Pb(Sc_(1/2)Nb_(1/2))O_3-Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3-PbZrO_3弛豫铁电晶体的生长及表征

采用高温溶液法生长了准同型相界(MPB)四元弛豫铁电单晶Pb(Sc_(1/2)Nb_(1/2))O_3-Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3-PbZrO_3,得到较大尺寸且具有规则外形的立方单晶。研究结果表明所生长的晶体为钙钛矿结构,立方晶粒平整的暴露面均为(001)面;晶体以层状方式生长,生长机制为搭桥生长;所生长晶体的矫顽场EC^3.52 k V/cm,三方四方相变温度Tr-t^104℃,居里温度Tc^149.5℃,压电常数d33~1089 p C/N,剩余极化强度Pr^25.4μC/cm2;随着频率增加,晶体的相变弥散度减小。

Pb(Sc_(1/2)Nb_(1/2))O_3-Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3-PbZrO_3陶瓷的介电、压电性能研究

为研究不同含量PbZrO_3（PZ）对Pb（Sc_（1/2）Nb_（1/2））O_3-Pb（Mg_（1/3）Nb_（2/3））O_3-PbTiO_3-PbZrO_3（PSN-PMN-PT-PZ）四元弛豫铁电陶瓷的影响,文中通过两步前躯体法制备位于准同型相界中的xPSN-yPMN-zPT-hPZ（x/y/z/h=6/60/33/1,5/58/34/3,5/55/35/5,5/53/35/7）四元弛豫铁电陶瓷.采用X射线衍射仪分析了所制备陶瓷的相结构,通过测定介电常数和温度之间的关系确定了陶瓷的相变温度,利用居里-外斯公式拟合了不同组分陶瓷的弥散相变特性.研究结果表明：所制备的陶瓷试样均为纯的钙钛矿结构.随着PZ含量的增加,PSNPMN-PT-PZ陶瓷居里温度Tc逐渐升高（134~160℃）,介电常数降低,相变弥散度也增强;在所有组分中,0.05PSN-0.55PMN-0.35PT-0.05PZ组分表现出良好的综合性能,其居里温度Tc为151℃,压电常数d33为325pC·N-1,机电耦合系数kp为54.34%,最大介电常数εm为7 779,介电损耗tanδ为0.02.