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两步法快速退火对PSTT5铁电薄膜性能的影响 被引量：2
1
作者 孙宇澄 李雪冬 +3 位作者 周圆苑 朱基亮 肖定全 朱建国 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期718-720,727,共4页
采用射频磁控溅射法在LSCO/Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了0.95Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.05PbTiO3(PSTT5)铁电薄膜。研究了不同的快速退火(RTA)工艺对PSTT5薄膜的结晶性能和铁电性能的影响。实验结果表明,经两步法快速退火,PSTT5薄膜具有完... 采用射频磁控溅射法在LSCO/Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了0.95Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.05PbTiO3(PSTT5)铁电薄膜。研究了不同的快速退火(RTA)工艺对PSTT5薄膜的结晶性能和铁电性能的影响。实验结果表明,经两步法快速退火,PSTT5薄膜具有完全钙钛矿结构且呈(220)取向。PSTT5薄膜的铁电性能测试结果也表明,采用两步法RTA处理的PSTT5薄膜具有更好的铁电性能,其剩余极化强度(2Pr)可达25.4μC/cm2。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 0.95Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.05PbTiO3(pstt5) 薄膜 快速退火(RTA)
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