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2.5D TSV转接板无损检测方法的研究
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作者 张旋 李海娟 +1 位作者 吴道伟 张雷 《电子与封装》 2024年第6期12-17,共6页
利用以硅通孔(TSV)为核心技术的硅转接板封装3D集成电路,可以有效缩短器件的互连长度。TSV转接板在微电子领域被广泛应用,但对其工艺制备过程中的检测技术研究相对较少。TSV转接板的检测对评估其良率与应用可靠性至关重要。因此,总结了... 利用以硅通孔(TSV)为核心技术的硅转接板封装3D集成电路,可以有效缩短器件的互连长度。TSV转接板在微电子领域被广泛应用,但对其工艺制备过程中的检测技术研究相对较少。TSV转接板的检测对评估其良率与应用可靠性至关重要。因此,总结了7种非破坏性检测技术,探讨了无损检测技术的基本原理和优缺点,形成了1种系统的2.5D TSV转接板无损检测的评价方法。该方法不仅为2.5D微模组产品的研制与开发提供了支撑,还满足了3D封装的典型应用需求。 展开更多
关键词 封装技术 tsv转接板 无损检测
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用2.5D TSV实现多处理器SiP功能 被引量:1
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作者 Deborah Patterson Mike Kelly +3 位作者 Rick Reed Steve Eplett Zafer Kutlu Ramakanth Alapati 《中国集成电路》 2014年第11期27-32,84,共7页
本项目由Open-Silicon,GLOBALFOUNDRI ES和Amkor三家公司合作完成。两颗28nm的ARM处理器芯片,通过2.5D硅转接板实现集成。芯片的高性能集成通常由晶体管制程提高来实现,应用2.5D技术的Si P正成为传统芯片系统集成的有效替代。Open-Sili... 本项目由Open-Silicon,GLOBALFOUNDRI ES和Amkor三家公司合作完成。两颗28nm的ARM处理器芯片,通过2.5D硅转接板实现集成。芯片的高性能集成通常由晶体管制程提高来实现,应用2.5D技术的Si P正成为传统芯片系统集成的有效替代。Open-Silicon负责芯片和硅转接板的设计,重点在于性能优化和成本降低。GLOBALFOUNDRI ES采用28nm超低能耗芯片工艺制造处理器芯片,而用65nm技术制造2.5D硅转接板。包括功耗优化和功能界面有效管理等概念得到验证。硅基板的高密度布线提供大量平行I/O,以实现高性能存储,并保持较低功耗。所开发的EDA设计参考流程可以用于优化2.5D设计。本文展示了如何将大颗芯片重新设计成较小的几颗芯片,通过2.5D硅转接板实现Si P系统集成,以降低成本,提高良率,增加设计灵活性和重复使用性,并减少开发风险。 展开更多
关键词 系统级封装 2.5D 穿硅孔 多处理器 2.5D穿硅孔封装
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基于质量保证前移的TSV硅转接板检验评价方法
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作者 刘莹莹 刘沛 +2 位作者 付琬月 付予 张立康 《集成电路与嵌入式系统》 2024年第7期19-24,共6页
TSV作为目前公认最先进的新型高密度封装工艺之一,其结构工艺极为复杂,当前国内鲜有大规模应用及工程适用的质量与可靠性评价方法,相关统一标准尚未完全建立。本文以目前相对成熟并已形成行业共识的2.5D封装中TSV硅转接板为对象,结合其... TSV作为目前公认最先进的新型高密度封装工艺之一,其结构工艺极为复杂,当前国内鲜有大规模应用及工程适用的质量与可靠性评价方法,相关统一标准尚未完全建立。本文以目前相对成熟并已形成行业共识的2.5D封装中TSV硅转接板为对象,结合其工艺结构特点以及实际产品生产试验的一线数据,研究提出了基于保证前移TSV硅转接板质量检验及可靠性评价方法,为TSV工艺产品的工艺质量监控、检验评价、可靠性保证及相关标准规范制定提供了一套成熟的解决方案。 展开更多
关键词 tsv 硅转接板 质量检验 可靠性评价 2.5D封装
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Signal and Power Integrity Challenges for High Density System-on-Package
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作者 Nathan Totorica Feng Li 《Semiconductor Science and Information Devices》 2022年第2期1-9,共9页
As the increasing desire for more compact,portable devices outpaces Moore’s law,innovation in packaging and system design has played a significant role in the continued miniaturization of electronic systems.Integrati... As the increasing desire for more compact,portable devices outpaces Moore’s law,innovation in packaging and system design has played a significant role in the continued miniaturization of electronic systems.Integrating more active and passive components into the package itself,as the case for system-on-package(SoP),has shown very promising results in overall size reduction and increased performance of electronic systems.With this ability to shrink electrical systems comes the many challenges of sustaining,let alone improving,reliability and performance.The fundamental signal,power,and thermal integrity issues are discussed in detail,along with published techniques from around the industry to mitigate these issues in SoP applications. 展开更多
关键词 System on package(SoP) System in package(SiP) System on chip(SoC) Through silicon via(tsv) Signal integrity Power integrity Thermal integrity
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应用于MEMS封装的TSV工艺研究 被引量:10
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作者 王宇哲 汪学方 +5 位作者 徐明海 吕植成 徐春林 胡畅 王志勇 刘胜 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第1期62-67,共6页
开展了应用于微机电系统(MEMS)封装的硅通孔(TSV)工艺研究,分析了典型TSV的工艺,使用Bosch工艺干法刻蚀形成通孔,气体SF6和气体C4F8的流量分别为450和190 cm3/min,一个刻蚀周期内的刻蚀和保护时长分别为8和3 s;热氧化形成绝缘层;溅射50 ... 开展了应用于微机电系统(MEMS)封装的硅通孔(TSV)工艺研究,分析了典型TSV的工艺,使用Bosch工艺干法刻蚀形成通孔,气体SF6和气体C4F8的流量分别为450和190 cm3/min,一个刻蚀周期内的刻蚀和保护时长分别为8和3 s;热氧化形成绝缘层;溅射50 nm Ti黏附阻挡层和1μm Cu种子层;使用硫酸铜和甲基磺酸铜体系电镀液电镀填充通孔,比较了双面电镀和自下而上电镀工艺;最终获得了硅片厚度370μm、通孔直径60μm TSV加工工艺。测试结果证明:样品TSV无孔隙;其TSV电阻值小于0.01Ω;样品气密性良好。 展开更多
关键词 硅通孔(tsv) 微机电系统(MEMS)封装 Bosch工艺 刻蚀 电镀
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含TSV结构的3D封装多层堆叠Cu/Sn键合技术 被引量:4
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作者 吕亚平 刘孝刚 +1 位作者 陈明祥 刘胜 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期64-70,共7页
研究了利用Cu/Sn对含硅通孔(TSV)结构的多层芯片堆叠键合技术。采用刻蚀和电镀等工艺,制备出含TSV结构的待键合芯片,采用扫描电子显微镜(SEM)对TSV形貌和填充效果进行了分析。研究了Cu/Sn低温键合机理,对其工艺进行了优化,得到键合温度... 研究了利用Cu/Sn对含硅通孔(TSV)结构的多层芯片堆叠键合技术。采用刻蚀和电镀等工艺,制备出含TSV结构的待键合芯片,采用扫描电子显微镜(SEM)对TSV形貌和填充效果进行了分析。研究了Cu/Sn低温键合机理,对其工艺进行了优化,得到键合温度280℃、键合时间30 s、退火温度260℃和退火时间10 min的最佳工艺条件。最后重点分析了多层堆叠Cu/Sn键合技术,采用能谱仪(EDS)分析确定键合层中Cu和Sn的原子数比例。研究了Cu层和Sn层厚度对堆叠键合过程的影响,获得了10层芯片堆叠键合样品。采用拉力测试仪和四探针法分别测试了键合样品的力学和电学性能,同时进行了高温测试和高温高湿测试,结果表明键合质量满足含TSV结构的三维封装要求。 展开更多
关键词 三维封装 硅通孔(tsv) CU Sn低温键合 多层堆叠 系统封装
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TSV封装中阻抗不连续差分互连结构宽频寄生参数建模研究 被引量:3
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作者 孟真 刘谋 +2 位作者 张兴成 郭希涛 阎跃鹏 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2017年第8期6-11,16,共7页
为了研究TSV封装内除差分对硅通孔外在硅基片的层间和层下存在的微凸点、平面互连线、倒装焊球等互连结构对差分信号传输特性的影响,提出了一种改进型的适用于描述TSV封装内"串连型差分互连阻抗"的差分对硅通孔结构的RLCG电... 为了研究TSV封装内除差分对硅通孔外在硅基片的层间和层下存在的微凸点、平面互连线、倒装焊球等互连结构对差分信号传输特性的影响,提出了一种改进型的适用于描述TSV封装内"串连型差分互连阻抗"的差分对硅通孔结构的RLCG电路模型,进而提出了一种采用"阻抗不连续系数"来描述串行连接的微凸点、平面互连线、倒装焊球等结构的"串连式阻抗不连续结构"RLCG电路模型.在此基础之上,采用HFSS三维全波仿真方法对TSV封装中的硅通孔、微凸点、平面互连线、倒装焊球等差分对互连结构的各种串行连接方式进行了三维电磁场建模和分析.将RLCG模型的差模正向传输系数与HFSS模型的分析结果进行了对比,对比结果证明在0.1~30GHz特别是3~25GHz宽频段内本文提出的上述2种RLCG电路模型能够较为准确的描述出差分互连结构的差模信号宽频传输特性. 展开更多
关键词 tsv封装 差分对tsv结构 串连型差分互连阻抗 串连式阻抗不连续结构 阻抗不连续系数 RLCG电路模型 HFSS模型
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TSV封装中互连结构的差分串扰建模研究 被引量:2
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作者 孟真 张兴成 +2 位作者 刘谋 郭希涛 阎跃鹏 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2017年第9期1-6,共6页
为了研究TSV封装中互连结构之间的串扰对差分信号传输特性的影响;针对硅通孔结构提出了一种改进型的"近邻硅通孔差分串扰"RLCG寄生参数模型,进而提出了一种适用于描述接地硅通孔对近邻硅通孔串扰影响的"接地硅通孔"... 为了研究TSV封装中互连结构之间的串扰对差分信号传输特性的影响;针对硅通孔结构提出了一种改进型的"近邻硅通孔差分串扰"RLCG寄生参数模型,进而提出了一种适用于描述接地硅通孔对近邻硅通孔串扰影响的"接地硅通孔"RLCG寄生参数模型;针对层间互连线结构提出了一种改进型的"近邻平行互连线差分串扰"RLCG寄生参数模型,进而提出了一种"近邻垂直互连线差分串扰"RLCG寄生参数模型.在此基础之上,采用HFSS三维全波仿真方法对硅通孔和层间互连线的各种实际串扰状态进行了三维电磁场建模和分析.将RLCG模型的单端-单端串扰以及单端-差分串扰与HFSS模型的分析结果进行了对比,对比结果证明在0.1~30GHz宽频段内本文提出的上述4种RLCG电路模型能够较为准确的描述TSV封装内互连结构之间的串扰特性. 展开更多
关键词 tsv封装 差分串扰 硅通孔 层间互连线 接地 耦合长度
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带有TSV的硅基大功率LED封装技术研究 被引量:1
9
作者 师帅 吕植成 +3 位作者 汪学方 王飞 袁娇娇 方靖 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期621-625,共5页
介绍了一种带有凹槽和硅通孔(through silicon via,TSV)的硅基制备以及晶圆级白光LED的封装方法。针对硅基大功率LED的封装结构建立了热传导模型,并通过有限元软件模拟分析了这种封装形式的散热效果。模拟结果显示,硅基封装满足LED芯片... 介绍了一种带有凹槽和硅通孔(through silicon via,TSV)的硅基制备以及晶圆级白光LED的封装方法。针对硅基大功率LED的封装结构建立了热传导模型,并通过有限元软件模拟分析了这种封装形式的散热效果。模拟结果显示,硅基封装满足LED芯片p-n结的温度要求。实验结合半导体制造工艺,在硅基板上完成了凹槽和通孔的制造,实现了LED芯片的有效封装。热阻测试仪测得硅基的热阻为1.068K/W。实验结果证明,这种方法有效实现了低热阻、低成本、高密度的LED芯片封装,是大功率LED封装发展的重要方向。 展开更多
关键词 大功率LED tsv 散热 封装 有限元法
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基于TSV技术的CIS芯片晶圆级封装工艺研究 被引量:3
10
作者 董西英 徐成翔 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2011年第4期151-155,共5页
基于TSV技术的封装技术是目前MEMS产品、存储器、3D IC封装中的高端和热点技术.本文论述了在国内处于领先并正在量产化研究阶段的基于TSV技术的CIS芯片晶圆级封装工艺流程.通过理论分析和实验,重点研究了在封装流程中将铝刻蚀、去胶提... 基于TSV技术的封装技术是目前MEMS产品、存储器、3D IC封装中的高端和热点技术.本文论述了在国内处于领先并正在量产化研究阶段的基于TSV技术的CIS芯片晶圆级封装工艺流程.通过理论分析和实验,重点研究了在封装流程中将铝刻蚀、去胶提前到金属镀覆之前的意义和所出现的镍滋生问题.研究表明,将铝刻蚀、去胶提前到金属镀覆之前可以缩短去胶时间,减少光刻胶的残留和金属镀覆层数;通过延长金属镀覆过程中每次UPW冲洗时间,在EN Ni中防止镀液结镍,并在镀锌时降低锌液的粘附性和镀锌后增加硝酸清洗步骤,即可消除镍滋生.以上研究对于提高封装效率和合格芯片率,降低成本是很有意义的. 展开更多
关键词 3DIC CIS tsv 晶圆级封装工艺流程 化学镀 镍滋生
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基于红外图像分析的TSV内部缺陷识别方法研究 被引量:2
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作者 聂磊 武丽丽 +2 位作者 黄一凡 刘梦然 刘江林 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2023年第1期38-43,共6页
TSV三维封装内部缺陷难以用传统方法检测。然而其内部缺陷的存在会导致热阻发生变化,对系统温度分布产生影响,因此可以通过对红外图像的分析达到对缺陷进行识别及定位的目的。文中研究了缺陷对温度场的影响,分别通过理论分析、有限元仿... TSV三维封装内部缺陷难以用传统方法检测。然而其内部缺陷的存在会导致热阻发生变化,对系统温度分布产生影响,因此可以通过对红外图像的分析达到对缺陷进行识别及定位的目的。文中研究了缺陷对温度场的影响,分别通过理论分析、有限元仿真及实验方法对TSV三维封装系统进行了热-电耦合分析,得到了缺陷铜柱类型及位置不同时的温度分布数据集,搭建了卷积神经网络(CNN)模型对2组数据集单独进行分类预测。实验结果表明:利用仿真数据集与试验数据集分别对CNN模型进行特征训练,得到的缺陷识别与定位准确率为98.65%,98.36%。由上可知,缺陷类型及位置的不同会对温度场产生不同影响,利用CNN模型对TSV红外热图像进行特征训练可以有效识别与定位内部缺陷。 展开更多
关键词 硅通孔 三维封装 内部缺陷 红外图像 卷积神经网络 识别与定位
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3D-TSV封装技术 被引量:9
12
作者 燕英强 吉勇 明雪飞 《电子与封装》 2014年第7期1-5,共5页
3D-TSV封装技术是实现多功能、高性能、高可靠且更轻、更薄、更小的系统级封装最有效的技术途径之一。3D-TSV封装关键技术包括:通孔制作、通孔薄膜淀积、磁控溅射、通孔填充、铜化学机械研磨、超薄晶圆减薄、芯片/晶圆叠层键合等。阐述... 3D-TSV封装技术是实现多功能、高性能、高可靠且更轻、更薄、更小的系统级封装最有效的技术途径之一。3D-TSV封装关键技术包括:通孔制作、通孔薄膜淀积、磁控溅射、通孔填充、铜化学机械研磨、超薄晶圆减薄、芯片/晶圆叠层键合等。阐述了每种关键技术的工艺原理、技术特点、应用范围及发展前景,关键设备、关键材料以及TSV在三维封装技术中的应用。 展开更多
关键词 3D-tsv封装 通孔 铜化学机械研磨 超薄晶圆减薄 芯片 晶圆叠层键合
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3D IC集成与硅通孔(TSV)互连 被引量:28
13
作者 童志义 《电子工业专用设备》 2009年第3期27-34,共8页
介绍了3维封装及其互连技术的研究与开发现状,重点讨论了垂直互连的硅通孔(TSV)互连工艺的关键技术及其加工设备面临的挑战,提出了工艺和设备开发商的应对措施并探讨了3DTSV封装技术的应用前景。
关键词 3D封装 芯片互连 深硅刻蚀 硅通孔(tsv) tsv刻蚀系统
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基于多种添加剂的TSV镀铜工艺研究 被引量:7
14
作者 魏红军 师开鹏 《电子工艺技术》 2014年第4期239-241,共3页
穿透硅通孔技术(TSV)是3D集成电路中芯片实现互连的一种新的技术解决方案,是半导体集成电路产业迈向3D封装时代的关键技术。在TSV制作主要工艺流程中,电镀铜填充是其中重要的一环。基于COMSOL Multiphysics平台,建立了考虑加速剂和抑制... 穿透硅通孔技术(TSV)是3D集成电路中芯片实现互连的一种新的技术解决方案,是半导体集成电路产业迈向3D封装时代的关键技术。在TSV制作主要工艺流程中,电镀铜填充是其中重要的一环。基于COMSOL Multiphysics平台,建立了考虑加速剂和抑制剂作用的硅通孔电镀铜仿真模型,仿真研究得到了基于硫酸铜工艺的最优电镀药水配方,并实验验证了该配方的准确性。 展开更多
关键词 tsv 电镀 铜填充 3D封装
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基于TSV阵列传输的信道编码方案
15
作者 李振松 段肖洋 缪旻 《北京信息科技大学学报(自然科学版)》 2016年第5期26-29,共4页
提出了一种在硅通孔(Through Silicon Via,TSV)阵列传输中采用二维并行低密度奇偶校验码(Low Density Parity Check,LDPC)码信道编码的编解码整体解决方案。该方案将待传输信息按大小为(m×l)的二进制二维信息比特分块,并进行并行L... 提出了一种在硅通孔(Through Silicon Via,TSV)阵列传输中采用二维并行低密度奇偶校验码(Low Density Parity Check,LDPC)码信道编码的编解码整体解决方案。该方案将待传输信息按大小为(m×l)的二进制二维信息比特分块,并进行并行LDPC信道编码,形成(m×n)的编码码块进行传输。接收端通过对接收码块,依次进行LDPC码并行软判决迭代译码恢复发送信息。从而实现TSV阵列条件下的高吞吐量、低编码时延、高可靠性的链路级传输编码解决方案。仿真结果表明该方案能够克服TSV阵列传输码间串扰、TSV缺陷等不良因素,获得传输性能的提升。 展开更多
关键词 硅通孔 低密度奇偶校验码 传输性能仿真 三维系统级封装
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基于双面TSV互连技术的超厚硅转接板制备 被引量:3
16
作者 杨海博 戴风伟 +1 位作者 王启东 曹立强 《微纳电子技术》 北大核心 2019年第7期580-585,592,共7页
为了满足异质集成应用中对转接板机械性能方面的需求,提出了一种基于双面硅通孔(TSV)互连技术的超厚硅转接板的制备工艺方案。该方案采用Bosch工艺在转接板正面形成300μm深的TSV,通过结合保型性电镀工艺和底部填充电镀工艺进行TSV填充... 为了满足异质集成应用中对转接板机械性能方面的需求,提出了一种基于双面硅通孔(TSV)互连技术的超厚硅转接板的制备工艺方案。该方案采用Bosch工艺在转接板正面形成300μm深的TSV,通过结合保型性电镀工艺和底部填充电镀工艺进行TSV填充。在转接板背面工艺中首先通过光刻将双面TSV的重叠部分控制在一个理想的范围内,然后经深反应离子刻蚀(DRIE)工艺形成深度为20μm的TSV并完成绝缘层开窗,最后使用保型性电镀完成TSV互连。通过解决TSV刻蚀中侧壁形貌粗糙、TSV底部金属层过薄和光刻胶显影不洁等关键问题,最终得到了双面互连电阻约为20Ω、厚度约为323μm的硅转接板。 展开更多
关键词 转接板 异质集成 硅通孔(tsv) 先进封装 深反应离子刻蚀(DRIE) 保型性电镀
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基于层级多尺度方法的TSV晶圆翘曲预测模型研究 被引量:2
17
作者 孙国立 秦飞 +1 位作者 代岩伟 李宝霞 《微电子学与计算机》 2023年第1期130-137,共8页
随着电子封装技术的发展,以晶圆级封装为代表的先进封装技术对集成密度、封装尺寸,及其制造和服役可靠性提出了更高的要求.TSV晶圆封装结构具有典型的结构多尺度特征,这对有限元模型的建立带来很大挑战.为此,本文提出了一种层级多尺度方... 随着电子封装技术的发展,以晶圆级封装为代表的先进封装技术对集成密度、封装尺寸,及其制造和服役可靠性提出了更高的要求.TSV晶圆封装结构具有典型的结构多尺度特征,这对有限元模型的建立带来很大挑战.为此,本文提出了一种层级多尺度方法,并验证了所提方法的有效性.围绕上述研究内容,首先,阐明了层级多尺度方法的原理和计算流程;其次采用层级多尺度方法建立了不同TSV晶圆封装工艺下的有限元模型,模拟研究了TSV转接板工艺制程中晶圆的翘曲演化,并与实验结果相对比;最后,研究了分区数量对层级多尺度方法精度的影响.研究结果表明,计算规模相当情况下,随着分区数量的增加,计算误差明显降低.与实验结果的对比表明,该方法有相对较高的晶圆翘曲预测精度.此外,本文发展的层级多尺度方法具有一定的可移植性,可以应用到其它同类具有多尺度特征的封装结构可靠性分析中,为解决大规模晶圆级封装翘曲预测问题提供了一种新的解决思略. 展开更多
关键词 tsv晶圆 封装 层级多尺度方法 翘曲 有限元模型
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TSV结构SiP模块的等效建模仿真与热阻测试 被引量:9
18
作者 李逵 张庆学 +1 位作者 张欲欣 杨宇军 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第12期982-987,共6页
基于硅通孔(TSV)结构的系统级封装(SiP)模块内部存在多个微焊点层,数量众多的微焊点与模块尺寸差异较大,使得建模时网格划分困难和仿真计算效率低。研究了TSV结构微焊点层的均匀化等效建模方法,以TSV结构内的芯片微焊点层作为研究对象,... 基于硅通孔(TSV)结构的系统级封装(SiP)模块内部存在多个微焊点层,数量众多的微焊点与模块尺寸差异较大,使得建模时网格划分困难和仿真计算效率低。研究了TSV结构微焊点层的均匀化等效建模方法,以TSV结构内的芯片微焊点层作为研究对象,通过仿真和理论计算其等效导热系数、等效密度和等效比热容等热特性参数,建立SiP模块的详细模型和等效模型进行仿真分析,并基于瞬态双界面测量方法测出SiP模块的结壳热阻值,再对比分析详细模型和等效模型的仿真热阻值和测量偏离值。结果表明:围绕微焊点层结构的均匀化等效建模方法具有较高的仿真准确度,且计算效率显著提高,适用于复杂封装结构模块的热仿真分析。 展开更多
关键词 硅通孔(tsv)结构 微焊点层 均匀化等效建模 热阻测试 系统级封装(SiP)
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条形TSV结构性能分析与研究 被引量:1
19
作者 李振松 缪旻 《系统仿真学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期2044-2049,共6页
分析了一种新型硅通孔(Through Silicon Via,TSV)结构——条形TSV(Bar-TSV)结构的三维模型和等效电路模型,推导了B-TSV结构GSG(Ground-Signal-Ground)传输模式下的等效电路模型中RLCG参数计算公式,并根据获得的计算公式进行了仿真验证,... 分析了一种新型硅通孔(Through Silicon Via,TSV)结构——条形TSV(Bar-TSV)结构的三维模型和等效电路模型,推导了B-TSV结构GSG(Ground-Signal-Ground)传输模式下的等效电路模型中RLCG参数计算公式,并根据获得的计算公式进行了仿真验证,证实了等效电路参数计算公式的有效性。同时研究了B-TSV结构在GSG传输模式下主要参数变化对传输性能的作用机制并与传统TSV进行了性能对比分析。最后通过在印制电路板上加工出B-TSV结构样品并进行传输性能实测,验证了B-TSV相对于传统圆柱型TSV结构具有更好的传输性能。 展开更多
关键词 硅通孔 等效电路模型 性能仿真 三维系统级封装
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一种基于TSV和激光刻蚀辅助互连的改进型CIS封装 被引量:1
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作者 梁得峰 盖蔚 +1 位作者 徐高卫 罗乐 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第8期636-640,共5页
提出了一种基于硅通孔(TSV)和激光刻蚀辅助互连的改进型CMOS图像传感器(CIS)圆片级封装方法。对CIS芯片电极背部引出的关键工艺,如锥形TSV形成、TSV绝缘隔离、重布线(RDL)等进行了研究。采用低温电感耦合等离子体增强型化学气相淀积(ICP... 提出了一种基于硅通孔(TSV)和激光刻蚀辅助互连的改进型CMOS图像传感器(CIS)圆片级封装方法。对CIS芯片电极背部引出的关键工艺,如锥形TSV形成、TSV绝缘隔离、重布线(RDL)等进行了研究。采用低温电感耦合等离子体增强型化学气相淀积(ICPECVD)的方法实现TSV内绝缘隔离;采用激光刻蚀开口和RDL方法实现CIS电极的背部引出;通过采用铝电极电镀镍层的方法解决了激光刻蚀工艺中聚合物溢出影响互连的问题,提高了互连可靠性。对锥形TSV刻蚀参数进行了优化。最终在4英寸(1英寸=2.54 cm)硅/玻璃键合圆片上实现了含有276个电极的CIS圆片级封装。电性能测试结果表明,CIS圆片级封装具有良好的互连导电性,两个相邻电极间平均电阻值约为7.6Ω。 展开更多
关键词 硅通孔(tsv) 低温电感耦合等离子体增强型化学气相淀积(ICPECVD) 激光刻蚀 电镀镍 圆片级封装
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