV. 展开更多
关键词 正电子 半导体 深能级瞬态谱(DLTS) 正电子深能级瞬态谱(pdltS)
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