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基于PMOS器件的低压驱动电路仿真及设计
1
作者 刘洋 刘澎 岳一鹏 《电子制作》 2024年第21期92-96,共5页
本文以PMOS为核心器件,搭配不同的分立器件组合成三种不同的高边开关基本拓扑机构,经仿真分析和试验验证,功能和性能指标基本吻合,满足低压负载的驱动需求。这三种驱动电路可作为“最小硬件单元”,搭配其他功能电路如过载保护、电流反馈... 本文以PMOS为核心器件,搭配不同的分立器件组合成三种不同的高边开关基本拓扑机构,经仿真分析和试验验证,功能和性能指标基本吻合,满足低压负载的驱动需求。这三种驱动电路可作为“最小硬件单元”,搭配其他功能电路如过载保护、电流反馈等,可增强驱动电路的鲁棒性。 展开更多
关键词 pmos 低压驱动 电路仿真
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基于PMOS的自取电直流固态断路器 被引量:2
2
作者 彭宇航 王鹿军 +3 位作者 田爱娜 张晓星 吴铁洲 申喜 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期1304-1313,共10页
相比传统机械式断路器,固态断路器(solid-state circuit breaker,SSCB)以其分断速度快、不产生电弧等优点,在直流电网中得以广泛关注。然而,固态断路器基于半导体开关器件,除功率电路外还需要额外的控制和驱动电路,这部分电路工作需要... 相比传统机械式断路器,固态断路器(solid-state circuit breaker,SSCB)以其分断速度快、不产生电弧等优点,在直流电网中得以广泛关注。然而,固态断路器基于半导体开关器件,除功率电路外还需要额外的控制和驱动电路,这部分电路工作需要外接供电电源,提高了系统复杂程度,特别是在电网自身故障时,供电电源也可能不稳定,降低了固态断路器的可靠性。为此,提出了一种基于PMOS的自取电直流固态断路器,并分别通过仿真与实物样机证明了本固态断路器的可行性与有效性。实验结果表明,所提固态断路器在正常导通时,PMOS处于完全开通状态,不影响线路正常工作时的电压;在直流系统发生短路故障时,利用短路电流耦合能量在无需额外供电电源的前提下使得PMOS可靠关断,提升了系统的稳定性与可靠性,可以应用于直流微电网或者电池储能等场合,具有较好的应用前景。 展开更多
关键词 直流固态断路器 直流电网 pmos 自取电 拓扑结构 耦合能量
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基于单一PMOS差分对的轨到轨输入运算放大器设计
3
作者 杨九川 杨发顺 马奎 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2023年第6期743-749,共7页
基于国内某CMOS工艺设计了一种单一PMOS差分对的轨到轨输入、恒跨导CMOS运算放大器。输入级电路采用折叠共源共栅结构,通过体效应动态调节输入管的阈值电压扩展共模输入范围到正负电源轨,恒定共模输入范围内的跨导,自级联电流镜有源负... 基于国内某CMOS工艺设计了一种单一PMOS差分对的轨到轨输入、恒跨导CMOS运算放大器。输入级电路采用折叠共源共栅结构,通过体效应动态调节输入管的阈值电压扩展共模输入范围到正负电源轨,恒定共模输入范围内的跨导,自级联电流镜有源负载将差分输入转换为单端输出;输出级电路采用AB类结构实现轨到轨输出,线性跨导环确定输出管的静态偏置电流。在5 V电源电压,2.5 V共模电压,1 MΩ负载条件下,经Spectre仿真验证,该运算放大器开环增益为119 dB,相位裕度为58°,共模输入范围为0.0027~4.995 V,共模范围内跨导变化小于3%,实现了轨到轨输入共模范围内的跨导恒定。 展开更多
关键词 pmos差分对 轨到轨输入 恒跨导 共源共栅 体效应
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基于PMO的“软件项目管理”课程教学设计与实施
4
作者 伍延斌 史金余 +3 位作者 谢兄 曹志英 陈颖 杜佳璐 《航海教育研究》 2024年第2期26-34,44,共10页
针对“软件项目管理”课程在教学模式、教学方法和教学评价等环节存在的问题,引入项目管理办公室(PMO)管理机制设计课程教学,教学活动以软件项目实践任务为主线,在教学过程中充分发挥PMO的规范、支持、监督和评审的作用,以更好地达成课... 针对“软件项目管理”课程在教学模式、教学方法和教学评价等环节存在的问题,引入项目管理办公室(PMO)管理机制设计课程教学,教学活动以软件项目实践任务为主线,在教学过程中充分发挥PMO的规范、支持、监督和评审的作用,以更好地达成课程目标。实践证明,基于PMO的“软件项目管理”课程教学模式能显著提高教学效果,提升学生应对实际复杂工程问题的能力。 展开更多
关键词 软件项目管理 pmo(项目管理办公室) 教学设计 课程测评
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PMOS负偏压温度不稳定性的改善研究
5
作者 李冰寒 于涛易 华晓春 《集成电路应用》 2023年第4期48-51,共4页
阐述MOS器件的尺寸逐渐缩小,器件可靠性问题日益突出,特别是PMOS负偏压温度不稳定性(NBTI),逐渐成为影响器件可靠性的关键问题之一。探讨PMOS NBTI效应,设计一系列实验。结果表明,在PMOS源漏结形成过程中,增加F离子注入,以及引入拉应力... 阐述MOS器件的尺寸逐渐缩小,器件可靠性问题日益突出,特别是PMOS负偏压温度不稳定性(NBTI),逐渐成为影响器件可靠性的关键问题之一。探讨PMOS NBTI效应,设计一系列实验。结果表明,在PMOS源漏结形成过程中,增加F离子注入,以及引入拉应力的氮化硅刻蚀阻挡层,可以有效改善PMOS NBTI寿命。 展开更多
关键词 集成电路制造 pmos 负偏压温度不稳定性 工艺优化
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基于PMO模式的企业多项目管理组织优化路径
6
作者 梁贤贤 元野 吴碧嫦 《中国信息界》 2024年第3期62-64,共3页
引言 基于PMO模式的企业多项目管理能够实现项目建设与资源的有机匹配,持续提升企业项目资源的利用效率。研究多项目管理的适用性,建立有效的组织架构,为项目的实施提供组织保障。结合企业生产管理的实际情况,分析PMO的职能。在组织建设... 引言 基于PMO模式的企业多项目管理能够实现项目建设与资源的有机匹配,持续提升企业项目资源的利用效率。研究多项目管理的适用性,建立有效的组织架构,为项目的实施提供组织保障。结合企业生产管理的实际情况,分析PMO的职能。在组织建设中,首先对项目优先级进行划分,其次完善项目资源调配,并为多项目管理制定相应的保障措施。 展开更多
关键词 企业生产管理 资源调配 项目管理组织 多项目管理 pmo 优化路径 项目优先级 保障措施
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PMOS剂量计的退火特性 被引量:10
7
作者 范隆 任迪远 +2 位作者 张国强 严荣良 艾尔肯 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期383-387,共5页
研究了 PMOS剂量计在不同温度和栅偏置下的辐照退火表现 .结果表明 :温度和退火偏置条件是影响初始退火速率和退火幅度的重要因素 ,较高退火温度下 ,退火速率高 ,幅度大 ;相同退火温度下 ,正偏置与负偏置相比有加速退火的作用 ,其退火... 研究了 PMOS剂量计在不同温度和栅偏置下的辐照退火表现 .结果表明 :温度和退火偏置条件是影响初始退火速率和退火幅度的重要因素 ,较高退火温度下 ,退火速率高 ,幅度大 ;相同退火温度下 ,正偏置与负偏置相比有加速退火的作用 ,其退火幅度也较大 .在 1 80℃ ,零偏条件下获得了最快的 1 0 0 %的退火效果 ; 展开更多
关键词 辐射剂量计 pmos 辐照退火 MOS晶体管
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偏置对PMOS剂量计辐照响应的影响 被引量:8
8
作者 范隆 张国强 +2 位作者 严荣良 艾尔肯 任迪远 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期179-183,共5页
研究了不同偏置条件对PMOS探头样品辐照响应的影响.在- 1~1MV/cm 的电场范围内,获得了偏置对PMOS剂量计辐照响应灵敏度和线性度的影响规律.利用“空穴陷阱薄层(Hole Traps Sheet)”模型,结合辐射... 研究了不同偏置条件对PMOS探头样品辐照响应的影响.在- 1~1MV/cm 的电场范围内,获得了偏置对PMOS剂量计辐照响应灵敏度和线性度的影响规律.利用“空穴陷阱薄层(Hole Traps Sheet)”模型,结合辐射感生界面电荷的栅偏置电场相关性,分析了实验结果. 展开更多
关键词 剂量计 pmos 辐照响应 偏置
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pMOS场效应管的X射线和低能强电子束的瞬态电离辐照效应 被引量:5
9
作者 范隆 靳涛 +2 位作者 何承发 严荣良 沈志康 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第9期534-538,共5页
对电离辐照敏感的厚氧化层pMOS场效应管进行了X射线和低能强流电子束的瞬态辐照实验;通过对阈电压漂移的跟踪监测,研究了pMOS场效应管的瞬态电离辐照效应。运用辐射感生氧化物、界面缺陷模型并结合MOS器件寄生二极管等效... 对电离辐照敏感的厚氧化层pMOS场效应管进行了X射线和低能强流电子束的瞬态辐照实验;通过对阈电压漂移的跟踪监测,研究了pMOS场效应管的瞬态电离辐照效应。运用辐射感生氧化物、界面缺陷模型并结合MOS器件寄生二极管等效电路模型解释了实验结果。 展开更多
关键词 pmos场效应管 瞬态 X射线 电子束 电离辐照
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V_T 辐照模式 pMOS 剂量计的标定 被引量:4
10
作者 范隆 严荣良 +2 位作者 靳涛 何承发 赵元富 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第10期606-610,共5页
对辐照偏置为阈值VT的pMOS剂量计进行了60Coγ射线和6MeV电子束的辐照标定,结果表明,在不低于102Gy(Si)的剂量范围内,这种变化的负栅偏电压下工作的pMOS剂量计呈现出线性响应,其适用于空间环境的响应灵... 对辐照偏置为阈值VT的pMOS剂量计进行了60Coγ射线和6MeV电子束的辐照标定,结果表明,在不低于102Gy(Si)的剂量范围内,这种变化的负栅偏电压下工作的pMOS剂量计呈现出线性响应,其适用于空间环境的响应灵敏度为20mV/Gy(Si)。同时发现,对60Coγ射线的响应灵敏度为对6MeV电子束的1.3倍左右。对实验结果进行了分析,认为pMOS剂量计的响应灵敏度与粒子辐射的种类具有一定的依赖性,提出了剂量计对混合辐射场的标定方法。 展开更多
关键词 pmos 剂量计 电离辐照 混合场 标定 VT辐照模式
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pMOS剂量计的温度效应及其补偿探讨 被引量:3
11
作者 范隆 任迪远 +3 位作者 高文钰 郭旗 严荣良 赵元富 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期173-178,共6页
利用恒流注入法和I-V测试方法研究了用于pMOS剂量计的国产pMOSRADFET的温度效应,结合MOS晶体管阈值和电流-电压方程的理论公式推导分析了温度对阈电压、沟道载流子迁移率的影响,对“零温度系数点”从理论上进行... 利用恒流注入法和I-V测试方法研究了用于pMOS剂量计的国产pMOSRADFET的温度效应,结合MOS晶体管阈值和电流-电压方程的理论公式推导分析了温度对阈电压、沟道载流子迁移率的影响,对“零温度系数点”从理论上进行了讨论,探讨了辐照对“零温度系数点”的影响。实验结果表明,采用“零温度系数”电流作为注入的恒流来测量栅源电压能提高剂量计电压读出的精度,起到对温度补偿的作用。 展开更多
关键词 pmos 剂量计 温度效应 补偿
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PMOS辐照检测传感器 被引量:4
12
作者 陈德英 张旭 +3 位作者 姜岩峰 樊路嘉 张会珍 余艳玲 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2002年第1期3-6,共4页
比较了常用的 3种辐照剂量计 ,并详细介绍了PMOS辐照检测传感器的优点、制备工艺、工作模式。
关键词 pmos 辐照传感器 RAFET 辐射剂量计
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PMOS剂量计的剂量率效应 被引量:2
13
作者 范隆 任迪远 +3 位作者 郭旗 张国强 严荣良 陆妩 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第8期508-512,共5页
在不同剂量率的60Coγ辐照下,研究了PMOS剂量计阈值电压的响应关系。借助快速I—V亚阈分析技术,获得了辐射感生界面态对剂量率效应的贡献。结果表明,辐照响应有较明显的剂量率效应;主要表现为响应的拟合关系式△VT=KDn中幂n的变化... 在不同剂量率的60Coγ辐照下,研究了PMOS剂量计阈值电压的响应关系。借助快速I—V亚阈分析技术,获得了辐射感生界面态对剂量率效应的贡献。结果表明,辐照响应有较明显的剂量率效应;主要表现为响应的拟合关系式△VT=KDn中幂n的变化,在低剂量率区间内,n值较大,对应于辐射响应高灵敏度范围;当剂量率增大时,n值减小,响应灵敏度下降。讨论了克服剂量率效应影响其应用的办法。 展开更多
关键词 pmos 阈值响应 剂量率 剂量计 钴60 Γ辐照
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PMOSFET动态NBTI效应的研究 被引量:2
14
作者 宋芳芳 解江 +1 位作者 李斌 章晓文 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期79-83,共5页
负偏压温度不稳定性效应(NBTI)已经成为影响CMOS集成电路可靠性的一个关键因素,而动态应力条件下的NBTI效应对器件和电路的影响越来越受到关注。对PMOSFET的动态NBTI效应进行了系统介绍,讨论了动态应力条件下NBTI(DNBTI)效应和静态应力... 负偏压温度不稳定性效应(NBTI)已经成为影响CMOS集成电路可靠性的一个关键因素,而动态应力条件下的NBTI效应对器件和电路的影响越来越受到关注。对PMOSFET的动态NBTI效应进行了系统介绍,讨论了动态应力条件下NBTI(DNBTI)效应和静态应力下NBTI(SNBTI)退化机理,综述了DNBTI效应的动态恢复机制以及影响因素,最后介绍了NBTI效应对电路的影响。随着器件尺寸的日益缩小,如何提高电路的可靠性变得日益重要,进一步研究NBTI效应对电路的影响从而进行NBTI电路级可靠性设计已成为集成电路设计关注的焦点。 展开更多
关键词 pmos 动态NBTI 可靠性 恢复效应
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PMOS—2000发电市场技术支持系统概述 被引量:23
15
作者 宋燕敏 曹荣章 +6 位作者 华定中 王力科 潘久经 王立群 李建刚 陈枫 王冬明 《电力系统自动化》 EI CSCD 北大核心 2000年第4期10-13,共4页
PMOS—2000 发电市场技术支持系统是适合中国发电市场模式的技术支持系统。它具有实时市场调度功能,包括交易管理、预计划处理、实时调度计划、即时信息发布、能量管理、电能计量、结算/合同管理和电厂报价8 个子系统。在设计时充分考... PMOS—2000 发电市场技术支持系统是适合中国发电市场模式的技术支持系统。它具有实时市场调度功能,包括交易管理、预计划处理、实时调度计划、即时信息发布、能量管理、电能计量、结算/合同管理和电厂报价8 个子系统。在设计时充分考虑电力市场和计算机技术的发展,使系统具有开放性和可扩展性。 展开更多
关键词 技术支持系统 自动化 发电市场 电力工业 中国
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基于PMOS型固态功率电子开关的宇航智能配电系统研究 被引量:3
16
作者 仪德英 陈恒智 +2 位作者 于磊 王林涛 武逸然 《电子科技》 2020年第9期50-55,共6页
针对当前使用NMOS固态功率电子开关的载人航天器智能配电系统存在NOMS隔离驱动控制电路占用大量硬件资源,且不能满足能源系统自主健康管理遥测信息采集需求的问题,文中提出了一种基于PMOS固态功率电子开关构建的智能配电系统设计方案。... 针对当前使用NMOS固态功率电子开关的载人航天器智能配电系统存在NOMS隔离驱动控制电路占用大量硬件资源,且不能满足能源系统自主健康管理遥测信息采集需求的问题,文中提出了一种基于PMOS固态功率电子开关构建的智能配电系统设计方案。相对于NMOS,PMOS用于正线开关的非隔离驱动特性避免了配置隔离控制电路带来的系统资源代价问题,在简化硬件电路设计的同时获得了更多的遥测信息,解决了有限硬件资源与更多遥测参数需求的矛盾。针对SSPC负载短路保护特性带来的固态配电系统母线电压跳变问题,文中给出了提高固态配电器可靠性的辅助电路方案,可使负载短路保护故障不影响母线稳定。 展开更多
关键词 载人航天器 智能配电系统 直流配电 固态功率电子开关 pmos 自主健康管理
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表面态密度分布和源漏电阻对6H-SiC PMOS器件特性的影响 被引量:7
17
作者 郜锦侠 张义门 +1 位作者 张玉明 汤晓燕 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期408-413,共6页
建立了一个价带附近的界面态密度分布模型 ,并用该模型较好地模拟了 6 H- Si C PMOS器件的阈值电压随温度变化的趋势、C- V特性以及转移特性 .理论 C- V特性曲线是用数值解泊松方程的方法得到的 ,在解泊松方程的过程中考虑了场致离化效... 建立了一个价带附近的界面态密度分布模型 ,并用该模型较好地模拟了 6 H- Si C PMOS器件的阈值电压随温度变化的趋势、C- V特性以及转移特性 .理论 C- V特性曲线是用数值解泊松方程的方法得到的 ,在解泊松方程的过程中考虑了场致离化效应 .由于 Si C PMOS器件的源漏电阻比较大 ,因此 ,在计算强反型情况下的漏电流时 ,同时考虑了源漏电阻的影响 .结果表明 。 展开更多
关键词 表面态密度分布 源漏电阻 6H-SiCpmos 器件特性
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pMOSFET多管级联结构辐照响应特性研究 被引量:2
18
作者 范隆 郭旗 +2 位作者 任迪远 余学峰 严荣良 《核电子学与探测技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期420-423,436,共5页
p MOSFET剂量计多管级联结构电离辐射响应特性比单管能明显提高辐射响应灵敏度。多管共衬底级联与不共衬底级联灵敏度提高倍数较大。比较了多管共衬底级联结构在两种辐照偏置条件下的辐照响应差异 ,实验结果表明 ,辐照时 ,保持恒流注入... p MOSFET剂量计多管级联结构电离辐射响应特性比单管能明显提高辐射响应灵敏度。多管共衬底级联与不共衬底级联灵敏度提高倍数较大。比较了多管共衬底级联结构在两种辐照偏置条件下的辐照响应差异 ,实验结果表明 ,辐照时 ,保持恒流注入条件 ,其响应灵敏度、线性度和稳定性均高于零偏置的结果。同时 ,研究了多管级联结构完全退火后的二次辐照响应 ,结果表明 ,响应灵敏度与线性度均高于第 展开更多
关键词 pmosFET 级联结构 辐照响应 灵敏度 辐射剂量计
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PMOS总剂量监测技术的卫星应用 被引量:2
19
作者 范隆 任迪远 +4 位作者 郭旗 严荣良 朱光武 王世金 梁金宝 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期293-296,共4页
利用 PMOS剂量计技术 ,研制出国产 PMOS剂量仪 ,随“实践五号”科学实验卫星升空 ,入轨后对卫星内部进行了电离辐射总剂量监测 .取得了卫星内部的总剂量深度分布结果 .介绍了 PMOS剂量仪的原理技术和飞行结果 .与国外同类监测设备在轨... 利用 PMOS剂量计技术 ,研制出国产 PMOS剂量仪 ,随“实践五号”科学实验卫星升空 ,入轨后对卫星内部进行了电离辐射总剂量监测 .取得了卫星内部的总剂量深度分布结果 .介绍了 PMOS剂量仪的原理技术和飞行结果 .与国外同类监测设备在轨结果进行对比 ,介绍并讨论了该技术的研究发展方向和我国的空间应用展望。 展开更多
关键词 总剂量监测技术 pmos剂量计 电离辐射 卫星 空间辐射 空间环境
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界面电荷位置对短沟道pMOS器件阈值电压的影响 被引量:2
20
作者 孙瑞泽 刘毅 +2 位作者 张准 贺威 曹建民 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期369-373,共5页
通过二维数值模拟的方法,研究了短沟道器件中不同位置的界面电荷对pMOS器件阈值电压的影响。把pMOS器件栅氧化层等分成不同的区域,随即可以在不同的区域设置不同的界面电荷,从而很好地模拟了器件界面电荷处于不同位置时阈值电压漂移的... 通过二维数值模拟的方法,研究了短沟道器件中不同位置的界面电荷对pMOS器件阈值电压的影响。把pMOS器件栅氧化层等分成不同的区域,随即可以在不同的区域设置不同的界面电荷,从而很好地模拟了器件界面电荷处于不同位置时阈值电压漂移的变化情况,并同时考虑了不同漏极偏置的影响;为了探究其变化机制,还提取和比较了一些特殊情况下器件的表面势。这些研究有助于明确器件哪些位置的界面电荷对阈值电压漂移影响更大,这对深刻理解带漏极偏置的负偏压温度不稳定性效应有一定的帮助和促进。 展开更多
关键词 金属氧化物半导体场效应晶体管器件 负偏压温度不稳定性 器件模拟 界面电荷
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