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PNiTa-PZT三元系压电陶瓷性能 被引量:2
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作者 李庆利 曹建新 +2 位作者 赵丽媛 高传平 范冠锋 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期1-3,共3页
采用传统陶瓷工艺制备了0.02Pb(Ni1/3Ta2/3)O3+0.98Pb(ZrxTi1-x)O3(x=0.50-0.55,PNiTa—PZT)三元系压电陶瓷,研究了n(Zr)/n(Ti)变化对陶瓷性能的影响。结果表明:随其比值的变化,陶瓷样品均为钙钛矿结构,且对陶瓷... 采用传统陶瓷工艺制备了0.02Pb(Ni1/3Ta2/3)O3+0.98Pb(ZrxTi1-x)O3(x=0.50-0.55,PNiTa—PZT)三元系压电陶瓷,研究了n(Zr)/n(Ti)变化对陶瓷性能的影响。结果表明:随其比值的变化,陶瓷样品均为钙钛矿结构,且对陶瓷显微结构影响不大;当n(Zr)/n(Ti)为52/48时,陶瓷具有较优的压电、介电性能:kp为0.583,d33为266pC/N,tc为394℃,tanδ为0.0055,ε33^T/ε0为1297。其中tc比目前文献报道的PZT基压电材料高30-50℃,有望在高温压电陶瓷领域获得应用。 展开更多
关键词 无机非金属材料 掺杂量 pnita-pzt 居里温度 压电介电性能
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