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x射线衍射研究单晶Si衬底上低温生长的LaNiO3/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3/LaNiO3铁电电容器结构
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作者 陈效军 《巢湖师专学报》 1999年第3期45-46,共2页
通过脉冲激光沉积,于Si(001)单晶衬底上在550℃的衬底温度下生长了LaNiO3/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3/LaNiO3/SrtiO3/TiN/Si异质结构。利用四圆x射线分析了该多层膜结构中各层曲轴向外延关系。
关键词 X射线衍射 单晶Si LaNio3/pb(zr0.52ti0.48)o3/LaNio3 铁电电容器 脉冲激光沉积
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薄膜厚度对Pb,La(Zr,Ti)O_(3)铁电薄膜基自供电紫外光电探测器性能影响研究
2
作者 张清风 陈松 《黄河科技学院学报》 2023年第5期6-14,共9页
目前半导体基自供电紫外光电探测器由于光生电子和空穴不能有效分离,因此灵敏度较低。铁电体具有宽的光学带隙(>3 eV)和大的退极化场,因此被认为是研制高性能自供电紫外光电探测器的重要候选材料。基于此,采用溶胶-凝胶法制备了层数... 目前半导体基自供电紫外光电探测器由于光生电子和空穴不能有效分离,因此灵敏度较低。铁电体具有宽的光学带隙(>3 eV)和大的退极化场,因此被认为是研制高性能自供电紫外光电探测器的重要候选材料。基于此,采用溶胶-凝胶法制备了层数不同的Pb_(0.93) La_(0.07)(Zr_(0.2) Ti_(0.8))_(0.985)O_(3)(PLZT)铁电薄膜并研制出了基于Au/PLZT/FTO垂直结构的自供电紫外光电探测器。研究结果表明:通过合理调整极化电压的方向,极化电压能对光电响应性起到加强作用。在+2 V极化电压下,旋涂层数为3层(厚度约为140 nm)的Au/PLZT/FTO光电探测器拥有最佳的自供电紫外光电响应,高的光/暗电流比为3750、大的响应度为13.1 mA/W、高的探测率为4.11×10^(11) Jones以及快的响应速度为20 ms/30 ms。 展开更多
关键词 铁电薄膜 pb La(zr ti)o_(3) 厚度 极化电压 自供电紫外光电探测器
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金属-EDTA螯合物法制备Pb(Zr,Ti)O_3超细粉的研究 被引量:5
3
作者 方佑龄 赵文宽 +3 位作者 张蕾 康俊明 袁良杰 黄玲 《武汉大学学报(自然科学版)》 CSCD 1996年第1期119-123,共5页
以硝酸盐和EDTA(乙二胺四乙酸)为原料,用金属-EDTA螯合物热分解法制备均匀性好的Pb(Zr,Ti)O_3超细粉,经FT-IR光谱,热分析,X射线衍射分析和透射电镜等方法研究表明:硝酸根离子可加速金属-EDTA螯合物的热分解,仅在250C时便有Pb(Zr,Ti)O_3... 以硝酸盐和EDTA(乙二胺四乙酸)为原料,用金属-EDTA螯合物热分解法制备均匀性好的Pb(Zr,Ti)O_3超细粉,经FT-IR光谱,热分析,X射线衍射分析和透射电镜等方法研究表明:硝酸根离子可加速金属-EDTA螯合物的热分解,仅在250C时便有Pb(Zr,Ti)O_3相生成,除PbO外不生成其它中间相,随着温度进一步升高,中间相PbO逐渐消失,经700C1h煅烧所得到的单一Pb(Zr,Ti)O_3相超细粉,平均粒径为34nm。 展开更多
关键词 锆钛酸铅 金属 EDTA 螯合物 超细粉 压电陶瓷
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Pb(Zr,Ti)O_3薄膜微区残余应力的X射线面探扫描分析 被引量:2
4
作者 杨帆 费维栋 +1 位作者 高忠民 蒋建清 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期1097-1101,共5页
根据在X射线二维衍射几何关系下建立的应力应变方程,提出了一种基于X射线多晶面探衍射仪系统分析射频磁控溅射制备的Pb(Zr,Ti)O3薄膜微区残余应力的测量方法,即通过基于X射线衍射圆锥形变的分析来表征薄膜的残余应力,试验结果表明薄膜... 根据在X射线二维衍射几何关系下建立的应力应变方程,提出了一种基于X射线多晶面探衍射仪系统分析射频磁控溅射制备的Pb(Zr,Ti)O3薄膜微区残余应力的测量方法,即通过基于X射线衍射圆锥形变的分析来表征薄膜的残余应力,试验结果表明薄膜所受为残余拉应力,同时利用X射线面探扫描方法评价了薄膜的残余应力分布。 展开更多
关键词 pb(zr ti)o3薄膜 X射线二维衍射 多晶面探衍射仪 残余应力
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后退火温度对溅射沉积Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3铁电薄膜结构和性能的影响 被引量:6
5
作者 赖珍荃 李新曦 +3 位作者 俞进 王根水 郭少令 褚君浩 《南昌大学学报(理科版)》 CAS 北大核心 2003年第1期26-28,44,共4页
在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性。然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-... 在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性。然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-680℃。用XRD、SEM分析薄膜的微结构,RT66A标准铁电测试系统测量样品的铁电和介电性能。结果表明,所沉积的Pt为(111)取向,仅当后退火温度高于580℃,沉积在Pt(111)上的PZT薄膜才能形成钙钛矿结构的铁电相,退火温度在580-600℃时结晶为(110)择优取向,退火温度高于600℃时结晶为(111)择优取向。PZT薄膜的极化强度随退火温度的升高而增加,但退火温度超过650℃时漏电流急剧上升,因此退火处理的温度对PZT薄膜的结构和性能有决定性的影响。 展开更多
关键词 PZT铁电薄膜 薄膜结构 铁电性能 介电性能 后退火温度 射频磁控溅射 pb(zr0.52ti0.48)o3薄膜
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Pb(Zr_(0.4)Ti_(0.6))O_3电子结构的第一性原理研究 被引量:4
6
作者 赵庆勋 王书彪 +1 位作者 关丽 刘保亭 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期951-956,共6页
采用基于密度泛函理论的赝势平面波方法计算了Pb(Zr0.4Ti0.6)O3五层超晶胞的顺电相和铁电相的电子结构.由态密度、电子密度和能带结构的计算结果发现顺电相下钛氧八面体Ti-O6和锆氧八面体Zr-O6在铁电相中分裂为由1个O1离子和4个O2离子... 采用基于密度泛函理论的赝势平面波方法计算了Pb(Zr0.4Ti0.6)O3五层超晶胞的顺电相和铁电相的电子结构.由态密度、电子密度和能带结构的计算结果发现顺电相下钛氧八面体Ti-O6和锆氧八面体Zr-O6在铁电相中分裂为由1个O1离子和4个O2离子组成的金字塔结构Ti-O5和Zr-O5;与顺电相相比,铁电相中钛离子的3d电子和氧离子的2p电子存在更强的轨道杂化,这种杂化降低了离子间的短程排斥力,使得具有铁电性的四方结构更为稳定,而且钛离子与氧离子的相互作用对于铁电相Pb(Zr0.4Ti0.6)O3沿c轴自发极化的贡献大于锆离子与氧离子的相互作用;由电子密度的分布可推断立方结构的Pb-O键呈现离子键特征,而铁电相下Pb-O键则有较大的共价成分,铅离子与氧离子的这种轨道杂化对Pb(Zr0.4Ti0.6)O3的铁电性起重要作用.所得结果对深入理解Pb(Zr0.4Ti0.6)O3铁电性的微观机理具有参考价值. 展开更多
关键词 铁电体 pb(zr0.4 ti0.6)o3 电子结构 第一性原理
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冲击波作用下Pb(Zr_(0.95)Ti_(0.05))O_3铁电陶瓷去极化后电阻率动态特性 被引量:2
7
作者 伍友成 刘高旻 +4 位作者 戴文峰 高志鹏 贺红亮 郝世荣 邓建军 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期229-234,共6页
在冲击波压力作用下,极化Pb(Zr_(0.95)Ti_(0.05))O_3(PZT95/5)铁电陶瓷会发生铁电-反铁电相变失去极化,由于冲击波压力高、作用时间短,伴随材料去极化相变出现的瞬态电导特性难以准确测试.本文建立了新的实验方法,采用脉冲电容器作为冲... 在冲击波压力作用下,极化Pb(Zr_(0.95)Ti_(0.05))O_3(PZT95/5)铁电陶瓷会发生铁电-反铁电相变失去极化,由于冲击波压力高、作用时间短,伴随材料去极化相变出现的瞬态电导特性难以准确测试.本文建立了新的实验方法,采用脉冲电容器作为冲击波加载铁电陶瓷脉冲电源的输出负载,在冲击波压力约3.5 GPa的实验中直接测得铁电陶瓷的漏电流,计算得到PZT95/5铁电陶瓷去极化后的电阻率,变化范围为2.2×10~4—3.5×10~4?·cm;在实验数据的基础上,建立了动态电阻模型,对冲击波传播过程中PZT95/5铁电陶瓷去极化后的电阻率进行了分析,初步揭示了冲击波作用下PZT95/5铁电陶瓷去极化后电阻率的动态特性. 展开更多
关键词 pb (zr0.95ti0.05) o3 冲击波 去极化 电阻率
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磁控溅射工艺参数对Pb(Zr,Ti)O_3薄膜织构的影响 被引量:3
8
作者 杨帆 孙跃 +1 位作者 李伟力 费维栋 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期60-62,共3页
利用RF磁控溅射法制备了Pb(Zr,Ti)O3(PZT)铁电薄膜,利用X射线衍射(XRD)法研究了薄膜的相组成及溅射工艺参数对薄膜织构的影响。结果表明,在小靶基距时,过高溅射功率不利于获得纯钙钛矿相的PZT铁电薄膜。溅射功率及溅射气压影响PZT薄膜... 利用RF磁控溅射法制备了Pb(Zr,Ti)O3(PZT)铁电薄膜,利用X射线衍射(XRD)法研究了薄膜的相组成及溅射工艺参数对薄膜织构的影响。结果表明,在小靶基距时,过高溅射功率不利于获得纯钙钛矿相的PZT铁电薄膜。溅射功率及溅射气压影响PZT薄膜的织构及其织构散漫度,提高溅射气压及溅射功率,(111)织构漫散度随之提高。在靶基距为80mm时,选择150W、0.7Pa的溅射工艺可获得具有最佳(100)织构的PZT薄膜。 展开更多
关键词 磁控溅射 pb(zr ti)o3薄膜 织构
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Sol-gel法制备Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3铁电薄膜 被引量:1
9
作者 郭冬云 毛薇 +4 位作者 秦岩 黄志雄 王传彬 沈强 张联盟 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第22期16-19,28,共5页
利用Sol—gel工艺在Pt/Ti/SiO2/si衬底上制备了Pb(Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)薄膜,研究了退火温度、保温时间和薄膜厚度对其晶相、微观结构和铁电性能的影响。在500℃退火处理的PZT薄膜开始形成钙钛矿相;在550℃退火处理的PZT薄膜... 利用Sol—gel工艺在Pt/Ti/SiO2/si衬底上制备了Pb(Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)薄膜,研究了退火温度、保温时间和薄膜厚度对其晶相、微观结构和铁电性能的影响。在500℃退火处理的PZT薄膜开始形成钙钛矿相;在550℃退火处理的PZT薄膜基本形成钙钛矿相结构;升高退火温度(500-850℃)、延长保温时间(30~150min)、增加薄膜厚度(120-630nm)都有利于PZT晶粒的长大。在650~750℃退火的PZT薄膜具有较好的铁电性能,保温时间对PZT薄膜的铁电性能影响不大,PZT薄膜的厚度为200-300nm时可以得到比较好的铁电性能。在退火温度750℃、保温时间30min条件下退火处理厚310nm的PZT薄膜,其剩余极化值(2Pr)和矫顽电场(2Ec)分别是72μC/cm^2、158kV/cm。 展开更多
关键词 pb(zr0.53ti0.47)o3薄膜 Sol—gel工艺 退火温度 保温时间 薄膜厚度 铁电性能
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微秒脉冲电场下Pb0.99(Zr0.95Ti0.05)0.98Nb0.02O3陶瓷击穿过程电阻变化规律 被引量:1
10
作者 刘艺 杨佳 +2 位作者 李兴 谷伟 高志鹏 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第11期299-304,共6页
陶瓷作为应用非常广泛的一种材料,其电击穿问题一直是研究的重点和热点.由于击穿过程涉及热、光、电多场耦合效应,目前还没有一个普适的模型能够解释陶瓷击穿问题.针对此问题进行分析,实验中采用脉冲高压发生装置击穿陶瓷,通过对陶瓷击... 陶瓷作为应用非常广泛的一种材料,其电击穿问题一直是研究的重点和热点.由于击穿过程涉及热、光、电多场耦合效应,目前还没有一个普适的模型能够解释陶瓷击穿问题.针对此问题进行分析,实验中采用脉冲高压发生装置击穿陶瓷,通过对陶瓷击穿过程中等效电阻的研究,揭示了PZT95/5陶瓷样品体击穿和沿面闪络形成过程的异同.结果显示,在两种击穿模式下,陶瓷样品内部均会在40 ns左右形成导电通道,陶瓷等效电阻急剧下降至10~5?量级;然后体击穿与沿面闪络的导电通道以不同的速率继续扩展;电阻减小速率与导电通道上载流子的浓度有关,二者的等效电阻以不同速率减小,直至导电通道达到稳定. 展开更多
关键词 pb0.99(zr0.95ti0.05)0.98Nb0.02o3 脉冲高压 击穿 等效电阻
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含Ni-Nb阻挡层的硅基Pb(Zr_(0.4),Ti_(0.6))O_3电容器的制备及铁电性能研究 被引量:1
11
作者 赵庆勋 齐晨光 +3 位作者 贾冬梅 付跃举 郭建新 刘保亭 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期282-285,共4页
采用Ni-Nb薄膜作为导电阻挡层,以La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)为底电极,构建了LSCO/Pb(Zr0.4,Ti0.6)O3(PZT)/LSCO异质结电容器。使用X射线衍射仪和铁电测试仪对其进行结构表征和性能测试。实验发现:Ni-Nb薄膜为非晶结构,PZT薄膜结晶状况良好。L... 采用Ni-Nb薄膜作为导电阻挡层,以La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)为底电极,构建了LSCO/Pb(Zr0.4,Ti0.6)O3(PZT)/LSCO异质结电容器。使用X射线衍射仪和铁电测试仪对其进行结构表征和性能测试。实验发现:Ni-Nb薄膜为非晶结构,PZT薄膜结晶状况良好。LSCO/PZT/LSCO电容器在5 V外加电压测试下,电滞回线具有良好的饱和趋势,剩余极化强度Pr为35.5μC/cm2,矫顽电压Vc为1.42 V,电容器具有良好的抗疲劳特性和保持特性。 展开更多
关键词 Ni-Nb阻挡层 pb(zr0.4 ti0.6)o3 La0.5Sr0.5Coo3
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外延生长四方相Pb(Zr_(0.65)Ti_(0.35))O_3薄膜 被引量:1
12
作者 刘敬松 李惠琴 +1 位作者 曹林洪 徐光亮 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期70-74,共5页
以SrRuO3(SRO)为缓冲层和底电极,利用射频溅射法在LaAlO3(LAO)单晶基片上制备了Pb(Zr0.65Ti0.35)O3(PZT)薄膜。X射线衍射分析显示PZT薄膜与基底有以下外延取向关系:(001)[010]PZT‖(001)[010]SRO‖(001)[010]LAO。虽然PZT薄膜组分位于... 以SrRuO3(SRO)为缓冲层和底电极,利用射频溅射法在LaAlO3(LAO)单晶基片上制备了Pb(Zr0.65Ti0.35)O3(PZT)薄膜。X射线衍射分析显示PZT薄膜与基底有以下外延取向关系:(001)[010]PZT‖(001)[010]SRO‖(001)[010]LAO。虽然PZT薄膜组分位于菱方相区域,但由于基底的夹持效应,透射电子显微镜观察表明PZT薄膜呈现四方相。对以Pt或SRO为上电极的PZT薄膜的电性能分别进行了研究,结果显示两种样品都具有抗疲劳性,并且Pt/PZT/SRO薄膜电容与SRO/PZT/SRO薄膜电容相比具有更大的漏电流。氧化物基片和底电极的引入使得PZT薄膜的居里点与块材相比有所下降。电容-温度测试曲线表现出典型的居里-外斯定律特征,薄膜损耗随着温度上升而下降。当温度接近PZT薄膜相转变点的时候,由于夹持应力的解除导致薄膜损耗急剧下降。 展开更多
关键词 外延生长 pb(zr0.65ti0.35)o3薄膜 射频磁控溅射 漏电流 损耗
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溶胶–凝胶法制备Pb(Zr_x,Ti_(1–x))O_3薄膜研究进展 被引量:1
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作者 王锡彬 熊杰 +2 位作者 郭培 朱聪 陶伯万 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第7期70-75,共6页
Pb(Zrx,Ti1-x)(PZT)铁电薄膜因具有优良的铁电性、压电性、热释电性和声光性能而受到广泛关注,其电、光性能与其制备过程密切相关。简要介绍了PZT薄膜制备工艺流程,系统地从前驱体溶液、摩尔比r(Zr:Ti)、热处理工艺、电极材料以及掺杂... Pb(Zrx,Ti1-x)(PZT)铁电薄膜因具有优良的铁电性、压电性、热释电性和声光性能而受到广泛关注,其电、光性能与其制备过程密切相关。简要介绍了PZT薄膜制备工艺流程,系统地从前驱体溶液、摩尔比r(Zr:Ti)、热处理工艺、电极材料以及掺杂改性等五个方面概述了sol-gel法制备PZT薄膜的研究进展,并指出了目前sol-gel法制备PZT铁电薄膜研究中存在的一些问题以及未来的研究方向。 展开更多
关键词 pb(zrx ti1–x)o3 铁电薄膜 综述 SoL-GEL法
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PbO对Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3压电陶瓷性能的影响 被引量:2
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作者 陈江丽 王斌科 《空军工程大学学报(自然科学版)》 CSCD 北大核心 2008年第4期91-94,共4页
采用固相反应的方法制备了Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)压电陶瓷,研究了过量PbO对Pb(Zr0.52Ti0.48)O3压电陶瓷性能的影响。通过XRD和SEM研究了PbO过量对Pb(Zr0.52Ti0.48)O3压电陶瓷的晶相结构及显微形貌的影响,研究结果表明PbO过量不会影响P... 采用固相反应的方法制备了Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)压电陶瓷,研究了过量PbO对Pb(Zr0.52Ti0.48)O3压电陶瓷性能的影响。通过XRD和SEM研究了PbO过量对Pb(Zr0.52Ti0.48)O3压电陶瓷的晶相结构及显微形貌的影响,研究结果表明PbO过量不会影响Pb(Zr0.52Ti0.48)O3材料的相结构(均为钙钛矿结构),但是PbO过量太多,会出现过烧现象及气孔等,PbO过量为5%mol时结晶最好。测量了样品的密度、电阻率、压电系数以及介电性能,对这些测量结果的研究表明采用850℃预烧、1 250℃终烧的烧结工艺,PbO过量为5%mol的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3压电陶瓷致密性好,密度最大,且具有良好的介电与压电性能,其压电系数最大为322 pC/N。 展开更多
关键词 压电陶瓷 固相反应 pb(zr0.52ti0.48)o3 压电系数
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基于扫描探针显微术研究Pb(Zr,Ti)O_3铁电薄膜的电学性质 被引量:1
15
作者 魏艳萍 卢焕明 +1 位作者 魏安祥 李勇 《理化检验(物理分册)》 CAS 2015年第8期560-563,577,共5页
首先利用脉冲激光沉积技术在(001)取向的SrTiO3基片上外延生长了SrRuO3底电极和PbZr0.20Ti0.80O3(PZT)薄膜,然后利用扫描探针显微镜的压电响应模式(PFM)和导电测试模式(C-AFM)表征了PbZr0.20Ti0.80O3/SrRuO3/SrTiO3异质结薄膜纳米尺度... 首先利用脉冲激光沉积技术在(001)取向的SrTiO3基片上外延生长了SrRuO3底电极和PbZr0.20Ti0.80O3(PZT)薄膜,然后利用扫描探针显微镜的压电响应模式(PFM)和导电测试模式(C-AFM)表征了PbZr0.20Ti0.80O3/SrRuO3/SrTiO3异质结薄膜纳米尺度的电学性质。以镀铂探针为上电极,利用压电响应模式获得了复合薄膜纳米尺度的压电位移-电压蝶形曲线和压电相位-电压滞后曲线,表明样品具有良好的铁电性。薄膜纳米尺度下的I-V测试结果表明经+10V电压极化后的样品,其I-V曲线在矫顽场附近出现峰值,与宏观I-V测试结果类似。导电原子力和压电力测试结果证明C-AFM可以检测到PZT薄膜样品的瞬时极化反转电流并进行成像。 展开更多
关键词 扫描探针显微镜 pb(zr ti)o3铁电薄膜 铁电畴 导电性
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等静压和温度作用下Pb(Zr,Sn,Ti)O_3陶瓷的介电性能研究 被引量:1
16
作者 郑曙光 徐卓 +1 位作者 冯玉军 姚熹 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第10期1004-1007,共4页
对反铁电 -铁电相界附近的Nb掺杂Pb(Zr,Sn,Ti)O3 陶瓷 ,采用 2GPa等静压装置测试了其在不同等静压力下的介电温度性能 ,分析了各种介电异常 ,发现了精细的相变特性 .指出随着温度升高 ,在较低的等静压范围内发生反铁电 -铁电 -顺电相变 ... 对反铁电 -铁电相界附近的Nb掺杂Pb(Zr,Sn,Ti)O3 陶瓷 ,采用 2GPa等静压装置测试了其在不同等静压力下的介电温度性能 ,分析了各种介电异常 ,发现了精细的相变特性 .指出随着温度升高 ,在较低的等静压范围内发生反铁电 -铁电 -顺电相变 ,而在较高的等静压范围内发生反铁电 -顺电相变 .其中 ,铁电相分为微弱频率弥散的弛豫型铁电相和正常铁电相两个不同的介电性能区域 .最后 ,得到了该组分材料的温度 展开更多
关键词 pb(zr Sn ti)o3陶瓷 反铁电-铁电陶瓷 介电性能 反铁电-铁电-顺电相变 等静压 介电温度 反铁电-顺电相变
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在LaNiO_3-Pt复合电极上Pb(Zr,Ti)O_3铁电薄膜及其成分梯度薄膜的制备和研究 被引量:1
17
作者 李建康 姚熹 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第5期757-762,共6页
LaNiO3 (LNO) thin films were prepared on Pt(111) / Ti / SiO2 / Si substrate by metal-organic decomposition (MOD) method. Pb(Zr,Ti)O3 ferroelectric thin films and their compositionally graded thin films were prepared o... LaNiO3 (LNO) thin films were prepared on Pt(111) / Ti / SiO2 / Si substrate by metal-organic decomposition (MOD) method. Pb(Zr,Ti)O3 ferroelectric thin films and their compositionally graded thin films were prepared on LNO / Pt / Ti / SiO2 /Si substrates by Sol-gel method. The composition depth profile of a typical up-graded film was determined by using a combination of Auger Electron Spectroscopy (ASE) and Ar Ion Etching. The results confirm that the processing method produces graded composition changes. XRD analysis showed that the graded thin films possessed composite structure of tetragonal and rhombohedral. The dielectric constants of Up-graded and Down-graded thin films were higher than that of each thin film unit. The dielectric constants were 277 and 269 at 10 kHz, respectively. The loss tangents were 0.019 and 0.018 at 10 kHz, respectively. The Hysteresis loops showed that the remanent polarizations of graded thin films were higher than that of each thin film unit, but the coercive fields were smaller. The remanent polarizations of Up-graded and Down-graded thin films were 30.06 and 26.96 μC·cm-2, respectively. The coercive fields were 54.14, 54.23 kV·cm-1, respectively. The pyroelectric coefficients of Up-graded and Down-graded thin films were 4.62, 2.51×10-8 C·cm-2·K-1 at room temperature, respectively. They were higher than that of each thin film unit. 展开更多
关键词 复合电极 梯度薄膜 铁电薄膜 analysis SoL-GEL profile 制备 成分 LANIo3 and The the unit room MET was Ion XRD at
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以TiO_2粉体为钛源水热合成Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3晶粒机理 被引量:1
18
作者 李涛 彭同江 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1092-1095,共4页
用水热法合成了Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)超细晶粒。通过对合成粉晶体的物相与晶体形貌的表征和对生成物中TiO2残余量的测定,初步分析了PZT粉晶粒形成的机理。在反应初期,随着温度的升高,TiO2粒子逐渐溶解。进入溶液的钛氧基团与溶液中... 用水热法合成了Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)超细晶粒。通过对合成粉晶体的物相与晶体形貌的表征和对生成物中TiO2残余量的测定,初步分析了PZT粉晶粒形成的机理。在反应初期,随着温度的升高,TiO2粒子逐渐溶解。进入溶液的钛氧基团与溶液中的羟基相作用发生羟基化反应,形成钛的氢氧化物。钛与锆的氢氧化物相互作用,形成生长基元,它们与Pb2+离子一起在PZT晶核生长界面上叠合、脱水、结晶,从而使PZT晶粒长大。 展开更多
关键词 无机非金属材料 pb(zr0.52ti0.48)o3 水热法 二氧化钛 形成机理
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Influence of Annealing Time on the Microstructure and Properties of Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3 Thin Films 被引量:1
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作者 HUANG Ling MAO Wei +2 位作者 HUANG Zhixiong SHI Minxian MEI Qinlin 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2012年第1期88-91,共4页
The PZT thin films were prepared on (111)- Pt/Ti/SiO2/Si substrates by sol-gel method, and lead acetate [Pb(CH3COO)2], zirconium nitrate [Zr(NO3)4] were used as raw materials. The X-ray diffractometer (XRD) an... The PZT thin films were prepared on (111)- Pt/Ti/SiO2/Si substrates by sol-gel method, and lead acetate [Pb(CH3COO)2], zirconium nitrate [Zr(NO3)4] were used as raw materials. The X-ray diffractometer (XRD) and scanning electron microscopy (SEM) were used to characterize the phase structure and surface morphology of the films annealed at 650 ~C but with different holding time. Ferroelectric and dielectric properties of the films were measured by the ferroelectric tester and the precision impedance analyzer, respectively. The PZT thin films were constructed with epoxy resin as a composite structure, and the damping properties of the composite were tested by dynamic mechanical analyzer (DMA). The results show that the films annealed for 90 minutes present a dense and compact crystal arrangement on the surface; moreover, the films also achieve their best electric quality. At the same time, the largest damping loss factor of the composite constructed with the 90 mins-annealed film shows peak value of 0.9, hi^her than the pure epoxy resin. 展开更多
关键词 sol-gel method pb(zr0.53ti0.47)o3 thin film surface feature ferroelectric and dielectricproperty damping property
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应力对外延Pb(Zr,Ti)O_3薄膜铁电性能的影响
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作者 杨传径 陈庆东 +1 位作者 李新忠 李立本 《河南科技大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2011年第1期11-13,17,共4页
应用朗道热力学理论研究了应力对Pb(Zr,Ti)O3陶瓷薄膜的相结构及介电特性的影响。结果表明:应力诱导结构相变,居里温度随应变(压应变或张应变)作用的增大而升高,有利于铁电相的稳定;讨论了极化-电场的滞回现象,剩余极化达50μC/cm2,计... 应用朗道热力学理论研究了应力对Pb(Zr,Ti)O3陶瓷薄膜的相结构及介电特性的影响。结果表明:应力诱导结构相变,居里温度随应变(压应变或张应变)作用的增大而升高,有利于铁电相的稳定;讨论了极化-电场的滞回现象,剩余极化达50μC/cm2,计算结果与实验结果符合较好。 展开更多
关键词 薄膜材料 应力 自发极化
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