提取视震源时间函数的PLD方法及其对2005年克什米尔M_w 7.6地震的应用

通过重构用于确定视震源时间函数有效持续时间的判别函数,对提取视震源时间函数的 PLD 方法进行了改进;利用合成资料和实际资料,验证了改进后 PLD 方法的可行性和稳定性.将 PLD 方法应用于2005年克什米尔 M_w 7.6地震及具11个余震的1887条记录,在84个台站处获得了这次地震的视震源时间函数.分别平均从不同台站的 P 波、S 波、Rayleigh 波和 Love 波中得到的视震源时间函数,获取了主震的平均视震源时间函数.对视震源时间函数的分析表明,2005年克什米尔 M_w 7.6地震的持续时间大约为25 s,这是一次"急始型"地震,总体上表现为圆盘形破裂.但有迹象表明,破裂在初期有向西北方向发展的单侧传播趋势.

溅射Ga_2O_3反应自组装和脉冲激光沉积(PLD)法制备GaN薄膜

用溅射Ga2O3反应自组装和脉冲激光沉积(PLD)法分别在硅和蓝宝石衬底上制备CaN薄膜,用X射线衍射图谱(XRD)和原子力显微镜(AFM)对GaN薄膜的结构和形貌进行分析,结果表明,采用两种方法在两种衬底上均可制备出结晶较好的CaN薄膜,但硅衬底上制备的GaN薄膜的晶粒明显大于在蓝宝石衬底上制备的GaN薄膜的晶粒,进一步表明硅基溅射Ga2O3反应自组装GaN薄膜晶化程度较高.

取向对PLD法制备BiFeO_3薄膜性能的影响

以快速等离子烧结法(SPS)制备的BiFeO3块体为靶材,用激光脉冲沉积(PLD)法在不同衬底上制备了BiFeO3(100)/LaNiO3(100)/Si(100)、BiFeO3(111)/LaNiO3(111)/SrTiO3(111)、BiFeO3(110)/Pt/TiO2/SiO2/Si、BiFeO3(110)LaNiO3(110)/Pt/TiO2/SiO2/Si不同择优取向的薄膜,并对薄膜进行了XRD和SEM分析。X射线衍射结果表明,BiFeO3薄膜外延沉积在导电层衬底上,并且它们具有相同的高度取向。SEM分析表明,薄膜上的晶粒是柱状形态,表面光滑致密且颗粒分布非常均匀,晶粒的边界和尺寸也能被清晰地观察到。通过铁电铁磁性能研究,BiFeO3(111)择优取向性能最佳。SrTiO3衬底上(111)取向的BiFeO3薄膜铁电剩余极化值达到了30.3μC/cm2,漏电流为1.0×10-3 A/cm2,饱和磁化强度为20.0kA/m。

EDA技术与PLD设计课程内容与教学原则的探讨

运用最新教学研究成果，对ＥＤＡ技术与ＰＬＤ设计的课程内容和结构体系进行了前瞻性探讨，提出了完整的课程及实验教学方案，阐述了课程的培养目标和教学原则，注重创新能力与专业素质的培养，以使学生具备设计并实现现代电子系统的基本能力。课程内容充分考虑了ＥＤＡ技术与ＰＬＤ的现状和发展趋势，既要满足我国信息产业当前的紧迫需求，又与未来的发展相适应。

脉冲激光沉积法(PLD)制备InGaN薄膜的膜厚分布特征

【目的】探究脉冲激光沉积法(PLD)制备InGaN薄膜时薄膜的厚度分布规律,以便于能够改善薄膜的均匀性。【方法】在实际情况中,靶材和基片并不平行,取任一无限小面积元近似作为平行靶材时的情况来分析,研究此处各项等效参数即可得到该处的膜厚。【结果】当靶材与基片的倾斜角为0°时,靶材激光照射点处的法线与基片相交处的膜厚度最大,以该点为中心,基片两侧膜厚呈对称分布,且越远离基片中心点,膜的厚度越小;当靶材与基片的倾斜角不为0°时,基片左右两侧膜厚不对称分布,靠近靶材一侧的薄膜厚度大于远离靶材一侧的薄膜厚度,倾斜角越大,两侧膜厚的差异越大,膜厚最大的点不在基片中心处,而是偏向靠近靶材的一端,倾斜角越大,偏离越明显。靶基距增大,所形成的膜厚度均匀性提高,但与靶基距较小时相比,相同时间内沉积的膜厚度要低得多。【结论】PLD制备InGaN薄膜过程中,基片各处上的薄膜受倾斜角和靶基距的影响,厚度不均匀,存在一个厚度分布。

PLD制备的籽晶层对ZnO纳米棒形貌及性能的影响

本文研究了脉冲激光沉积法(PLD)制备的不同籽晶层对水热生长ZnO纳米棒的形貌及发光性能的影响,通过比较得出,籽晶层是获得高度取向,排列有序的ZnO纳米棒的基础。电子回旋共振(ECR)氧等离子体参与沉积,有利于获得表面均匀且光滑平整的籽晶层,进而得到形貌及结晶质量较好的ZnO纳米棒。籽晶层的厚度不仅能够改变纳米棒的疏密程度,而且还能够改善纳米棒的取向性。通过调节籽晶层的退火温度可以调节纳米棒直径的大小,恰当的籽晶层退火温度也是获得形貌优良的ZnO纳米棒的一个关键因素。

不同生长温度下Zn_(1-x)Sb_(x)O薄膜的结构与发光性能研究

采用固相反应法制备了不同比例的Sb掺杂ZnO靶材,并用脉冲激光沉积(PLD)法在Si(100)基底上制备了Zn_(1-x)Sb_(x)O薄膜。通过XRD、光致发光(PL)谱对所制薄膜进行了结构表征和性能分析,探讨了不同Sb掺杂量和不同生长温度对薄膜结晶质量和发光性能的影响。结果表明:对比纯ZnO的PL谱发现ZnSbO薄膜出现了紫外峰,且随着Sb浓度的增加,所有发光峰的强度相对增大;针对Zn_(0.98)Sb_(0.02)O薄膜,不同的基底生长温度改变了薄膜的紫外和蓝光发射强度,500℃下薄膜具有最好的结晶质量和最强的发光峰;对于500℃下生长的Zn_(0.98)Sb_(0.02)O薄膜,当激发光源波长从325nm变化到300nm,峰位红移,而且紫外峰与蓝光锋强度比由1∶3变为12∶1。据此,可以通过改变Sb掺杂量、生长温度和激发光源波长,从而制备出不同波段、不同强度的发光器件。

激光制备多层薄膜及铁电性能的研究

利用脉冲准分子激光淀积（ＰＬＤ）方法，在Ｓｉ基片上制备了ＢＩＴ／Ｓｉ〔１００〕、ＰＺＴ／ＢＩＴ／Ｓｉ〔１００〕和ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／Ｓｉ〔１００〕铁电薄膜。用ＸＲＤ分析了多层铁电薄膜的晶相结构；用Ｓａｗｙｅｒ－Ｔｏｗｅｒ电路研究了这些单层和多层铁电薄膜的铁电性能。结果表明，单层ＢＩＴ的矫顽场Ｅｃ为４ｋＶ／ｃｍ，剩余极化强度为３．４μＣ／ｃｍ２；ＰＺＴ／ＢＩＴ的矫顽场Ｅｃ为８２ｋＶ／ｃｍ，剩余极化强度Ｐｒ为３６μＣ／ｃｍ２；ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ夹层铁电薄膜的矫顽场Ｅｃ为５７ｋＶ／ｃｍ，剩余极化强度Ｐｒ为２９μＣ／ｃｍ２。

准分子激光制备多层铁电薄膜的C-V特性研究

采用脉冲准分子激光工艺,在p型Si(100)单晶基片上,成功地淀积了BIT、PZT/BIT和BIT/PZT/BIT等多层结构的铁电薄膜;采用低频阻抗分析仪,分析了它们的C-V特性曲线的记忆窗口,讨论了记忆窗口与频率的关系,记忆窗口与多层结构的关系。结果表明,三层结构铁电薄膜的C-V特性的记忆窗口优于双层和单层结构的铁电薄膜。

激光制备多层铁电薄膜的C-V保持特性研究

采用脉冲准分子激光工艺在Ｓｉ（１００）单晶基片上，成功地淀积了ＢＩＴ、ＰＺＴ／ＢＩＴ和ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ等多层结构的铁电薄膜。通过测量金属／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／Ｓｉ多层结构的非回线型Ｃ－Ｖ特性曲线、电容与保持时间的关系，发现三层ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ薄膜具有很好的电容保持特性。

EDA技术综述

EDA技术已成为现代系统设计和电子产品研制开发的有效工具,成为电子工程师应具备的基本能力,介绍EDA技术,可编程逻辑器件和硬件描述语言的基本概念,着重分析EDA技术的发展历程、主要内容和数字系统层次化设计方法及应用展望等。

LaCaSrMnO_3薄膜性能的实验研究

利用PLD方法,在倾斜LaAlO3单晶衬底上镀制了LaCaSrMnO3薄膜。对该薄膜进行了LITV信号测量,表明其LITV信号上升沿和脉冲宽度都比LCMO薄膜小,可以用来制作更快响应的光探测器件;对该薄膜进行了R-T关系测量,其金属—绝缘体转变点为313K。

脉冲准分子激光制备多层铁电薄膜的铁电性能研究

为ＦＲＡＭ、ＦＦＥＴ、ＦＤＭ的实际应用和研究提出了多层结构铁电薄膜的设计思想．采用脉冲准分子激光淀积方法实际制备了两种不同电极的ＢＩＴ／ＰＬＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ多层铁电薄膜．用Ｓａｗｙｅｒ－Ｔｏｗｅｒ电路测试了这两种薄膜的铁电性能．结果表明，多层结构铁电薄膜具有良好的铁电性能。

两种A/D转换新方法——流水并行式和流水逐次逼近比较式

提出了两种新型模数转换方法。结合时序分析 ,全面阐明了它们的转换原理。给出了转换时间 tc、比特数 n和器件内部单元数 m三者的数学表达式。对比现行的并行式、逐次逼近比较式和流水式模数转换方法 ,本文的两种新方法具有重要的优良特性。基于第一种新方法的流水并行式ADC电路 ,其 m和 n的关系优于并行式 ADC,并且比流水式 ADC易于实现。基于第二种新方法的流水逐次逼近比较式 ADC电路 ,其 tc和 n的关系优于逐次逼近比较式 ADC,并且比流水式 ADC易于实现。

脉冲激光沉积Ge-Ga-S-CdS非晶薄膜

采用脉冲激光沉积(PLD)法在载玻片上沉积了Ge-Ga-S-CdS硫系非晶薄膜,利用XRD、分光光度计、扫描电镜、XPS等现代测试手段,研究薄膜的结晶形态、光学性质和成分。结果发现,利用脉冲激光沉积方法获得了可见光透过率为80%、光学质量优良、厚度均匀、没有明显缺陷的Ge-Ga-S-CdS硫系非晶薄膜,XPS光电子能谱结果显示薄膜成分与靶材的成分存在微小的偏差。

籽晶层退火温度对ZnO纳米棒形貌及发光特性的影响

以不同退火温度处理后的ZnO籽晶层为基底,采用水热法生长了ZnO纳米棒阵列。对制备得到的ZnO纳米棒阵列的形貌、结构以及发光特性进行了表征,分析了籽晶层的退火温度对ZnO纳米棒阵列的形貌及发光性质的影响,发现通过调节籽晶层的退火温度,可以控制ZnO纳米棒的大小及密度,并发现在经400℃退火后的籽晶层上生长的ZnO纳米棒阵列形貌最佳,发光性能最优。

非晶Pr_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3薄膜的电阻开关性质

采用脉冲激光沉积法在SnO2:F(FTO)衬底上制备了非晶Pr0.7Sr0.3MnO3(PSMO)薄膜,并对具有Au/非晶PSMO/FTO三明治结构的器件进行了阻变特性测试。结果显示:在低电压范围扫描时,非晶PSMO薄膜的电流–电压(I-V)回线只在负电压区域呈现;随着电压的增加,薄膜的I-V回线出现在整个电压范围内,并在"0 V"和"–1 V"左右交叉了两次。分析表明:Poole-Frenkel(P-F)和Ohmic输运机制对非晶PSMO薄膜中的电荷输运起决定作用,包含高密度缺陷的界面态对载流子的俘获与去俘获导致了非晶PSMO薄膜的I-V特性。

准分子激光制备BIT/PLZT/BIT多层铁电薄膜的电容特性研究

采用脉冲准分子激光工艺在６３０℃（ＢＩＴ）和５３０℃（ＰＬＺＴ）条件下，分别在ｐ型Ｓｉ（１００）和ｎ型Ｓｉ（１００）单晶基片上成功地淀积了ＢＩＴ／ＰＬＺＴ／ＢＩＴ多层结构铁电薄膜，采用低频阻抗分析仪分析电容特性，结果表明在ｐ型Ｓｉ基片上ＣＶ回线是顺时针方向，而在ｎ型Ｓｉ基片上ＣＶ回线是逆时针方向，分析了它们的ＣＶ特性曲线的记忆窗口，表明多层铁电薄膜是铁电场效应管理想的栅极材料．讨论了记忆窗口与频率的关系，表明记忆窗口大小随频率改变．ＣＶ非回线表明低频下色散大些．

两种不同衬底上ZnO纳米棒的合成与表征

采用脉冲激光沉积(PLD)和水热法相结合,在Si和氧化铟锡(ITO)导电玻璃衬底上制备了ZnO纳米棒,并用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、X射线衍射仪(XRD)、光致发光(PL)和拉曼(Raman)散射对所制备的ZnO纳米棒进行表征。FE-SEM结果显示在Si衬底上生长的ZnO纳米棒覆盖密度较高,垂直性较好。XRD结果表明(002)相是ZnO纳米棒的最佳生长方向。XRD及Raman结果都揭示了ZnO的六角铅锌矿结构。PL光谱表明两种衬底生长的ZnO纳米棒均呈现出较强的紫外发射性质,两个紫外发射峰之间的红移是由于晶粒尺寸的大小以及ZnO薄膜中的应力所致。

Top-Down设计法在转发器本振置数及监测电路设计中的应用

介绍一种高效、简洁的 FPGA/ PL D设计方法—— Top- Down设计法 ,将其与传统的设计方法进行了比较 ,并对其优点进行了详细的叙述。通过基于 PL D的转发器本振置数和监测电路的设计 。