40Gb/s WG-PIN-PD光响应速率和光/电传输速度匹配(本期作秀论文)

介绍了40Gb/s波导型PIN光探测器(40Gb/sWG-PIN-PD)和共面波导结构,估算了40Gb/s波导型光探测器的光信号响应时间和光传输速度;指出了光探测器、共面波导中心线条宽度及间隙各为6μm时,可实现光、电传播速度接近匹配。

LED光源的调制及光的接收与滤波电路的制作

本文通过对LED、PIN-PD各种参数和性能地探讨与研究,利用LED易调制的特性来做调制光源,实现了光的强度调制,使光波作为运载信息信号的工具。在光接收端使用GT101Φ2型硅光电探测器把已被调制的光信号转变成电信号,经过接收电路的放大、滤波后,可以获得相应的电信号。该电路板的实验结果和理论结果符合得很好。

PIN光电二极管电路模型的研究

本文给出一个完整的ＰＩＮ光电二极管（ＰＤ）电路模型。该模型适于在开发ＯＥＩＣ电路模拟软件中采用．它可用于直流、交流、瞬态分析．该模型的有效性通过与已报道的实验结果进行比较得到证实。

PIN光电探测器等效电路模型研究

本文给出一个新的PIN光电二极管的等效电路模型，该模型基于速率方程和微波端口特性并在TMS（TsinghuaMicrowaveSpice）中完成，可以进行线性、非线性信号分析和噪声分析。利用该模型对其非线性谐波特性进行了预测，模拟结果表明和文献数值求解结果基本一致，最后讨论了适用于金属－半导体－金属（MSM）光电二极管的修正模型．

光通信中的主流光电探测器研究

对光通信系统解复用接收部分中的关键器件——主流光电探测器进行综合比较、优缺点分析与展望.分别对PIN光电探测器,普通雪崩二极管,超晶格雪崩二极管,波导型光电探测器,振腔增强型光电探测器,金属-半导体-金属光电探测器的原理和特点做了简要概括,并做系统比较,最后对光电探测器发展前景进行展望.

INNOPAC读者PIN认证API应用实例

图书馆管理系统INNOPAC系统中提供了一个读者PIN认证API(应用程序接口),可以用于在其他系统中使用。本文将介绍如何在数字图书馆系统M etaL ib中,利用INNOPAC系统的读者PIN认证API,达到统一用户认证的效果。

单片InGaAs／InP PIN PD阵列

文章简要地介绍了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰＰＩＮＰＤ阵列的制作现状及其应用和发展趋势。

基于梯度折射率透镜的850nm光互连模块的研究

设计了波长为850 nm的4×4阵列光互连模块,利用ZEMAX软件对使用双柱面透镜和梯度折射率透镜的系统光路进行了模拟计算,通过比较,设计最终采用了对准容差更大的850nm梯度折射率透镜。利用1×4的梯度折射率透镜阵列将1×4的850 nm垂直腔表面发射激光器(VCSEL)阵列和2×4的Si探测器阵列连接起来,经对准后组装成了1×4的线列光互连模块,模块的信号电流/串扰电流比大于0.53×105。

光探测器偏压调制技术的理论研究（英文）

为了简化和改善光载无线通信系统,提出了一种光探测器偏压调制技术,利用PIN光探测器(PIN-PD)和单行载流子光探测器(UTC-PD)的输出光电流随偏压变化的特性进行调制.采用光探测器偏置调制技术,光电探测和调制可以在一个光探测器上同时实现.研究表明当入射光功率为2.93dBm时,PIN-PD在10GHz射频副载波上的调制带宽为800MHz,UTC-PD在150GHz射频副载波上的调制带宽为18.75GHz.调制带宽随入射光功率的增大而增大,当入射光功率为12.93dBm时,UTC-PD在150GHz射频副载波上的调制带宽可达25GHz.调制深度与正弦偏压调制信号的最小值有关.

基于10Gbit/s应用长波长光电二极管

设计制作了一种基于10Gbit/s应用的正照平面结构的InGaAs/InPPIN高速光电二极管.该器件带宽达到19GHz,响应度>0.75A/W,暗电流<5nA,结电容<0.15pF.组件测试表明,器件适用于高速光通信及测量系统中对1310nm和1550nm波长光的探测.

TOSA中pin背光探测器的P-I非线性特性研究

TOSA中用到的pin背光探测器是监测与控制LD前光输出特性的敏感器件,其光功率(P)和光电流(I)应具有线性关系。测试发现,不同结构和尺寸的探测器的P-I特性可能有所不同。目前普遍使用的正面进光的pin平面型光探测器,常存在某种范围的P-I非线性。分析指出,这种非线性与器件内部结构、表面接触层情况、入射光密度、外加负偏压大小和负载电阻有关;并指出,当pin-PD中pi结位置合适、外加负偏压1.5 V以上,负载电阻1 kW,LD前光入射光功率8 mW以下,则pin背光探测器的P-I非线性可忽略。