高温、强光下黄瓜叶片PSII供体侧和受体侧的伤害程度与快速荧光参数W_k变化的关系

快速荧光OJIP曲线中的Wk参数被广泛作为放氧复合体(OEC)即PSII供体侧伤害的重要指标。然而Wk这一参数的变化不仅受PSII供体侧伤害的影响,而且还会受到PSII受体侧伤害的影响。很多研究者在使用Wk这个参数时忽略了这个问题。为了阐明PSII供体侧和受体侧伤害程度对Wk影响的规律,我们通过不同温度和强光处理,获得不同PSII供体侧和受体侧伤害的黄瓜叶片,进而分析Wk变化与其供体侧和受体侧伤害程度之间的关系。研究结果表明:用高温黑暗处理黄瓜叶片后,其PSII供体侧受到严重的伤害,此时,Wk随着供体侧伤害程度的增加而显著增加,在这种情况下,Wk的增加直接反映了OEC的伤害程度;但是当用强光和高温共同处理黄瓜叶片后,造成PSII供体侧和受体侧同时伤害时,如果供体侧的伤害程度大于受体侧的伤害程度时,Wk仍然升高,然而,当受体侧的伤害程度大于供体测定伤害程度时,Wk不再显著升高。因此在植物叶片的供体侧和受体共同受到伤害时,要慎重使用Wk这一参数来判断OEC的伤害程度。本文对Wk在不同供体侧和受体侧伤害条件下的变化规律进行了详细的研究,并对如何正确使用Wk来反映逆境对植物叶片OEC的伤害程度进行了探讨,该研究结果可以对正确利用叶绿素快速荧光OJIP分析提供指导。