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IGBT过电压产生机理分析及RC缓冲电路的设计 被引量:37
1
作者 姜栋栋 王烨 卢峰 《电力科学与工程》 2011年第4期23-29,共7页
由于IGBT经常工作于高频状态,因此对其关断过电压的抑制就显得尤为重要。对IGBT关断过电压的产生机理进行了分析,对常用的3种缓冲电路进行简单介绍,并且重点对RC缓冲电路的工作原理及参数确定进行了理论分析。搭建了用于测试IGBT动态特... 由于IGBT经常工作于高频状态,因此对其关断过电压的抑制就显得尤为重要。对IGBT关断过电压的产生机理进行了分析,对常用的3种缓冲电路进行简单介绍,并且重点对RC缓冲电路的工作原理及参数确定进行了理论分析。搭建了用于测试IGBT动态特性的电路模型,并通过Multisim对RC缓冲电路进行了仿真与分析,验证了RC缓冲电路的吸收特性。 展开更多
关键词 rc 缓冲电路 IGBT 浪涌电压
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移相全桥变换器中RC缓冲电路对系统影响机理与优化研究 被引量:6
2
作者 朱国荣 陈铭 +3 位作者 徐小薇 杨志 王婷婷 黄华芳 《电机与控制学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第3期71-77,共7页
移相全桥ZVS变换器副边整流二极管电压应力较高,需要设计缓冲电路来保证系统性能。然而,加入RC缓冲电路的变换器在某种工作模式下近似为LCL三阶谐振系统,导致接近开关频率的谐振甚至在整流二极管两侧产生更高的电压应力。通过建立移相全... 移相全桥ZVS变换器副边整流二极管电压应力较高,需要设计缓冲电路来保证系统性能。然而,加入RC缓冲电路的变换器在某种工作模式下近似为LCL三阶谐振系统,导致接近开关频率的谐振甚至在整流二极管两侧产生更高的电压应力。通过建立移相全桥ZVS变换器在能量传输模式期间的等效电路模型,揭示RC缓冲电路对系统稳定性产生影响机理及电路参数对振荡的影响规律,通过分析选取合理的RC缓冲电路参数,不仅有效降低整流二极管电压应力,同时抑制由缓冲电路带来的振荡问题,进而提高系统的效率。设计了一个3.2 k W(10 A,320 V)的实验样机,验证了理论分析的正确性。 展开更多
关键词 移相全桥 等效模型 rc缓冲电路 电压振荡
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基于RC阻容吸收的串联IGCT动态均压研究 被引量:7
3
作者 李时华 毛承雄 +1 位作者 陆继明 李国栋 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期163-166,共4页
为了研究串联IGCT关断时暂态特性,建立了串联IGCT的关断电流数学模型,该模型考虑了所串联的同一型号半导体开关器件物理特性存在的细微差异。基于此模型,提出了用微分方程研究串联IGCT电路关断的均压特性的思路。为验证该思路的有效性,... 为了研究串联IGCT关断时暂态特性,建立了串联IGCT的关断电流数学模型,该模型考虑了所串联的同一型号半导体开关器件物理特性存在的细微差异。基于此模型,提出了用微分方程研究串联IGCT电路关断的均压特性的思路。为验证该思路的有效性,建立了基于串联IGCT斩波电路的关断暂态模型,该模型充分考虑了IGCT阻容吸收回路、线路杂散电感对IGCT关断暂态过电压的影响。数值仿真及试验结果表明,该模型能较好地反映串联IGCT关断的均压情况。 展开更多
关键词 串联IGCT 斩波电路 阻容吸收 杂散电感 三电平 关断暂态过电压
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全桥逆变弧焊主电路中RC缓冲电路的分析与设计 被引量:1
4
作者 田松亚 李万刚 +1 位作者 孙烨 吴冬春 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期81-84,共4页
在续流回路中续流二极管的开通与关断均产生负载的巨大变化,会给线路带来一定的di/dt,它与变压器的漏感、吸收回路电感以及杂散在线路中的电感作用,会形成电压浪涌,给IGBT带来电压冲击,这不利于IGBT的可靠工作。如果续流二极管始终处于... 在续流回路中续流二极管的开通与关断均产生负载的巨大变化,会给线路带来一定的di/dt,它与变压器的漏感、吸收回路电感以及杂散在线路中的电感作用,会形成电压浪涌,给IGBT带来电压冲击,这不利于IGBT的可靠工作。如果续流二极管始终处于关断状态,则在IGBT上不产生过电压,这种关断轨迹有利于IGBT可靠工作。建立了全桥主电路中IGBT关断期间的数学模型,求解该模型得到Uce数学解析式,得到变压器的漏感越小,IGBT的Uce电压越小的结论。根据具体的主电路参数,计算出合理开关轨迹下的RC缓冲电路中的电阻值,根据缓冲回路电阻的功率限制和开关轨迹的要求计算缓冲电容值,通试试验证明了IGBT关断期间的数学模型是正确的。 展开更多
关键词 桥式逆变主电路 开关轨迹 rc缓冲电路 电压浪涌
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三电平移相全桥变换器整流二极管RC吸收参数多目标优化设计 被引量:9
5
作者 王海超 范学鑫 +3 位作者 杨国润 王瑞田 张新生 罗毅飞 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第1期159-168,共10页
传统的整流二极管RC吸收参数设计基于谐振等效电路,不能精确刻画二极管反向恢复过程,RC参数难以优化。为此,基于大功率PIN二极管集总电荷模型,采用多目标优化设计RC吸收电路参数。首先,根据三电平移相全桥变换器拓扑结构及调制方式,分析... 传统的整流二极管RC吸收参数设计基于谐振等效电路,不能精确刻画二极管反向恢复过程,RC参数难以优化。为此,基于大功率PIN二极管集总电荷模型,采用多目标优化设计RC吸收电路参数。首先,根据三电平移相全桥变换器拓扑结构及调制方式,分析了RC参数对整流二极管反向电压尖峰的影响规律。其次,基于大功率PIN二极管的集总电荷模型对理论分析进行了仿真验证。然后,采用多目标优化设计RC吸收电路。最后,实验结果验证了最优RC参数抑制整流二极管反向电压尖峰的有效性。 展开更多
关键词 三电平移相全桥变换器 二极管反向恢复 集总电荷物理模型 整流二极管电压尖峰 rc吸收电路
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一种集成RC吸收器的低EMI分离栅VDMOS 被引量:3
6
作者 王玲 成建兵 +2 位作者 陈明 张才荣 邓志豪 《微电子学》 CAS 北大核心 2020年第5期720-725,共6页
为满足高速、高集成度和低EMI的要求,提出了一种分离栅VDMOS器件。通过在JFET区集成梳状MOS电容、漂移区电阻,构成内部集成RC吸收器,减小了器件关断过程中漏端电压斜率dVds/dt和电流斜率dId/dt。仿真结果表明,相比于常规VDMOS,该VDMOS... 为满足高速、高集成度和低EMI的要求,提出了一种分离栅VDMOS器件。通过在JFET区集成梳状MOS电容、漂移区电阻,构成内部集成RC吸收器,减小了器件关断过程中漏端电压斜率dVds/dt和电流斜率dId/dt。仿真结果表明,相比于常规VDMOS,该VDMOS的漏端过冲电压从535 V降低到283 V,抖动频率从42 MHz降低到33 MHz,抖动持续时间从65 ns缩短到30 ns。 展开更多
关键词 VDMOS 分离栅 rc吸收器 EMI
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SiC-MOSFET开关模块RC缓冲吸收电路的参数优化设计 被引量:5
7
作者 施洪亮 罗德伟 +4 位作者 王佳佳 谭渺 杨奎 周帅 饶沛南 《控制与信息技术》 2021年第2期61-66,共6页
针对SiC-MOSFET开关模块开关速度快、开关电压尖峰高、缓冲吸收电路参数难以确定的问题,文章提出一种RC缓冲吸收电路参数快速优化设计方法。该方法基于包含寄生参数的电路分析模型并利用双脉冲电路,通过不同的缓冲吸收电路参数曲线来确... 针对SiC-MOSFET开关模块开关速度快、开关电压尖峰高、缓冲吸收电路参数难以确定的问题,文章提出一种RC缓冲吸收电路参数快速优化设计方法。该方法基于包含寄生参数的电路分析模型并利用双脉冲电路,通过不同的缓冲吸收电路参数曲线来确定电路参数的优化区间并选取最优的缓冲吸收电路参数。仿真和实验结果表明,采用该方法能够针对SiC-MOSFET开关模块关断尖峰电压和缓冲吸收电路总损耗快速设计出满足要求的电路参数,使关断尖峰电压和缓冲吸收电路损耗处于系统优化的最佳区间。 展开更多
关键词 SIC rc缓冲吸收 双脉冲 寄生参数 电压尖峰 优化设计
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抑制DC/DC BOOST电路尖峰电压及振铃噪声的设计与应用
8
作者 秦博 《科技创新与应用》 2024年第24期45-49,共5页
针对开关电源DC/DC BOOST电路易出现电磁辐射偏高甚至超标问题,通过对升压转换电路及其电磁辐射产生机理研究,提出一种DC/DC BOOST电路系统中寄生电容容值的确定方法及基于RC吸收电路的振铃噪声抑制方法,通过对RC吸收电路的元件参数进... 针对开关电源DC/DC BOOST电路易出现电磁辐射偏高甚至超标问题,通过对升压转换电路及其电磁辐射产生机理研究,提出一种DC/DC BOOST电路系统中寄生电容容值的确定方法及基于RC吸收电路的振铃噪声抑制方法,通过对RC吸收电路的元件参数进行计算取值并实测,测试数据显示,电路系统中尖峰电压有效降低2.2%,振铃噪声已无限趋近于0,电磁辐射峰值可有效降低4.2 dB;同时该方法不影响电路系统稳定性且成本低廉,契合大规模产业化设计需求,可有效提高产品开发效率。 展开更多
关键词 DC/DC BOOST 尖峰电压 振铃噪声 rc吸收电路 电磁辐射
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晶闸管脉冲功率开关保护参数优化计算及其影响 被引量:10
9
作者 李维波 饶金 +2 位作者 贺洪 许金 马名中 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期3099-3105,共7页
晶闸管具有承受浪涌电流的特点,提出利用它构建强脉冲功率投切开关,代替传统切换开关。整个投切过程是在母线电流过零/电压过零时进行,因此冲击小、无电磁暂态过渡过程,且无拉弧现象。以ABB公司的5STP52U5200晶闸管为例,讨论工作于脉冲... 晶闸管具有承受浪涌电流的特点,提出利用它构建强脉冲功率投切开关,代替传统切换开关。整个投切过程是在母线电流过零/电压过零时进行,因此冲击小、无电磁暂态过渡过程,且无拉弧现象。以ABB公司的5STP52U5200晶闸管为例,讨论工作于脉冲开关状态时它的反向恢复电流特点,并归纳出吸收电阻和电容的优化计算方法和设计准则。利用MATLAB的SIMULINK环境构建以晶闸管充当脉冲功率开关的整个试验回路的仿真建模,分析阻容吸收回路参数对晶闸管过电压的影响特性。该仿真模型能够正确反映晶闸管的开关暂态过程,具有良好的灵活性、与扩展性。试验验证了所提出的晶闸管的计算方法和设计准则的有效性,并有利于快速设计出满足工程需求的脉冲功率开关(阀)组件。 展开更多
关键词 脉冲功率开关 晶闸管 阻容回路 保护参数 浪涌电压 过流 过压
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晶闸管阀运行试验的过电压保护策略研究 被引量:15
10
作者 查鲲鹏 汤广福 +1 位作者 温家良 郑健超 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2006年第3期107-109,共3页
介绍了晶闸管阀运行试验过程中的暂态过电压、故障过电压及相应的保护策略。建模分析了过电压产生的机理,提出了阻容吸收和BOD触发晶闸管阀的保护策略,仿真分析结果和试验结果表明了所选保护策略的正确性和实用性。
关键词 晶闸管 过电压保护 运行试验/阻容吸收 BOD触发晶闸管
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采用Si9979的无刷直流电动机驱动电路设计 被引量:7
11
作者 何平 金明河 刘宏 《微特电机》 北大核心 2003年第3期32-34,共3页
介绍了一种新型的基于Si9979、FPGA和DSP的手指驱动系统。证明了由Si9979、比较电路、光耦隔离电路和MOSFET电动机驱动电路组成的四层无刷直流电动机驱动电路板可以满足驱动和空间要求。设计的R-C缓冲电路,很好地抑制电流方向快速切换... 介绍了一种新型的基于Si9979、FPGA和DSP的手指驱动系统。证明了由Si9979、比较电路、光耦隔离电路和MOSFET电动机驱动电路组成的四层无刷直流电动机驱动电路板可以满足驱动和空间要求。设计的R-C缓冲电路,很好地抑制电流方向快速切换时产生的瞬时电压,保证驱动系统的可靠性。 展开更多
关键词 无刷直流电动机 驱动电路 设计 Si9979 机器人
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固态限流器中大功率IGCT并联关断保护电路 被引量:7
12
作者 琚兴宝 彭振东 +2 位作者 肖友国 孙海顺 周鑫 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期395-402,共8页
集成门极换流晶闸管(integrated gate commutated thyristor,IGCT)具有大电流导通损耗低和关断过程快速均匀可靠等特性,在固态限流器(solid state fault current limiter,SSFCL)应用中具有综合优势。为此,针对固态限流器中并联运行... 集成门极换流晶闸管(integrated gate commutated thyristor,IGCT)具有大电流导通损耗低和关断过程快速均匀可靠等特性,在固态限流器(solid state fault current limiter,SSFCL)应用中具有综合优势。为此,针对固态限流器中并联运行的大功率IGCT,通过构建器件的集总电荷仿真模型对其关断过程进行了仿真分析,并结合试验验证深入研究了RC阻容缓冲和压敏电阻保护对并联IGCT关断特性的影响。大电流关断研究结果表明:RC缓冲能进一步缓解并联IGCT关断过程中的电流拥挤现象,降低拖尾电流下降率,减轻器件动态雪崩击穿的剧烈程度;在固态限流器中回路电感和关断电流均比较大的条件下,增加RC缓冲能大幅提高并联器件的关断可靠性。该研究成果可以为并联IGCT有效保护方案的设计提供参考。 展开更多
关键词 集成门极换流晶闸管 固态限流器 并联运行 关断保护 rc缓冲 压敏电阻
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船用电子设备中开关电源的电磁辐射 被引量:3
13
作者 杨伟 金华标 +2 位作者 魏柳新 赵海鸥 喻方平 《中国航海》 CSCD 北大核心 2016年第4期34-37,共4页
为研究RC缓冲电路对开关电源电磁辐射的影响,对buck型开关电源基本电路进行仿真,对比加入RC缓冲电路前后开关节点处的谐振波形,通过傅里叶变换分析RC缓冲电路对电磁辐射的影响规律。通过分析得到以下结论:RC缓冲电路在低频段可有效降低b... 为研究RC缓冲电路对开关电源电磁辐射的影响,对buck型开关电源基本电路进行仿真,对比加入RC缓冲电路前后开关节点处的谐振波形,通过傅里叶变换分析RC缓冲电路对电磁辐射的影响规律。通过分析得到以下结论:RC缓冲电路在低频段可有效降低buck型开关电源的电磁辐射水平,在高频段反而会使电磁辐射增强;减小RC缓冲电路与二极管构成的回路面积可降低buck型开关电源的电磁辐射水平。通过试验验证结论的正确性,可为开关电源中RC缓冲电路的使用提供参考。 展开更多
关键词 船用电子设备 buck型开关电源 rc缓冲电路 电磁辐射 谐振
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基于指数恢复模型的晶闸管阻容吸收参数设计 被引量:6
14
作者 郝勇 刘云霞 曾继伦 《电气技术》 2010年第2期20-23,共4页
首先介绍了一种基于指数函数反向恢复特性的晶闸管Matlab仿真模型;然后利用该指数恢复模型建立了晶闸管RC吸收回路的仿真电路,通过大量不同RC参数组合情况下的仿真数据,得出了过电压倍数、电阻损耗与RC参数之间的关系曲线;并进一步分析... 首先介绍了一种基于指数函数反向恢复特性的晶闸管Matlab仿真模型;然后利用该指数恢复模型建立了晶闸管RC吸收回路的仿真电路,通过大量不同RC参数组合情况下的仿真数据,得出了过电压倍数、电阻损耗与RC参数之间的关系曲线;并进一步分析这些曲线的变化规律,总结出了吸收电阻和吸收电容的参数设计原则。最后结合工程实例,给出了一个晶闸管阻容吸收参数设计的具体步骤。现场测试结果表明,该方法非常实用、有效。 展开更多
关键词 晶闸管 指数恢复模型 阻容吸收 参数设计
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金属氧化物限压器用于晶闸管器件串联均压保护的研究
15
作者 沈海滨 陈维江 +1 位作者 陈秀娟 李国富 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2015年第7期57-62,共6页
串联应用的大功率晶闸管器件目前均采用并联阻容吸收回路作为串联均压保护措施,但在某些应用领域,阻容吸收回路存在不适用性。文中提出了一种晶闸管器件串联均压保护的新方法,在每个串联晶闸管器件两端并联设置具有良好非线性特性的金... 串联应用的大功率晶闸管器件目前均采用并联阻容吸收回路作为串联均压保护措施,但在某些应用领域,阻容吸收回路存在不适用性。文中提出了一种晶闸管器件串联均压保护的新方法,在每个串联晶闸管器件两端并联设置具有良好非线性特性的金属氧化物限压器,来限制晶闸管开通、关断过冲电压。经过理论分析、仿真研究和试验验证,初步论证了该方法的可行性。 展开更多
关键词 晶闸管器件 串联 均压 开通 关断 过冲电压 阻容吸收回路 金属氧化物限压器
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功率器件集成门极换流晶闸管关断特性研究 被引量:8
16
作者 项小娟 毛承雄 +1 位作者 陆继明 李国栋 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2007年第7期103-107,共5页
为深入研究IGCT的关断特性,该文基于实验结果,建立了IGCT关断过程中,流过IGCT电流的波形的数学模型,在此基础上进而提出用微分方程研究电路中IGCT关断特性的方法。为验证该方法的有效性,以建立的IGCT关断过程电流波形数学模型为基础。... 为深入研究IGCT的关断特性,该文基于实验结果,建立了IGCT关断过程中,流过IGCT电流的波形的数学模型,在此基础上进而提出用微分方程研究电路中IGCT关断特性的方法。为验证该方法的有效性,以建立的IGCT关断过程电流波形数学模型为基础。该文建立基于斩波电路的IGCT关断暂态特性的数学模型。该模型充分考虑IGCT阻容吸收回路、线路杂散电感及限流电抗器对IGCT关断暂态过电压的影响。数值仿真及试验结果表明,该模型能够较好地反映IGCT关断过程中的暂态特性。 展开更多
关键词 集成门极换流晶闸管 斩波电路 阻容吸收 杂散电感 暂态特性
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DC/DC变换器输出整流桥寄生振荡机理分析与抑制 被引量:9
17
作者 刘申月 王书强 +1 位作者 王立伟 贲洪奇 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2009年第10期83-85,共3页
在考虑变压器漏感和二极管寄生参数的基础上,建立了隔离式DC/DC变换器变压器次级整流桥换流时的等效模型,并依据该模型分析了变换器输出整流桥寄生振荡的产生机理。讨论了各电路参数对寄生振荡的影响规律,介绍了几种抑制寄生振荡的常用... 在考虑变压器漏感和二极管寄生参数的基础上,建立了隔离式DC/DC变换器变压器次级整流桥换流时的等效模型,并依据该模型分析了变换器输出整流桥寄生振荡的产生机理。讨论了各电路参数对寄生振荡的影响规律,介绍了几种抑制寄生振荡的常用方法,并分析了各自的优缺点。实验表明,在所设计的13kW移相全桥ZVZCS变换器中采用RC缓冲电路,可有效抑制输出整流桥上的寄生振荡。 展开更多
关键词 变换器 振荡/寄生振荡 等效模型 rc缓冲电路
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一种实用的大功率输出整流器的设计
18
作者 孙宝文 《电气开关》 2006年第2期42-44,共3页
给出了电力操作电源拓扑结构,分析了输出整流器的工作原理,并在满足经济效益的基础上对其进行了设计,最后利用实验来验证设计的合理性。
关键词 零压开关 全桥整流 换流 rc 中网络
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针对碳化硅器件的高频逆变器缓冲电路设计 被引量:10
19
作者 卞正达 黄天一 +2 位作者 徐长福 王若隐 张铭 《电力工程技术》 2019年第6期167-172,共6页
由于大功率、高频高温等运行环境的需求,碳化硅(SiC)器件成为新一代半导体器件的代表,但其尖峰问题一直制约着这一新型器件的发展。以SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)为研究对象,着重从逆变器中运用SiC器件的方面来进行尖... 由于大功率、高频高温等运行环境的需求,碳化硅(SiC)器件成为新一代半导体器件的代表,但其尖峰问题一直制约着这一新型器件的发展。以SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)为研究对象,着重从逆变器中运用SiC器件的方面来进行尖峰问题的研究,分析了SiC MOSFET在开关过程中产生尖峰和振荡的原因,通过增加RC缓冲电路的方法对SiC的尖峰和振荡问题进行优化,结果证明RC缓冲电路可以降低SiC器件产生的尖峰和振荡。通过多组实验进行数据曲线的拟合,确定了RC缓冲电路中缓冲电容与缓冲电阻的关系表达式。 展开更多
关键词 SIC MOSFET 逆变电路 尖峰 米勒平台 rc缓冲电路
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单端正激焊接系统的分析
20
作者 于贵 张小平 《电焊机》 北大核心 2013年第8期57-59,63,共4页
开关管在开通、关断时存在过充电压和过充电流,针对开关电源数字控制焊接系统的电弧质量进行了分析和研究,提高了焊接系统电弧质量、稳定性和可靠性。主要分析了单端正激逆变焊接系统中开关管工作时尖峰电压和尖峰电流,并提出了相应的... 开关管在开通、关断时存在过充电压和过充电流,针对开关电源数字控制焊接系统的电弧质量进行了分析和研究,提高了焊接系统电弧质量、稳定性和可靠性。主要分析了单端正激逆变焊接系统中开关管工作时尖峰电压和尖峰电流,并提出了相应的解决办法。通过理论分析、仿真和试验可知,RC吸收电路能抑制开关管的过充电压和过充电流,从而确保焊接系统的电弧质量。 展开更多
关键词 焊接系统 过充电压 rc吸收电路
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