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铬掺杂的PSN-PZN-PZT四元系压电陶瓷材料的研究 被引量:6
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作者 孙清池 王立锋 聂强 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期107-110,共4页
用传统固相合成方法制备了Pb(Sn1/3Nb2/3)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbZrO3-PbTiO3(简写为PSN-PZN-PZT)四元系压电陶瓷材料,主要研究Cr离子掺杂对此材料的微观结构以及压电、介电性能的影响.通过对XRD衍射谱图分析可知,随着Cr的掺杂量的增大... 用传统固相合成方法制备了Pb(Sn1/3Nb2/3)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbZrO3-PbTiO3(简写为PSN-PZN-PZT)四元系压电陶瓷材料,主要研究Cr离子掺杂对此材料的微观结构以及压电、介电性能的影响.通过对XRD衍射谱图分析可知,随着Cr的掺杂量的增大,该系统材料的三方相的含量减少,准同相界的位置向三方相移动;SEM照片显示,晶粒尺寸随Cr的量增大而增大,在0.5wt%含量时晶粒分布均匀且大小较为一致;ERP结果表明,Cr2O3在材料中主要以Cr3+、Cr5+存在.且结合材料的性能参数分析,增加Cr的含量会促使Cr离子由高价向低价转化.当Cr2O3的掺杂量为0.5wt%时,PSN-PZN-PZT材料的综合性能较好. 展开更多
关键词 压电陶瓷 psn-pzn-pzt CR掺杂 压电 介电性能
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PSN-PZN-PZT四元系压电陶瓷的研究
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作者 吴浩 马卫兵 曲远方 《天津理工大学学报》 2007年第2期71-74,共4页
采用传统的固相烧结方法制备了Pb(Sn1/3Nb2/3)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbZrO3-PbTiO3(PSN-PZN-PZT)四元系压电陶瓷,并通过添加MnO2、Sb2O3和SrCO3、BaCO3以提高材料的性能.通过X射线衍射(XRD)对合成后材料的物相进行了分析,用扫描... 采用传统的固相烧结方法制备了Pb(Sn1/3Nb2/3)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbZrO3-PbTiO3(PSN-PZN-PZT)四元系压电陶瓷,并通过添加MnO2、Sb2O3和SrCO3、BaCO3以提高材料的性能.通过X射线衍射(XRD)对合成后材料的物相进行了分析,用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品表面的显微结构,并且讨论了Sr质量分数对材料介电、压电性能及温度稳定性的影响.实验结果表明:Sr^2+部分置换Pb^2+使得准同型相界向富Zr方移动,降低了居里温度,增大了介电半高宽值;当xSr取值范围0.02~0.04时,经960℃、126 0℃的烧结,系统的综合性能最佳. 展开更多
关键词 压电陶瓷 psn-pzn-pzt 介电和压电性能 准同型相界
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Piezoelectric and dielectric properties of Cr-doped PSN-PZN-PZT qua-ternary piezoelectric ceramics 被引量:1
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作者 SUNQingchi WANGLifeng +1 位作者 LIUPing NIEQiang 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2005年第2期185-189,共5页
PSN-PZN-PZT + x wt. %Cr2O3, X = 0.0-0-9, were prepared by conventional mixed oxide techniques at sintering temperatures of 1220 degrees C-1300 degrees C for 2 h. The effect of sintering temperature on the microstructu... PSN-PZN-PZT + x wt. %Cr2O3, X = 0.0-0-9, were prepared by conventional mixed oxide techniques at sintering temperatures of 1220 degrees C-1300 degrees C for 2 h. The effect of sintering temperature on the microstructure and the piezoelectric properties was investigated by XRD, SEM, and other conventional measurement. The result indicated that with temperature increasing, the valence of Cr ion from Cr5+ or Cr6+ changes into C3+, and the piezoelectric properties turn hard. With increasing Cr2O3 content, the amount of rhombohedral phases increases and the morphotropic boundary phase is correspondingly shifts to rhombohedral phase. A uniform microstructure and excellent comprehensive properties were obtained at 1240 degrees C as the amount of Cr2O3 is 0.5 wt.%. 展开更多
关键词 inorganic nonmetallic materials psn-pzn-pzt conventional solid reaction process Cr2O3 content sintering temperature piezoelectric properties
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Sr掺杂四元系压电陶瓷压电性能研究 被引量:1
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作者 李建华 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2011年第6期961-963,共3页
采用传统的固相烧结法制备了Pb(Sn1/3Nb2/3)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbZrO3-PbTiO3(PSN-PZN-PZT)四元系压电陶瓷,并通过添加SrCO3提高材料的性能。采用X线衍射对合成后材料的晶相进行分析,用扫描电子显微镜观察了样品表面的显微结构,并讨... 采用传统的固相烧结法制备了Pb(Sn1/3Nb2/3)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbZrO3-PbTiO3(PSN-PZN-PZT)四元系压电陶瓷,并通过添加SrCO3提高材料的性能。采用X线衍射对合成后材料的晶相进行分析,用扫描电子显微镜观察了样品表面的显微结构,并讨论了组成压电性能及温度稳定性的影响。当烧结温度为1 260℃并保温2h,且x(Sr)=0.02~0.04时,PSN-PZN-PZT系统的综合性能最佳:压电常数d33=288~291pC/N,机电耦合系数kp=53.6%~59.1%,机械品质因数Qm=1 529~1 554,TC=254~265℃。 展开更多
关键词 压电陶瓷 psn-pzn-pzt四元系 准同型相界 温度稳定性
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五元系PZN-PSN-PMS-PZT压电陶瓷的研究 被引量:8
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作者 孙琳 孙清池 胜鹏 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2004年第1期35-38,共4页
对PZN-PSN-PMS-PZT五元系压电陶瓷的烧结温度(1200~1280°C)、Zr/Ti与性能的关系以及部分Sr2+、Ba2+取代Pb2+对材料性能的影响进行了研究。实验结果表明:当Zr/Ti=0.455/0.435,掺Sr2+、Ba2+(摩尔分数均为2%)时,在1260°C,2h条... 对PZN-PSN-PMS-PZT五元系压电陶瓷的烧结温度(1200~1280°C)、Zr/Ti与性能的关系以及部分Sr2+、Ba2+取代Pb2+对材料性能的影响进行了研究。实验结果表明:当Zr/Ti=0.455/0.435,掺Sr2+、Ba2+(摩尔分数均为2%)时,在1260°C,2h条件下烧结,样品的品质因数Qm为1671;介电常数εTr3为1294;压电常数d33为285pC·N-1;介质损耗tanδ为0.004;机电耦合系数kp为0.522;居里温度TC为295°C;矫顽场强Ec为19kV·cm-1,显示出该五元系具有很大的应用价值和发展潜力。 展开更多
关键词 压电陶瓷 铌锌-铌锡-锑锰-锆钛酸铅 锶、钡取代 电滞回线
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烧结工艺对PSN-PZN-PMS-PZT瓷性能的影响 被引量:3
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作者 陆翠敏 孙清池 +1 位作者 胜鹏 徐明霞 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第8期11-13,共3页
采用二次合成工艺得到了Pb(Sn1/3Nb2/3)0.03(Zn1/3Nb2/3)0.03(Mn1/3Sb2/3)0.04Zr0.435Ti0.465O3(PSN-PZN-PMS-PZT)五元系压电陶瓷。分析讨论了压电陶瓷的烧结温度与体密度、气孔率、晶粒大小及介电、压电性能的关系。并研究升温速度,保... 采用二次合成工艺得到了Pb(Sn1/3Nb2/3)0.03(Zn1/3Nb2/3)0.03(Mn1/3Sb2/3)0.04Zr0.435Ti0.465O3(PSN-PZN-PMS-PZT)五元系压电陶瓷。分析讨论了压电陶瓷的烧结温度与体密度、气孔率、晶粒大小及介电、压电性能的关系。并研究升温速度,保温时间对介电、压电性能的影响。结果表明,升温速度过快时材料致密性下降;烧结温度1 260℃保温3 h,得到一种综合性能优良的压电材料。其主要参数:r为1 390,d33为300 pC/N,kp为55.1%,Qm为1 180,tg为0.30?02。 展开更多
关键词 无机陶瓷材料 (PSN-PZN-PMS-PZT)压电陶瓷 二次合成工艺 烧结温度 升温速度 保温时间
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Ba2+和La3+共掺杂对PZN-PNN-PSN-PZT五元系压电陶瓷性能的影响 被引量:5
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作者 张元松 张静 +2 位作者 褚涛 刘长流 张珍宣 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2019年第8期36-40,共5页
采用固相烧结法制备了Ba^2+和La^3+共掺杂的PZN-PNN-PSN-PZT五元系压电陶瓷。通过XRD、SEM研究了组分的微观结构,并研究了不同Ba^2+和La^3+共掺杂量对组分的密度及压电介电性能的影响。研究表明:组分的相结构均为单一的ABO3型钙钛矿结构... 采用固相烧结法制备了Ba^2+和La^3+共掺杂的PZN-PNN-PSN-PZT五元系压电陶瓷。通过XRD、SEM研究了组分的微观结构,并研究了不同Ba^2+和La^3+共掺杂量对组分的密度及压电介电性能的影响。研究表明:组分的相结构均为单一的ABO3型钙钛矿结构;当x≤0.025时,组分的密度变化不大,x>0.025时,密度略有下降;不同量的Ba^2+、La^3+共掺杂到组分中,所有陶瓷样品存在特征双峰和准同型相界。在x=0.025处,陶瓷的特征双峰逐渐向中间靠拢,说明该处的准同型相界结构最为稳定;当x=0.025时,陶瓷的压电介电性能获得最优,即:εr=6327、d33=911pC/N、Kp=0.78、tanδ=2.94%、Qm=25。 展开更多
关键词 PZN-PNN-PSN-PZT 五元系压电陶瓷 Ba^2+和La^3+共掺杂 密度 压电性能 介电性能
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