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PECVD工艺参数对SiO_2薄膜光学性能的影响 被引量:5
1
作者 杭凌侠 张霄 周顺 《西安工业大学学报》 CAS 2010年第2期117-120,共4页
为探索利用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Depo-sition,PECVD)技术制作光学薄膜的有效方法.以SiH4和N2O作为反应气体,通过采用M-2000UI型宽光谱变角度椭圆偏振仪对制作样片进行测试,分析了薄膜沉积过程中的... 为探索利用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Depo-sition,PECVD)技术制作光学薄膜的有效方法.以SiH4和N2O作为反应气体,通过采用M-2000UI型宽光谱变角度椭圆偏振仪对制作样片进行测试,分析了薄膜沉积过程中的不同的工艺参数对SiO2薄膜光学性能的影响.实验结果表明:在PECVD技术工作参数范围内,基底温度为350℃,射频功率为150 W,反应气压为100 Pa时,能够沉积消光系数小于10-5,沉积速率为(15±1)nm/min,折射率为(1.465±0.5)×10-4的SiO2薄膜. 展开更多
关键词 等离子体增强化学气相沉积(pecvd) 二氧化硅薄膜 工艺参数 薄膜光学特性
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PECVD淀积SiO_2薄膜工艺研究 被引量:11
2
作者 亢喆 黎威志 +1 位作者 袁凯 蒋亚东 《微处理机》 2010年第1期23-26,共4页
研究了等离子增强化学气相淀积(PECVD)制备非晶SiO2薄膜的工艺。系统地研究了反应气体流量比、射频功率、淀积腔内压强、淀积时间等工艺条件对SiO2薄膜质量的影响,采用椭偏仪测量了不同工艺条件下淀积的SiO2薄膜的厚度和折射率。根据以... 研究了等离子增强化学气相淀积(PECVD)制备非晶SiO2薄膜的工艺。系统地研究了反应气体流量比、射频功率、淀积腔内压强、淀积时间等工艺条件对SiO2薄膜质量的影响,采用椭偏仪测量了不同工艺条件下淀积的SiO2薄膜的厚度和折射率。根据以上测试结果分析了各工艺参数对SiO2薄膜淀积速率、折射率以及均匀性的影响规律,并定性讨论了其机理。找到了比较合适的制备高均匀性和典型折射率SiO2薄膜的工艺参数。 展开更多
关键词 等离子增强化学气相淀积 氧化硅 淀积速率 折射率
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PECVD SiO_2-SiN_X叠层钝化膜的研究 被引量:4
3
作者 韩培育 季静佳 +1 位作者 王振交 李果华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1549-1552,共4页
首先使用正交设计法对SiN_X和SiO_2膜的PECVD(等离子体增强化学气相沉积)特性进行了研究,分别得到了两种膜的最佳沉积条件。然后使用PECVD在P型多晶硅片发射极上沉积了SiO_2-SiN_X叠层钝化膜,并与SiN_X单层钝化膜进行比较。通过测试硅... 首先使用正交设计法对SiN_X和SiO_2膜的PECVD(等离子体增强化学气相沉积)特性进行了研究,分别得到了两种膜的最佳沉积条件。然后使用PECVD在P型多晶硅片发射极上沉积了SiO_2-SiN_X叠层钝化膜,并与SiN_X单层钝化膜进行比较。通过测试硅片在退火前后少子寿命的变化,考察了两种钝化膜对太阳电池发射极的钝化效果,结果表明SiO_2-SiN_X叠层膜具有更好的钝化效果。利用反射率测试仪测试了两种膜的反射率,其反射率曲线基本相同。最后,测量了采用该叠层膜制作的太阳电池的量子效率和电性能,其短路电流和开路电压均比采用SiN_X单层膜的电池要好,转换效率提高了0.25%。 展开更多
关键词 多晶硅 太阳电池 pecvd 氮化硅 二氧化硅 减反射 钝化
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PECVD沉积SiO_2和SiN_X对p-GaN的影响 被引量:1
4
作者 陈宇 王良臣 严丽红 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第2期214-218,共5页
在等离子增强化学气相沉积法(PECVD)沉积SiO2和SiNX掩蔽层过程中,分解等离子体中浓度较高的H原子使Mg-受主钝化,同时在p-GaN材料表面发生反应形成浅施主特性的NV+空位。高能量离子轰击造成的材料深能级缺陷增多以及沉积形成致密的SiO2和... 在等离子增强化学气相沉积法(PECVD)沉积SiO2和SiNX掩蔽层过程中,分解等离子体中浓度较高的H原子使Mg-受主钝化,同时在p-GaN材料表面发生反应形成浅施主特性的NV+空位。高能量离子轰击造成的材料深能级缺陷增多以及沉积形成致密的SiO2和SiNX材料,阻碍了H原子向外扩散,使H原子在Ni/Au电极与p-GaN的界面处聚集,造成p-GaN近表面附近区域Mg-H络合物密度的提高,空穴浓度急剧下降,导致Ni/Au透明电极I-V特性严重恶化。选择较低的射频功率(15W,13.56MHz)沉积模式,经过适当的退火,可以减小沉积SiO2过程对p-GaN的影响。 展开更多
关键词 等离子增强化学气相沉积法 sio2 SINX P-GAN I-V特性
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亚微米间距PECVD填隙工艺研究 被引量:1
5
作者 王学毅 王飞 +2 位作者 冉明 刘嵘侃 杨永晖 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第1期60-63,共4页
将半导体制造中常规的等离子增强化学气相淀积(PECVD)SiO_2工艺和等离子反应离子刻蚀(RIE)SiO_2工艺结合起来,利用三步填充法实现亚微米间距的金属间介质填充制作。此方法有效解决了常规微米级等离子增强化学气相淀积工艺填充亚微米金... 将半导体制造中常规的等离子增强化学气相淀积(PECVD)SiO_2工艺和等离子反应离子刻蚀(RIE)SiO_2工艺结合起来,利用三步填充法实现亚微米间距的金属间介质填充制作。此方法有效解决了常规微米级等离子增强化学气相淀积工艺填充亚微米金属条间隙的空洞问题。实验结果表明,在尺寸大于0.5μm的金属条间隙中没有发现介质填充的空洞问题。空洞问题的解决,使得"三步填充法"的介质填充技术在工艺中能够实用化,并应用到亚微米多层金属布线工艺当中。 展开更多
关键词 等离子增强化学气相淀积(pecvd) 二氧化硅(sio2) 反应离子刻蚀(RIE) 三步填充法 亚微米间隙 金属间介质(IMD) 空洞
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PECVD SiO_2薄膜内应力研究 被引量:16
6
作者 孙俊峰 石霞 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期397-400,共4页
研究了等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法生长SiO2薄膜的内应力。借助XP-2型台阶仪和椭偏仪测量计算了SiO2薄膜的内应力,通过改变薄膜淀积时的工艺条件,如淀积温度、气体流量、反应功率、腔体压力等,分析了这些参数对SiO2薄膜内应力的... 研究了等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法生长SiO2薄膜的内应力。借助XP-2型台阶仪和椭偏仪测量计算了SiO2薄膜的内应力,通过改变薄膜淀积时的工艺条件,如淀积温度、气体流量、反应功率、腔体压力等,分析了这些参数对SiO2薄膜内应力的影响。同时讨论了内应力产生的原因以及随工艺条件变化的机理,对工艺条件的优化有一定参考价值。 展开更多
关键词 内应力 二氧化硅薄膜 等离子增强化学气相淀积
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PECVD非晶SiO_2薄膜的红外吸收特性研究 被引量:3
7
作者 何乐年 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期76-78,共3页
用傅里叶红外吸收(FT-IR)光谱研究了等离子体化学气相沉积法(PECVD)制备的非晶SiO2薄膜(a-SiO2)的Si—O—Si键的红外吸收特性与膜厚的关系。Si—O—Si伸缩振动模在1050cm-1和1150cm... 用傅里叶红外吸收(FT-IR)光谱研究了等离子体化学气相沉积法(PECVD)制备的非晶SiO2薄膜(a-SiO2)的Si—O—Si键的红外吸收特性与膜厚的关系。Si—O—Si伸缩振动模在1050cm-1和1150cm-1附近分别有两个吸收峰,弯曲振动模在800cm-1附近有一个吸收峰。1050cm-1和1150cm-1吸收带的积分强度随着膜层的递增而增加,而800cm-1吸收带的积分强度不随膜层的递增而变化。因此我们推测薄膜密度不随膜厚而变化,1050cm-1吸收带的积分强度随着膜层的递增而增加的原因是由于1150 cm-1吸收带对1050cm-1吸收带的影响。另外,800cm-1和1050cm-1这两个吸收峰的表观吸收系数αapp被发现和膜厚d成正比:αapp=k×d。利用αapp和d的正比关系,PECVD a-SiO2的膜厚可用非破坏性的FT-IR快速方便地测定。 展开更多
关键词 非晶sio2薄膜 pecvd 红外光谱 Si-O-Si键
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基于PECVD的TSV深孔绝缘层沉积工艺优化 被引量:2
8
作者 唐伟 王文杰 +3 位作者 吴道伟 李宝霞 杜亚飞 赵鸿 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第6期492-497,共6页
研究了基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法的硅通孔(TSV)中(孔径5μm,深宽比10∶1)二氧化硅(SiO2)薄膜的生长技术。分析了低频功率、腔室压力和分步沉积次数对TSV深孔SiO2膜层覆盖率的影响。实验结果表明,深孔内底部的膜层覆盖率最... 研究了基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法的硅通孔(TSV)中(孔径5μm,深宽比10∶1)二氧化硅(SiO2)薄膜的生长技术。分析了低频功率、腔室压力和分步沉积次数对TSV深孔SiO2膜层覆盖率的影响。实验结果表明,深孔内底部的膜层覆盖率最高,孔内拐角处的膜层覆盖率最低。在低频功率为300 W、腔室压力为1.6 Torr (1 Torr=133.3 Pa)、分步沉积8次时,孔内最薄处的拐角覆盖率由2.23%提高到了4.88%,有效提高了膜层的覆盖率。最后,对膜层的击穿电压、漏电流、表面应力和沉积速率进行了检测,结果表明在保证膜层电性能基础上,将深孔SiO2薄膜的沉积速率提高到了480.075 nm/min。 展开更多
关键词 等离子体增强化学气相沉积(pecvd) 硅通孔(TSV) 二氧化硅(sio2) 覆盖率 沉积速率
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PECVD在TSV领域的应用
9
作者 李晶 《电子工业专用设备》 2014年第7期6-8,12,共4页
PECVD设备及工艺技术已在半导体前道互连工艺及TSV领域展现了其广阔的应用前景,介绍了拓荆PECVD在TSV领域的应用,展现其良好的工艺表现。
关键词 等离子体增强化学气相沉积(pecvd) 硅通孔技术(TSV) 正硅酸乙酯(TEOS) 二氧化硅薄膜(sio2)
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Plasma-enhanced Chemical Vapordeposition SiO_2 Film after Ion Implantation Induces Quantum Well Intermixing 被引量:1
10
作者 彭菊村 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2006年第4期105-107,共3页
A method of QWI ( quantum well intermixing) realizing through plasma-enhanced chemical vapordepositiom (PECVD) SiO2 film following ion implantation was investigated. PECVD 200 mn SiO2 film after 160 keV phosphorus... A method of QWI ( quantum well intermixing) realizing through plasma-enhanced chemical vapordepositiom (PECVD) SiO2 film following ion implantation was investigated. PECVD 200 mn SiO2 film after 160 keV phosphorus(P) ion implantation was performed to induce InP-based multiple-quantum-well (MQW) laser structural intermixing, annealing process was carried out at 780 ℃ for 30 seconds under N2 flue, the blue shift ofphotoluminescenee (PL) peak related to implanted dose : 1 × 10^11, 1 × 10^12, 1×10^13 ,3 × 10^13 , 7× 10^13 ion/ cm^2 is 22 nm, 65 nm, 104 nm, 109 nm, 101 nm, respectively. Under the same conditions, by comparing the blue shift of PL peak with P ion implantation only, slight differentiation between the two methods was observed, and results reveal that the defects in the implanting layers generated by ion implantation are much more than those in SiO2 film. So, the blue shift results mainly from ion implantation. However, SiO2 film also may promote the quantum well intermixing. 展开更多
关键词 quantum well intermixing P ion implantation pecvd sio2 PL blue shift
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模拟分析SiH_4和N_2O产生等离子体加强化学沉积制备SiO_2薄膜 被引量:3
11
作者 陈心园 黄建 +2 位作者 邓伟 王维 周筑文 《贵州师范学院学报》 2014年第9期75-79,共5页
通过等离子体粒子模拟实验(PIC),成功模拟了硅烷(SiH4)和笑气(N2O)的等离子体加强化学沉积(PECVD)制备SiO2薄膜的过程。模拟实验过程分析了电离后各种离子的动能、以及鞘层的空间和能量分布。分析这些物理参量,对比SiH4和N2O的等离子体... 通过等离子体粒子模拟实验(PIC),成功模拟了硅烷(SiH4)和笑气(N2O)的等离子体加强化学沉积(PECVD)制备SiO2薄膜的过程。模拟实验过程分析了电离后各种离子的动能、以及鞘层的空间和能量分布。分析这些物理参量,对比SiH4和N2O的等离子体加强化学沉积实验中的化学反应式,模拟实验结果从动能、能量空间分布的角度都能合理地解释等离子体加强化学沉积制备SiO2薄膜的实验过程,通过这些粒子模拟实验(PIC),从理论上合理地解释了使用SiH4和N2O形成SiO2薄膜的一些形成机制。 展开更多
关键词 粒子模拟实验 硅烷 笑气 二氧化硅 等离子体加强化学沉积(pecvd) sio2薄膜
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低温沉积SiO_2薄膜工艺的研究 被引量:1
12
作者 李璟文 周艺 +1 位作者 吴涛 章强 《真空与低温》 2013年第3期168-171,共4页
利用等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD)研究SiO2薄膜低温制备工艺,分析工艺条件对薄膜性能参数影响,通过调节射频功率优化薄膜应力,在150℃低温下获得接近零应力SiO2薄膜,薄膜沉积速率约为40 nm/min,片内均匀性优于3%,折射率为1.46&#... 利用等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD)研究SiO2薄膜低温制备工艺,分析工艺条件对薄膜性能参数影响,通过调节射频功率优化薄膜应力,在150℃低温下获得接近零应力SiO2薄膜,薄膜沉积速率约为40 nm/min,片内均匀性优于3%,折射率为1.46±0.003,并具有良好的附着力和抗蚀性能。由于沉积温度低,薄膜性能好,因此可以作为绝缘层或介质层,应用于柔性电子领域。 展开更多
关键词 pecvd sio2 应力附着力 柔性电子
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增强型GaN MOSFET的制备及其绝缘栅的电荷特性研究
13
作者 周桂林 张金城 +7 位作者 沈震 杨帆 姚尧 钟健 郑越 张佰君 敖金平 刘扬 《中国科技论文》 CAS 北大核心 2015年第4期420-423,共4页
采用ICP干法刻蚀和PECVD沉积技术,制备了增强型Si衬底SiO2/GaN MOS栅场效应晶体管(MOSFET)。SiO2/GaN MOSFET转移特性曲线测试中出现阈值电压不稳定现象,针对其阈值电压稳定性问题,采用正向电压偏置方法对SiO2/GaN MOSFET的绝缘栅电荷... 采用ICP干法刻蚀和PECVD沉积技术,制备了增强型Si衬底SiO2/GaN MOS栅场效应晶体管(MOSFET)。SiO2/GaN MOSFET转移特性曲线测试中出现阈值电压不稳定现象,针对其阈值电压稳定性问题,采用正向电压偏置方法对SiO2/GaN MOSFET的绝缘栅电荷特性展开研究。正向电压偏置后,器件的转移特性曲线和高频C-V特性曲线均正向偏移,研究表明:SiO2/GaN之间存在的界面态和靠近SiO2/GaN界面的SiO2内部陷阱是造成SiO2/GaN MOSFET阈值电压不稳定的原因,实验研究结果同时表明氮气1 000℃快速热退火(RTA)对SiO2内部陷阱有改善作用。 展开更多
关键词 氮化镓 二氧化硅 场效应管 等离子增强化学气相沉积 陷阱 正向偏压
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实现组件PID合格的工艺研究
14
作者 李吉 魏红军 +2 位作者 严金梅 张进臣 王尚鑫 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第5期774-776,共3页
主要研究了用在管式PECVD沉积SiO_2-Si_3N_4叠层钝化膜对电池片效率及组件PID的影响。叠层钝化膜可以通过管式PECVD工艺一次性完成。沉积SiO_2-Si_3N_4叠层膜与常规Si_3N_4膜进行对比,电池片效率可以提升0.07%,其中短路电流和开路电压... 主要研究了用在管式PECVD沉积SiO_2-Si_3N_4叠层钝化膜对电池片效率及组件PID的影响。叠层钝化膜可以通过管式PECVD工艺一次性完成。沉积SiO_2-Si_3N_4叠层膜与常规Si_3N_4膜进行对比,电池片效率可以提升0.07%,其中短路电流和开路电压提升明显。沉积SiO_2-Si_3N_4叠层膜电池的组件可以实现PID合格。 展开更多
关键词 管式pecvd sio2/Si3N4叠层膜 PID
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PECVD淀积SiO_2的应用 被引量:15
15
作者 吕文龙 罗仲梓 +1 位作者 何熙 张春权 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期33-37,共5页
研究了PECVD腔内压力、淀积温度和淀积时间等工艺条件对SiO2薄膜的结构、淀积速率和抗腐蚀性等性能的影响。结果表明,利用剥离工艺,并采用AZ5214E光刻胶作为剥离掩模成功制作了约2μm厚的包裹在金属铝柱周围的SiO2隔热掩模。
关键词 pecvd sio2 AZ5214E 剥离
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PECVDSiO_2/Si_3N_4双层膜驻极体性能
16
作者 陈治宇 吕知秋 +4 位作者 张锦文 金玉丰 李婷 田大宇 王颖 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期125-128,共4页
本文研究了在带有Cr/Au电极的玻璃衬底上利用PECVD制备的SiO2/Si3N4双层膜驻极体性能。针对这种驻极体提出了一个简单的工艺流程暴露出一部分金属电极,并在电晕注极过程中将底电极引出接地。通过实验改变电晕注极过程中的注极时间、温... 本文研究了在带有Cr/Au电极的玻璃衬底上利用PECVD制备的SiO2/Si3N4双层膜驻极体性能。针对这种驻极体提出了一个简单的工艺流程暴露出一部分金属电极,并在电晕注极过程中将底电极引出接地。通过实验改变电晕注极过程中的注极时间、温度等因素,希望得到对PECVD制备的SiO2/Si3N4双层膜驻极体性能的优化。本文证实了PECVD双层膜具备良好的驻极体性能,有望广泛应用于微器件中。 展开更多
关键词 驻极体 sio2/Si3N4双层膜 pecvd
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厚二氧化硅光波导薄膜的制备 被引量:2
17
作者 包洪涛 戴基智 +3 位作者 杨亚培 赵天卓 佟会 罗辉 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2005年第5期48-50,55,共4页
随着光通信的飞速发展,Si基SiO2平面光波导集成器件的应用更加重要和广泛。在Si基上制备高质量的厚SiO2 薄膜,是制作SiO2光波导及其集成器件的基础。本文介绍了Si基厚SiO2薄膜的几种制备方法。
关键词 光波导薄膜 二氧化硅 sio2薄膜 集成器件 平面光波导 SI基 制备方法 光通信
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A composite insulation structure for silicon-based planar neuroprobes 被引量:2
18
作者 ZHAO Hui PEI WeiHua +4 位作者 CHEN SanYuan GUI Qiang TANG RongYu GUO Kai CHEN HongDa 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2012年第9期2436-2440,共5页
Silicon-based planar neuroprobes are composed of silicon substrate,conducting layer,and insulation layers of SiO 2 or SiN membrane.The insulation layer is very important because it affects many key parameters of neupr... Silicon-based planar neuroprobes are composed of silicon substrate,conducting layer,and insulation layers of SiO 2 or SiN membrane.The insulation layer is very important because it affects many key parameters of neuprobes,like impedance,SNR(signal noise ratio),reliability,etc.Monolayer membrane of SiO 2 or SiN are not good choices for insulation layer,since defects and residual stress in these layers can induce bad passivation.In this paper a composite insulation structure is studied,with thermal SiO 2 as the lower insulation layer and with multilayer membrane composed of PECVD SiO 2 and SiN as the upper insulation layer.This structure not only solves the problem of residual stress but also ensures a good probe passivation.So it's a good choice for insulation layer of neuroprobes. 展开更多
关键词 SILICON-BASED neuroprobes insulation structure multilayer membrane stress DURABILITY PASSIVATION
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