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题名Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管电学特性研究
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作者
石青宏
刘瑞庆
黄伟
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机构
深圳深爱半导体股份有限公司
中国电子科技集团公司第
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出处
《电子与封装》
2017年第6期41-44,共4页
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文摘
首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600~800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni(W)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物转变温度的上限提高了100℃。Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650~800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65 eV,理想因子接近于1。
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关键词
Ni(W)Si
热稳定性
肖特基势垒二极管
XRD
RAMAN光谱
卢瑟福背散射
快速热退火(RTA)
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Keywords
Ni(W)Si
thermal stability
Schottky Barrier Diode
XRD
Raman spectral analysis
rbs(ruther ford backscattering spectrometry)
RTA(Rapid thermal annealing)
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分类号
TN304
[电子电信—物理电子学]
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