PNW-PMS-PZT压电陶瓷准同型相界的压电性能研究

采用传统陶瓷工艺制备了PNW—PMS—PZT四元系压电陶瓷,分析了陶瓷样品的相结构组成,结果表明,所有陶瓷样品的相结构为纯钙钛矿相结构;研究了室温下PMS含量,PNW 含量和Zr/Ti的变化对准同型相界的影响规律,实验表明随着PMS、PNW含量和Zr/Ti的增加,材料体系逐渐由四方相向三方相过渡,获得了处于准同型相界附近的材料组成:PMS 的含量在5—6mol%、PNW的含量在2—3mol%、PZT的含量在91—93mol%、Zr/Ti的变化靠近50/50,同时具有高的机电性能.

PZN含量变化对PZT-PZN-PMS压电陶瓷相结构及性能的影响

通过熔盐法成功地合成了四元系压电陶瓷材料0.9Pb0.95Sr0.05(Zr0.52Ti0.48)O3 xPb(Zn1/3Nb2/3)O3 (0.1-x)Pb(Mn1/3Sb2/3)O3(简称PZT PZN PMS),用XRD技术分析了粉体和陶瓷的相结构,研究了不同Pb(Zn1/3Nb2/3)O3含量对该材料的机械品质因数Qm、机电耦合系数Kp、压电常数d33以及介电损耗tgδ影响.结果表明,随着PZN含量逐渐增加,Kp先增加后降低,d33逐渐增加,tgδ先减小后增加,而Qm却逐渐减小;当PZN摩尔含量为0.05时,陶瓷具有优良的压电性能.材料的主要性能参数为:Qm=1381,Kp=0.64,d33=369pC/N,tgδ=0.0044.该材料可作为大功率压电陶瓷变压器的候选材料.

PMS-PZN-PZT压电陶瓷材料的性能研究

采用传统的陶瓷制备工艺制备了PMS-PZN-PZT四元系压电陶瓷,探讨了不同烧结温度对材料性能的影响,以期获得材料的最佳制备工艺。实验结果表明,此四元系材料具有较宽的烧结温度范围;在1200℃烧结工艺条件下,材料的机电耦合系数与压电常数最大,介电损耗最小,介电常数适中。

WO_3掺杂PMS-PNN-PZT压电陶瓷的压电性能的研究

用固相反应法制备了掺杂WO3的PMS-PNN-PZT压电陶瓷,研究了WO3对PMS-PNN-PZT陶瓷的相结构与压电性能的影响。WO3的加入促进了PMS-PNN-PZT压电陶瓷的烧结致密化。掺杂0.5wt%时,在1100℃下烧结具有最佳压电性能:d33=381p C.N-1,Qm=1040,Kp=0.53,rε=1448,tanδ=0.0052。