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PNiTa-PZT三元系压电陶瓷性能
被引量:
2
1
作者
李庆利
曹建新
+2 位作者
赵丽媛
高传平
范冠锋
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期1-3,共3页
采用传统陶瓷工艺制备了0.02Pb(Ni1/3Ta2/3)O3+0.98Pb(ZrxTi1-x)O3(x=0.50-0.55,PNiTa—PZT)三元系压电陶瓷,研究了n(Zr)/n(Ti)变化对陶瓷性能的影响。结果表明:随其比值的变化,陶瓷样品均为钙钛矿结构,且对陶瓷...
采用传统陶瓷工艺制备了0.02Pb(Ni1/3Ta2/3)O3+0.98Pb(ZrxTi1-x)O3(x=0.50-0.55,PNiTa—PZT)三元系压电陶瓷,研究了n(Zr)/n(Ti)变化对陶瓷性能的影响。结果表明:随其比值的变化,陶瓷样品均为钙钛矿结构,且对陶瓷显微结构影响不大;当n(Zr)/n(Ti)为52/48时,陶瓷具有较优的压电、介电性能:kp为0.583,d33为266pC/N,tc为394℃,tanδ为0.0055,ε33^T/ε0为1297。其中tc比目前文献报道的PZT基压电材料高30-50℃,有望在高温压电陶瓷领域获得应用。
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关键词
无机非金属材料
掺杂量
pnita-pzt
居里温度
压电介电性能
下载PDF
职称材料
题名
PNiTa-PZT三元系压电陶瓷性能
被引量:
2
1
作者
李庆利
曹建新
赵丽媛
高传平
范冠锋
机构
贵州大学化学工程学院
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期1-3,共3页
基金
贵州省优秀科技教育人才省长专项基金资助项目(No.2005-111)
贵州省科技攻关计划资助项目[No.黔科合GY字(2006)3030]
文摘
采用传统陶瓷工艺制备了0.02Pb(Ni1/3Ta2/3)O3+0.98Pb(ZrxTi1-x)O3(x=0.50-0.55,PNiTa—PZT)三元系压电陶瓷,研究了n(Zr)/n(Ti)变化对陶瓷性能的影响。结果表明:随其比值的变化,陶瓷样品均为钙钛矿结构,且对陶瓷显微结构影响不大;当n(Zr)/n(Ti)为52/48时,陶瓷具有较优的压电、介电性能:kp为0.583,d33为266pC/N,tc为394℃,tanδ为0.0055,ε33^T/ε0为1297。其中tc比目前文献报道的PZT基压电材料高30-50℃,有望在高温压电陶瓷领域获得应用。
关键词
无机非金属材料
掺杂量
pnita-pzt
居里温度
压电介电性能
Keywords
non-metallic inorganic material
doping amount
pnita-pzt
Curie temperture
piezoelectric and dielectric properties
分类号
TM282 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
PNiTa-PZT三元系压电陶瓷性能
李庆利
曹建新
赵丽媛
高传平
范冠锋
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2009
2
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职称材料
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