RAP晶体积分衍射效率的实验研究

以北京同步辐射装置的4B7中能束线为光源,对RAP(邻苯二甲酸氢銣)晶体的积分衍射效率进行了实验标定.结果显示:晶体在不同能量段都得到了完整的衍射峰,扭摆曲线的光滑性和对称性较好,在偏离布喇格角以后衍射效率都迅速下降到本底量级.在2.1～5.8keV范围内,晶体的积分衍射效率在1×10-4rad左右.

RAP法生长KBr单晶反应机理的探讨

采用反应气氛法（ＲｅａｃｔｉｏｎＡｔｍｏｓｐｈｅｒｅＰｒｅｃｅｓｓ，简称ＲＡＰ法）生长ＫＢｒ单晶，选取ＣＣｌ＿４与ＣＨ＿２Ｂｒ＿２的混合物作为纯化ＫＢｒ熔体的试剂。探讨ＣＣｌ＿４、ＣＨ＿２Ｂｒ＿２在纯化过程中的反应机理，分析纯化试剂与含氧阴离子进行反应的可能性。采用ＲＡＰ法生长ＫＢｒ单晶的吸收系数比用普通方法生长的单晶吸收系数降低了两个数量级。

钒酸钇双折射晶体原料的去水合成

钒酸钇（ＹＶＯ４）是一种非常优良的双折射晶体。它不仅具有大的双折射值（０．２１，在１．３４μｍ下），而且易生长出大尺寸、高质量的晶体，同时也易加工镀膜。现今已逐渐取代方解石和金红石，在光纤通讯中作为光隔离器里的偏振楔形物以及在以可见光到红外（５μｍ）的光偏振器和分裂器上应用。从早期生长的ＹＶＯ４晶体透射光谱中发现在２．９μｍ波长附近有一个很宽的吸收峰。这是水和水致杂质（ＯＨ）－吸收所致。这将给在此波段范围内的晶体应用受到了限制。因此防止ＹＶＯ４原料合成及晶体生长过程中的水和水致杂质污染是十分必要的。ＹＶＯ４为金属氧化物，其原料或熔体在高温含水的气氛条件下，会引起高温水解作用生成氢氧作物：ＭＯ＋αＨ２Ｏ→ＭＯ１－α（ＯＨ）２α（１）或表示为：Ｏ２＋Ｈ２Ｏ→２（ＯＨ）－（２）在晶体生长过程中，这些氢氧化物即水致杂质（ＯＨ）－会不断地混入到晶体中引起了污染。因为水是无处不有并难以控制的杂质。因此我们尤其在原料烧结和晶体生长过程中除了尽力改善防水条件，例：原料放在隔离保纯炉内烧结防止潮湿气流入炉中，原料应保存在干燥器中。生长炉内保温材料防湿及炉壁干燥等均会减少（ＯＨ）－对ＹＶＯ４晶体污染但无法根除。防止（ＯＨ）－对?

甲芬那酸结晶过程的实验研究

本文叙述采用冷却速度控制过饱和度,研究甲芬那酸在二甲基甲酰胺溶剂中的结晶规律,寻求影响产物密度和粒度的因素,总结出使甲芬那酸密度达到0.8g/cm3以上的优惠条件是冷却降温速率在9-12℃/h之间,结晶溶液中结晶粒子的雷诺数Re应该接近100。这些数据可以作为工艺过程和工程设计的参考依据。

大型CaF_2单晶生长和评价

文叙述了利用B-S法生长CaF_2晶体时,控制坩埚锥部的固液界面而获得大块单晶的方法。B-S法生长的晶体往往需要用退火的方法清除残余应力。我们发现为消除残余应力存在一个最佳的退火温度;该温度低于通常的退火温度。比较了用引上法和B-S法生长的CaF_2晶体的位错密度分布;引上法非常类似于半导体的情况。本文还分析了CaF_2晶体中由CaO或CaS形成的光散射体及其择优沉积规律,并讨论了控制这些光散射体的方法。

用RAP晶体加工废料制备硒酸氢铷

采用 4种不同的方法对邻苯二甲酸氢铷 (RAP)晶体加工废料进行处理 ,制成硒酸氢铷晶体的生长原料 .同时对这些途径进行比较 ,得出较佳的研制线路 .