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载锌沸石抗菌剂的制备及其在PE薄膜中的应用 被引量:2
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作者 曾晓希 汤建新 +1 位作者 蒋佩 李福枝 《包装工程》 CAS CSCD 北大核心 2010年第13期32-35,共4页
利用锌离子制备载锌沸石抗菌剂,对影响其抗菌效果的因素进行了试验。制备了抗菌PE膜,并对薄膜的基本性能和抗菌能力进行了测试。结果表明:在反应时间为1.5 h左右,温度60℃,起始pH值4~5,锌离子浓度2 mol/L的条件下,制备的抗菌剂的抗菌... 利用锌离子制备载锌沸石抗菌剂,对影响其抗菌效果的因素进行了试验。制备了抗菌PE膜,并对薄膜的基本性能和抗菌能力进行了测试。结果表明:在反应时间为1.5 h左右,温度60℃,起始pH值4~5,锌离子浓度2 mol/L的条件下,制备的抗菌剂的抗菌性能最好;抗菌PE膜的拉伸强度、伸长率、透光率等,符合包装薄膜的标准,载锌沸石PE膜具有良好的抗菌作用。 展开更多
关键词 抗菌 pe薄膜 锌离子 沸石
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C-N化合物薄膜的PE-HFCVD合成研究
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作者 程国安 刘洪刚 +2 位作者 郑瑞廷 赵勇 刘华平 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期475-480,共6页
对等离子体增强热丝化学气相沉积 (PE HFCVD)Si衬底上合成的C N薄膜进行了研究 .利用X射线衍射 (XRD)、反射式高能电子衍射 (RHEED)、扫描电子显微镜 (SEM)等对C N薄膜的物相、形貌以及沉积层结构进行了分析 .结果证实 :在Si衬底上能形... 对等离子体增强热丝化学气相沉积 (PE HFCVD)Si衬底上合成的C N薄膜进行了研究 .利用X射线衍射 (XRD)、反射式高能电子衍射 (RHEED)、扫描电子显微镜 (SEM)等对C N薄膜的物相、形貌以及沉积层结构进行了分析 .结果证实 :在Si衬底上能形成了α C3N4 和 β C3N4 混合相 ,且气流中V(NH3)∶V(CH4 )的比值直接影响C N薄膜中混合相的含量 .由于α C3N4 和 β C3N4 相之间存在的竞相生长 ,导致晶粒很难长大 ,从而形成聚晶结构 ,每个聚晶由大量的纳米晶组成 . 展开更多
关键词 pe-HFCVD C-N化合物 薄膜
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PE薄膜电导非线性回归分析
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作者 吴宗汉 沈才康 +2 位作者 胡耀清 周玉祥 孙日俊 《应用科学学报》 CAS CSCD 1997年第3期343-347,共5页
该文对PE薄膜的电导特性的实测数据进行了非线性回归分析,得出了三种模型.分析三种模型后可得有关项的物理意义,并可得到欧姆传导、空间电荷限制电流、隧道电流及其相互间的制约作用的物理实质.
关键词 薄膜 非线性回归 电导特性 隧道电流 聚乙烯
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等离子体-热丝CVD技术制备多晶硅薄膜 被引量:4
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作者 刘丰珍 朱美芳 +3 位作者 冯勇 刘金龙 汪六九 韩一琴 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期499-503,共5页
采用热丝化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积相结合的技术制备了多晶硅薄膜 ,通过 Raman散射、XRD、吸收谱等手段研究了薄膜结构和光学性质 .结果表明 ,与单纯的热丝和等离子体技术相比 ,等离子体 -热丝CVD技术在一定条件下有助于... 采用热丝化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积相结合的技术制备了多晶硅薄膜 ,通过 Raman散射、XRD、吸收谱等手段研究了薄膜结构和光学性质 .结果表明 ,与单纯的热丝和等离子体技术相比 ,等离子体 -热丝CVD技术在一定条件下有助于薄膜的晶化和提高薄膜均匀性 .Auger谱研究表明等离子体的引入大大降低了硅化物在高温热丝表面的形成 . 展开更多
关键词 等离子体-热丝CVD 多晶硅薄膜 光学性质 薄膜结构
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常压等离子体增强化学气相沉积纳米晶TiO_2多孔薄膜的研究 被引量:3
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作者 李岩 徐绍魁 +1 位作者 徐金洲 张菁 《东华大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期108-113,共6页
采用等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)的方法及TiCl4/O2混合气体在常温常压下可制备纳米晶TiO2多孔薄膜.利用偏光显微镜分析(PM)、扫描电子显微镜分析(SEM)、高分辨透射电镜分析(HRTEM)、X光衍射分析(XRD)等检测手段,系统地对纳米晶TiO... 采用等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)的方法及TiCl4/O2混合气体在常温常压下可制备纳米晶TiO2多孔薄膜.利用偏光显微镜分析(PM)、扫描电子显微镜分析(SEM)、高分辨透射电镜分析(HRTEM)、X光衍射分析(XRD)等检测手段,系统地对纳米晶TiO2多孔膜表面形貌以及成分进行表征.研究结果表明:使用等离子体化学气相沉积方法,可以在常温常压下快速沉积纳米晶TiO2多孔薄膜,并且PE-CVD与传统的化学方法相比具有低能耗、低污染、方法简便、成本低等优点,是具有良好发展前景的纳米晶多孔薄膜制备新方法. 展开更多
关键词 等离子体增强化学气相沉积(pe-CVD) TiO2多孔薄膜 纳米晶结构
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Plasma-enhanced atomic layer deposition of Co using Co(MeCp)_2 precursor 被引量:3
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作者 Jusang Park Han-Bo-Ram Lee +5 位作者 Doyoung Kim Jaehong Yoon Clement Lansalot Julien Gatineau Henri Chevrel Hyungjun Kim 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第3期403-407,共5页
Cobalt (Co) thermal or plasma enhanced atomic layer deposition (PE-ALD) was investigated using a novel metal organic precursor, Co(MeCp)2, and NH3 or H2 or their plasma as a reactant. The growth characteristics,... Cobalt (Co) thermal or plasma enhanced atomic layer deposition (PE-ALD) was investigated using a novel metal organic precursor, Co(MeCp)2, and NH3 or H2 or their plasma as a reactant. The growth characteristics, electrical and microstructural properties were investigated. Especially, PE-ALD produced Co thin films at low growth temperature down to 100℃. Interestingly, the low temperature growth of Co films showed the formation of columnar structure at substrate temperature below 300℃. The growth characteristics and films properties of PE-ALD Co using bis(η-methylcyclopentadienyl) Co(II) (Co(MeCp)2) was compared with those of PE-ALD Co using other Cp based metal organic precursors, bis-cyclopentadienyl cobalt (II) (CoCp2) and cyclopentadienyl isopropyl acetamidinato-cobalt (Co(CpAMD)). 展开更多
关键词 pe-ALD Th-ALD cobalt metal thin films metal organic precursors
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