Intelligent System for Mask Phase-Shifter Design

讨论了一个用于相移掩模智能设计的专家系统。这个系统包括输入输出系统，仿真系统，知识库系统，人—机接口，黑板系统。它有一个包括图形获取、预处理、模式抽取、搜索与解释、图形复合与输出等环节的工作过程。系统的软件实现运用了面向对象的表示方法。

制作光纤光栅的相移掩模-双光束干涉曝光方法

介绍将无铬相移掩模技术和双光束干涉曝光技术用于制作纳米级图形光纤光栅的基本原 理和实验系统设计。提出一种用可移动反射镜使写入光束扫描固定在一起的相移掩模和光纤组合体制作光纤光栅的方法,既便于系统调整,增强曝光能量,又可方便制作高分辨力、长尺寸光纤光栅,无论是周期光栅,还是非周期光栅。

新型TFT-LCD黑矩阵的细线化研究

介绍了新型TFT LCD黑矩阵细线化研究.在原有工艺设备的基础上,突破设备局限和工艺瓶颈,通过引入相掩膜技术和背面曝光设备,达到进一步减小黑矩阵线宽的效果.实验测试结果显示：在普通掩膜板设计上应用相位移掩膜板技术,降低透光区边缘衍射和散射现象,使曝光后黑矩阵线宽降低1.0～1.5 μm.在原有工艺基础上添加背面曝光工艺,使黑矩阵材料在显影后进行背面曝光预固化,改善黑矩阵图形形貌,进一步减小黑矩阵线宽达到0.3～0.5 μm.通过新工艺和新设备的引入和应用,黑矩阵线宽整体降低1.5～2.0 pm,达到5.0～5.5 μm,可以满足目前高PPI（单位面积像素个数）产品对透过率和对比度要求.

相移掩模和光学邻近效应校正光刻技术

详细地论述了相移掩模提高光刻分辨力和改善焦深的原理。介绍了光学邻近效应校正方法。

可提高光刻分辨率的新技术

详细研究了离轴掩模的原理 ,将离轴照明 (OAI)与相移掩模 (PSM)技术结合起来 ,在掩模上同时实现两种功能 ,较大程度地提高了光刻分辨力 .实验表明 ,在数值孔径 0 .42 ,i线曝光波长下 ,可将光刻分辨力从 0 .8μm提高到 0 .5μm.

0.35μm相移掩模模拟计算及软件设计

首先通过对０．３５μｍ 接触方孔在不同相移掩模情况下硅片表面空间象光强分布的模拟计算，得出不同相移掩模情况下的最优相移参数。在几种相移掩模中，衰减型对提高边缘斜率最为明显，因此我们决定采用衰减型相移掩模。最后编制了相应的实用化软件，该软件能够自动生成各种相移掩模并能够模拟计算不同照明参数、不同掩模、不同数值孔径、不同离焦情况下的空间象分布。

微光刻相移掩模技术研究

本文系统地论述了提高光刻分辨率的相移掩模技术的基本原理、计算模拟和光刻曝光实验 ;给出了模拟和实验结果 ;研究表明 ,只有在一定的临界参数条件下 ,相移掩模才能明显地改善分辨率和工艺宽容度 ;采用无铬相移掩模得到了 0 .2 μm的清晰抗蚀剂图形 ,证明了相移掩模在提高光刻分辨率。

一种用于标准单元版图交替移相掩模相位兼容性规则检查的工具

介绍了一套基于相位冲突图的生成和处理的新方法 ,可以准确、全面地对由传统方法设计的标准单元版图(暗场 )进行检查 .基于此方法的软件工具能够检查标准单元版图 ,找出不符合交替移相掩模设计要求的图形 ,并给出相关的修改建议 .

无铬相移掩模光刻技术

本文论述了相移掩模(PSM)提高光刻分辨率的基本原理、主要类型、无铬 PSM 的制作方法,简述了曝光实验和实验结果.用 NA=0.28的 g 线光刻机得到了0.5μm的实际分辨率.

实现物体360°轮廓测量的新型轮廓拼接方法

提出一种新型轮廓拼接技术用来实现复杂物体的360°几何轮廓的测量。应用光栅投射三维轮廓技术使被测物绕旋转轴进行多次旋转,获得能覆盖整个物面的多个单视角的三维坐标,利用坐标变换将这些数据转换到统一的坐标系下,然后应用正负方向掩膜矩阵法拼接合成物体360°轮廓。实践表明,应用该方法物体只需在4个角度0°、90°、180°、270°进行旋转,就能快速得到物体360°轮廓,它不仅可以用于普通连续面形的测量, 又可以用于含有间断的面形即自由曲面的测量。

用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模技术

用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模(PSM)技术主要有无铬相移掩模(CPM),交替相移掩模(APSM)、衰减相移掩模(AttPSM)和混合相移掩模技术。对这些掩模的基本原理、制作方法及性能比较进行了分析研究。研究表明,无铬相位光刻(CPL)PSM和高透AttPSM 相结合构成的混合掩模最适合用于193nmArF光刻,以产生100nm节点抗蚀剂图形。

衰减相移掩模光刻技术研究

论述了衰减相移掩模光刻技术的原理和曝光实验研究，给出了光刻曝光实验部分结果。

陷波频率点可精确控制的高效FRM陷波器设计

为在精确控制陷波频率点的前提下尽可能降低陷波器的硬件成本,提出了将全相位滤波技术与频率响应屏蔽技术相结合的陷波器设计算法。该算法将相移措施引入到单窗全相位陷波器设计中,只需根据所推导出的原型滤波器阶数N、内插因子M、陷波整数频点位置m和相移参数λ的数值关系,即可构造出简单实用的新型陷波结构。理论和仿真实验表明,新型设计算法既保证了陷波器在精确频点具有足够大的衰减,又节省了成本,提高了陷波效率。

相移掩模方法及其一维数值模拟

相移掩模方法是一种新的光刻技术，它可以提高现有光刻设备的分辨率，使超大规模集成电路及二元光学的制作迈上一个新台阶。本文介绍了相移掩模方法的基本原理，用部分相干光成象理论分析了用于光刻的投影照相系统的成象特性，导出了一维成象的简化公式，对一维光栅结构进行了计算机数值模拟并给出了模拟结果。

具有交替型相移掩模技术的CAD系统

随着超大规模集成电路制造进入深亚微米时代,版图上相邻特征区域的光刻质量受光学临近效应的影响越来越大。交替型相移掩模技术通过将相邻区域的相位进行180°反转,使干涉效应互相抵消,从而被认为是提高光刻分辨率最实用的技术之一。我们以当今的最新研究成果为基础,开发了一个用于暗域交替型相移掩模设计技术的CAD原型系统。为应对随版图尺寸呈指数增加的相位冲突,还提出了一个自适应粒度的划分方法,以减少计算时间。该算法和原型系统的有效性在多个不同尺寸的实际版图上得到了成功的验证。

用相移掩模光刻技术制作大相对孔径二元透镜的研究

简述相移掩模的基本原理，提出了用相移掩模光刻技术制作大相对孔径的二元透镜的设想。通过数值模拟对相移掩模光刻技术做了探讨，给出了适合国内ｇ－线光刻机的相移掩模的设计参数。

相移掩模对曝光图形空间像光强分布影响的计算机模拟

本文讨论了提高曝光分辨率的一种主要方法：相移掩模方法。分析了相移掩模提高分辨率的原理，提出了相移掩模成像的模拟思想，推导了数学公式，并实现了计算机模拟，给出了一些初步结果。

边缘相移掩模技术

论述了边缘相移掩模的原理、制作方法和工艺步骤，并给出了一些实验结果。

相位掩膜板移动法制作DFB光纤激光器

对相移光栅的制作技术进行了介绍和比较。并采用相位掩膜板移动法研制了掺铒DFB（分布反馈）光纤激光器，激光泵浦的阈值约为4mW，线宽约为10—20kHz。

先进相移掩模(PSM)工艺技术

先进相移掩模(PSM)制造是极大规模集成电路生产中的关键工艺之一,当设计尺寸(CD)为0.18μm时,就必须在掩模关键层采用OPC(光学邻近校正)和PSM(相移技术),一般二元掩模由于图形边缘散射会降低整体的对比度,无法得到所需要的图形。通过相位移掩模(PSM)技术可以显著改善图形的对比度,提高图形分辨率。相移掩模是在一般二元掩模中增加了一层相移材料,通过数据处理、电子束曝光、制作二次曝光对准用的可识别标记、二次曝光、显影、刻蚀,并对相移、缺陷等进行分析和检测,确保能达到设计要求。