Synthetic plasma and silicon tubular harness-based purebiological transistor amplifier circuit

Dear Editor:Kosta et al.;first ever reported the development of biologic electronic components viz resistance R,capacitance C,diode D and transistor T using human tissues and human skin.In our early study;,we have demonstrated the feasibility of liquid medium（synthetic blood plasma）to develop bio-transistor,bio-resistor,and bio-capacitor and combined them to form an amplifier using the metallic harness(the interconnecting

电感耦合等离子体原子发射光谱法同时测定纯硅中硼等13个杂质元素

研究了纯硅中微量和痕量杂质元素铝、钙、铁、锰、磷、铬、铜、镍、钛、钒、锆、砷和硼等电感耦合等离子体原子发射光谱（ICP—AES）的同时测定方法，样品以硝酸、盐酸和氢氟酸挥硅处理方法，在样品处理过程中，加入适量的甘露醇能够抑制硼的挥发。在优化选定的仪器条件和介质中测定纯硅样品和纯硅标准样品。纯硅样品中13个杂质元素的回收率均在92．0％～105．09／6之间，相对标准偏差均小于5．0％。

纯硅芯光纤的空间辐照环境适应性

研究了光纤的辐照损伤机理,对纯硅芯光纤与传统芯层掺杂光纤的结构特点进行了系统地分析,从结构组成特点上分析了两者的抗辐照性能差异。研究了国内外关于光纤的抗辐照试验标准,对各标准中剂量率、总剂量等试验条件差异进行了对比,并对不同剂量率对光纤辐照试验结果的影响进行了分析,给出了光纤在空间辐照环境条件下应用的γ辐照试验条件的选择原则。最后,采用0.1 rad(Si)/s剂量率对某国产纯硅芯光纤的抗辐照性能进行了试验评估,光纤在20 k rad(Si)总剂量辐照后光纤损耗为1.934 d B/km。空间辐照性能评估结果满足该项目的宇航型号的空间环境使用需求,辐照评估结论为可用。

纯化学发泡技术在低压缩应力松弛硅橡胶泡沫材料研制中的应用研究

运用纯化学发泡技术,采用两次硫化发泡工艺,成功制备了硅橡胶泡沫材料。研究了发泡剂用量以及发泡剂与硫化剂之间的匹配等对硅橡胶泡沫材料压缩应力松弛的影响。同时,研究了一次发泡温度和二次硫化时间对泡沫材料压缩应力松弛的影响。结果表明:在所选择的一次和二次硫化发泡工艺条件和合适的发泡剂和硫化剂等用量下,成功制得具有较低压缩应力松弛性能的硅橡胶泡沫材料。

用电去离子方法去除高纯水中硅的研究

研究了电压、pH、流量等因素对EDI去除高纯水中硅的影响,探讨了EDI装置对高纯水中硅的去除机理,并对传统工艺与EDI的除硅效果进行了对比。实验结果表明:在pH、流量等因素不变的情况下,电压的增加有利于EDI对硅的脱除;在电压、流量等因素不变的情况下,EDI对硅的脱除率随着pH的增加先增加,然后有所下降;在电压、pH等因素不变的情况下,流量的增加不利于EDI对硅的脱除。

钼蓝分光光度法测定纯金中的硅

建立了钼蓝分光光度法测定纯金中硅量的方法。确定了基体的分离方法、分离条件、还原剂及其用量;考察了酸度,试剂等对测定的影响。在优化条件下对3个合成试样进行了测定,RSD〈10%。方法的回收率在97%～122%之间,满足测定的要求。方法适用于0.001%～0.005%的硅量的测定。

半导体工艺用高纯水中硅、硼的去除

本文主要研究了EDI(Electrodeionization)对高纯水中硅、硼的脱除方法 .通过对电压、进水电导率 (淡室、浓室 )、流量 (淡室、浓室、极室 )、pH值等因素的研究 ,得出EDI最佳脱硅、硼条件 .EDI进水SiO_2 浓度为 10 0 0 μg/L ,最佳出水硅为 2 .6 6 μg/L ,为目前国内最好水平 .EDI进水硼浓度为 5 0 μg/L ,最佳出水中硼含量为 <1μg/L .满足了大规模集成电路用水中硅、硼的要求 (对于兆位电路硅要求 <3μg/L ,硼要求 <1μg/L) .

纯碳化硅超滤膜在黄酒冷杀菌工艺中的应用

研究中采用纯碳化硅超滤膜过滤用于黄酒的冷杀菌。实验证明,无论是对传统型黄酒还是清爽型黄酒,该膜均可在不升温情况下实现对致病菌的完全去除,而且经膜过滤后,所得澄清酒液中的总糖、总酸和酒精度,以及乙酸乙酯、己酸乙酯、β-苯乙醇、正丙醇和异戊醇等香气物质的活力值,与原酒液相比含量变化极小。

以煤矸石为渗硅剂在工业纯铜表面制备渗硅层的冲蚀磨损性能

以煤矸石为渗硅剂、铝粉为还原剂,采用固体粉末包埋法在850℃下保温12h对工业纯铜进行渗硅处理,获得了600μm厚的渗硅层;利用X射线衍射仪、扫描电镜等分析了渗硅层的物相组成和截面形貌,并测试了渗硅层的显微硬度和冲蚀磨损性能。结果表明:渗硅层内新生成了Cu0.83Si0.17、Cu4Si、Cu3Al和Cu9Si相,横截面组织由扩散层的亚共析体α+(α+γ)相、过渡层的α相和纯铜基体呈梯度组成;渗硅层的最高显微硬度相对纯铜基体提高了3.74倍;当冲蚀介质的水砂比为50∶16~50∶40时,渗硅层的冲蚀磨损性能较工业纯铜的提高了1.65~2.40倍;当转速为200~400r·min-1时,渗硅层的冲蚀磨损性能较工业纯铜的提高了1.78~2.25倍;当冲蚀角为30°~90°时,渗硅层的冲蚀磨损性能较工业纯铜的提高了1.22~2.62倍。

有机硅树脂在精纺纯毛织物防缩整理中的应用

采用有机硅树脂对精纺纯毛织物进行防毡缩整理,整理后的织物面积毡缩率都达到"机可洗"标准,其它各项性能指标都较好,并探讨了其防毡缩机理。

抗辐照保偏光纤耦合器

为了满足光纤陀螺对抗辐照保偏光纤耦合器的需求,采用纯石英芯、掺氟包层结构设计制作了抗辐照保偏光纤,将保偏光纤预制棒的应力区与包层之间的相对折射率控制在0.001～0.0015以内。以玻璃焊料代替环氧树脂作为保偏光纤耦合器的封装材料,增强了保偏光纤耦合器的抗辐照性能。在辐照总剂量为100krad,辐照剂量率为0.1rad/s的条件下,其辐照感生损耗小于0.6dB。实验结果表明,这种抗辐照保偏光纤耦合器具备了一定的抗辐照能力。下一步将采用辐照加固的方法进一步提高其辐照性能。

钼中痕量硅的测定

用聚乙烯醇（ＰＶＡ）为稳定剂，在高酸度下硅钼蓝与罗丹明Ｂ发生离子缔合显色反应。离子缔合物最大吸收波长为５８７ｎｍ，摩尔吸光系数ε５８７＝１．９×１０５Ｌ·ｍｏｌ－１·ｃｍ－１，硅量在０．３～６．０μｇ／１００ｍＬ范围内服从比尔定律。此法已经应用于测定纯钼、三氧化钼中的痕量硅，结果满意。

纯石英芯偏振保持光纤的性能研究

设计了纯石英纤芯的熊猫型偏振保持光纤,采用MCVD工艺制备具有掺F包层的单模棒和应力棒,用打孔镶嵌技术研制出保偏光纤,通过对光纤的数据分析,探讨引入附加衰减的原因。

工业纯铜二氧化硅渗硅层耐蚀性研究

为改善纯铜表面性能,提高使用寿命,以二氧化硅为渗剂,采用粉末包渗技术对工业纯铜进行渗硅处理。制备的渗硅层中有Cu_(0.83)Si_(0.17)、Cu_9Si、Cu_(6.69)Si等相产生,渗层最高显微硬度可达349HV0.05,约为基体的5.80倍。研究不同环境下渗硅层的耐蚀性和抗氧化性,铜渗硅后耐酸、盐及人工海水性能较基体分别提高2.26、3.77、4.38倍,抗氧化性能提高18.00倍。结果表明,采用二氧化硅在工业纯铜表面制备渗硅层是可行的。

N_2O-C_2H_2火焰原子吸收光谱法测定纯镍中硅含量

为简化纯镍中硅含量的测定过程,提高测量精度,研究了一种N2O-C2H2火焰原子吸收光谱法用于检测。介绍了方法的原理、工作参数和测定条件,并确定最佳工作条件,讨论了燃烧温度、共存离子等干扰因素的影响。实验结果表明,该法的灵敏度高、干扰小、选择性和重现性好,操作简单,分析周期短。其测定结果的相对标准偏差均小于1.0%,标准加入回收率大于97.0%(样本数n=6),可满足实验室仪器分析质量与控制的要求。

成型工艺对PBRBSC素坯及烧结体性能的影响

研究了不同成型工艺对 PBRBSC的素坯结构及烧结体显微组织的影响。研究发现 ,用原位凝固工艺获得的素坯比用干压和注浆成型的素坯孔径分布更加均匀 ,具有单峰性 ,孔洞形状规则。干压和注浆成型的烧结体中有大块残 C与残余 Si,而原位凝固工艺的烧结体无大块残余 Si和 C,它们都弥散分布在基体中。

高纯硅粉固相阶段氮化特征的研究

高纯硅粉氮化和普通硅粉氮化过程具有明显差别,在相同氮化时间,高纯硅粉氮化率明显低于普通硅粉;高纯硅粉氮化具有明显阶段性特征,可分为反应形核期、快速氮化期,速率减缓期和缓慢氮化期,而普通硅粉氮化的阶段性并不明显;高纯硅粉氮化前期产物以α-Si_3N_4相为主,在氮化后期,前期生成的氮化硅阻隔了氮气和硅粉直接接触,氮化明显变慢,产物主要为β-Si_3N_4,晶粒生长主要发生在基面上,而柱面生长缓慢,晶粒呈长径比较大的细长棒状。普通硅粉氮化时氮化硅晶粒生长不仅发生在基面,同时也发生在柱面上,前期生成的氮化硅并不能阻隔氮气和硅粉直接接触,其产物始终以α-Si_3N_4相为主,氮化硅颗粒的形状从短柱状至长柱状都有分布,柱面和基面同时生长是氮化较快的主要原因。

还原硅钼酸盐分光光度法测定非合金钢和纯铁中微量硅

为配合河北理工学院和唐山钢铁公司合作开发新项目—连铸准沸腾钢的研制，研究试验了还原硅钼酸盐分光光度法测定非合金钢和纯铁中微量硅。改进后该方法简单、适用。且由此法测得结果与等离子体发射光谱得到的分析结果一致，应用于实际生产中结果满意。本方法适用于非合金钢和纯铁中硅含量在０．００３％～０．

机械合金化法制备锂离子电池Si基负极材料及其电化学性能研究

Si具有高的储锂容量,但是其循环性能很差。采用机械合金化方法,对纯Si进行处理。同时以石墨、炭黑对纯Si进行掺杂以改善Si的循环特性。对于纯Si,随着球磨时间的延长,材料的非晶化程度增加;经过球磨后材料的平均粒径由原来的29μm变成0.2μm;由大的块状变为小的圆形颗粒。充放电结果表明未经球磨处理的纯Si的首次放电比容量较高,但放电比容量损失较大,循环性能差,而经过球磨的纯Si能增加首次放电比容量,循环性能变化不大;对纯Si采用石墨、炭黑掺杂后材料的首次放电比容量下降,循环性能有所提高;球磨和掺杂没有改变Si储锂的电位。经过阻抗分析发现,球磨后纯Si材料中Li的扩散系数增大。

钼蓝光度法测定纯钴中的硅

用钼蓝光度法测定了纯钴中微量硅，选择６５０ｎｍ为测定波长，可基本消除Ｃｏ（２＋），Ｎｉ（２＋）等的干扰。方法的回收率为９８．５％～１０２％，与溶剂萃取法的结果比较，本法更为简单易行。