辐照对PDSOI RF MOS体接触结构器件性能的影响

基于抗辐照加固0.35μmPDSOI CMOS工艺制作了RF NMOS器件,研究了电离总剂量辐照对不同体接触结构、栅结构器件性能的影响。在其静态工作模式下,分别考虑了辐照对器件转移特性、泄漏电流、跨导及输出特性的影响;在其交流工作模式下,分别考虑了辐照对其交流小信号电流增益、最大有效/稳定增益、截止频率和最高震荡频率的影响。试验结果表明,与同类非加固工艺器件相比,此种PDSOI RF NMOS抗辐照性能更好,其中以LBBC和LTS型体接触器件受电离总剂量辐照影响最小,并且可获得截止频率22.39 GHz和最高振荡频率29.19 GHz。

脉冲调制中波发射射频强度增益补偿方法研究

脉冲调制中波发射射频采用标准强度增益分析实施补偿,忽略了相对公共相位误差的影响,导致增益补偿结果存在失真情况。因此,提出脉冲调制中波发射射频强度增益补偿方法。估计脉冲调制中波的峰值脉冲能量,并结合脉冲能量块相对公共相位误差解析其相噪,通过划分场区分析射频强度的辐射场串扰值,构建记忆多项式增益补偿该串扰值。实验结果表明:依据所提方法应用后得出的增益补偿结果,未出现失真情况,补偿效果较好。

LT5527型RF混频器及其在3G无线基站接收器中的应用

LT5527是Linear公司推出的一款高线性度有源下变频RF混频器,最高工作频率可达3.7GHz,转换增益I、IP3线性度以及噪声指标均符合3G蜂窝基站和其它高性能无线基础设施接收器的动态范围要求,能大幅度降低3G蜂窝基站的成本和简化设计。介绍LT5527的性能及特点,阐述其在3G无线基站接收器中的应用设计。

单芯片大功率RFLDMOS晶体管设计与实验

传统射频LDMOS晶体管的源区采用重掺杂p+sinker结构,该结构会占据较大的芯片面积。文中采用槽型sinker结构,可将源区sinker面积减少1/3以上。通过流片实验,得到饱和电流为170 mA/mm、击穿电压120 V、截止频率和最大振荡频率分别为5.5 GHz和10 GHz的RF LDMOS器件。在50 V工作电压、1 090 MHz频点下栅宽345 mm单芯片器件的最大输出功率362 W,功率增益15.6 dB,漏极效率38.1%。

一种高动态范围自动增益控制电路设计

为使接收机在保证高灵敏度的情况下,适应接收端信号在很大范围内变化的需求,文中提出一种射频AGC和中频AGC相结合的四组AGC级联的完全反馈式AGC结构。首先阐述其设计思想并介绍关键电路与器件;其次,设计以国产集成芯片为核心器件的用于射频接收机的自动增益控制电路实现方案,通过对信道链路合理的增益分配、合理的器件选型,实现高于120 dB大动态范围的自动增益控制。采用该方案的实制品测试结果表明,其性能指标完全达到设计要求,在不同的频点都具有良好的电参数指标。文中方法能够解决大动态范围与高灵敏度、增益精确度、线性度等方面的矛盾,并克服早期接收机温度性能差、低温下易自激的问题,接收机稳定性得到显著增强;同时通过引入数字AGC思想,可应用于通信设备常规、跳频等多种工作方式。

电场辐射发射试验测试系统场强噪声计算方法

在开展电场辐射发射试验时,测试系统10 kHz~18 GHz极宽频带范围内场强噪声的准确预测是后续电磁兼容试验规避潜在风险、能够顺利开展的关键所在。场强噪声预测问题一直困扰着试验人员或电磁兼容实验室的设计人员。为此,根据电场辐射发射试验测试系统中各设备的级联关系,建立了测试系统的级联噪声模型,结合设备电磁参数给出了场强噪声的计算公式。计算结果与实测结果相比,两者趋势一致、吻合较好,计算公式在30~200 MHz和200 MHz~1 GHz的适用性最好。场强噪声计算方法可用于电磁兼容测试系统中场强噪声的预测和评估。

一种大动态范围数字 AGC快速控制算法

在大动态范围的复杂通信系统中,自动增益控制系统的性能起着至关重要的作用。针对传统自动增益控制系统的动态范围较小及收敛速度较慢的问题,提出了一种大动态范围数字AGC快速控制算法。该算法采用射频峰值检测以及大信号指示的方式实现对射频功率的快速检测;采用平均功率的方式对中频信号功率进行滑动平均,准确获取中频信号的平均功率;结合中频和射频增益控制策略,对接收信道的增益进行分配以及快速控制,使得射频信号经过射频单元后始终位于模数转换器(Analog to Digital Converter,ADC)的动态范围内,从而实现射频信号的稳定接收。仿真结果表明,相较于传统算法,所提算法的收敛时间由毫秒级提高到了微秒级,动态范围大幅提升。

哈里斯DX-50中波发射机射频推动自动增益补偿原理

射频推动的稳定,直接影响发射机的总体性能以及技术指标。不符合要求的射频推动,容易使场效应管损坏。因此,发射机的推动级必须设计自动增益电路,以使射频推动保持在一定的电压范围。哈里斯DX-10中波发射机仅依靠推动电源调整器就能实现射频推动的自动增益。但DX-50中波发射机的推动级负载变重,其自动增益电路相比较而言更复杂一些,可调整的范围更广一些。基于此,论述哈里斯DX-50中波发射机的射频推动自动增益补偿原理、相关电路组成,并分析一起故障处理实例。

InGaP/GaAs HBT器件的制备及其特性

采用在发射区台面腐蚀时保留InGaP钝化层和去除InGaP钝化层的方法制备了两种InGaP/Ga As异质结双极晶体管(HBT)器件,研究了InGaP钝化层对HBT器件基区表面电流复合以及器件直流和射频微波特性的影响。对制备的两种器件进行了对比测试后得到:保留InGaP钝化层的HBT器件最大直流增益(β)为130,最高振荡频率(fmax)大于53 GHz,功率附加效率达到61%,线性功率增益为23 dB;而去除InGaP钝化层的器件最大β为50,f_(max)大于43 GHz,功率附加效率为57%,线性功率增益为18 dB。测试结果表明,InGaP钝化层作为一种耗尽型的钝化层能有效抑制基区表面电流的复合,提高器件直流增益,改善器件的射频微波特性。

电子线路CAD实验课程设计

为了提高以医用电子仪器为专业方向的生物医学工程专业学生使用计算机辅助设计(Computer Aided Design,CAD)软件进行电路设计和仿真的能力,开设电子线路CAD课程,指导学生使用电路图绘制工具CAPTURE进行电路图绘制和元器件制作、使用电路仿真工具PSPICE实现基本的仿真功能和制作仿真元件,并以全国大学生电子设计竞赛试题为题目,对学生进行训练。通过该课程的培养,学生掌握了CAPTURE和PSPICE,电路设计和仿真能力得到了很大的提高;同时由于题目来自竞赛试题,引起了学生较高的学习兴趣;经过竞赛题目训练,学生对CAD软件的理解程度得到大幅度提升。因此,该课程的设计是成功的,不仅提高了学生的电路设计能力和仿真能力,还为后续的专业课程打下良好基础,今后将沿此方向,继续进行改进。

一款适用于WCDMA标准的大动态范围SiGe HBT可变增益放大器设计

第三代移动通信标准WCDMA要求放大器增益可调,并且增益动态范围较大。根据这一要求给出了一种基于SiGeHBT具有高动态范围的可变增益放大器（VGA）设计。放大器为三级级联结构,第一级为输入缓冲级,第二级为增益控制级,最后为放大级。VGA的增益控制通过调整第二级的偏置实现。VGA在1.95 GHz频率下,在0～2.7 V增益控制电压变化下,具有44 dB增益变化范围,最大增益49 dB。在最大增益处最小噪声系数为2.584 dB,输入输出电压驻波比低于2,性能良好。

2.4GHz收发系统射频前端的ADS设计与仿真

针对无线移动通信环境中的应用,使用ADS软件设计了一种2.4 GHz收发系统的射频前端,射频前端中的关键模块均根据实际的集成射频模块的参数设计。使用ADS软件对设计的射频前端进行预算仿真、S参数仿真、大信号S参数仿真、谐波平衡仿真等。由仿真可以得出射频发送端的总增益为17.783 dB,效率为16%。接收端的灵敏度为-92.08 dBm,带宽为6 MHz。仿真结果表明,设计的射频前端符合实际的无线移动通信环境的要求。

衰减材料对高增益相对论速调管自激振荡的抑制

在高增益相对论速调管放大器中,自激振荡严重影响器件的正常工作并导致脉冲缩短。通过粒子模拟研究了高次模式自激振荡的激励机制,并提出在器件内加入微波衰减材料来抑制该类自激振荡。详细研究了衰减材料的电导率和几何参数与高次模式衰减常数的关系,并开展了微波衰减体的冷测实验。冷测表明微波衰减体对高次模式的衰减达11.25 dB,其性能满足器件实验要求,可以用于高增益相对论速调管的热腔实验。

一种射频宽带低噪声放大器的设计

提出了一种射频宽带低噪声放大器的实现方式,使用宽带电流反馈型运放和宽带低噪声电压反馈型运放完成了0d B^60d B增益连续可调.由于输入信号幅度小、带宽宽,系统通过屏蔽盒进行处理提高了自身的稳定性和抗干扰能力.输入电压最小峰峰值2m V,3d B带宽达0.3MHz^150MHz,最大输出正弦波有效值1.8V,在1MHz^100MHz频带内增益起伏小于1d B,性能优良,可广泛用于电子对抗、战术武器制导以及无线通信中.

四类LO信号对CMOS Gilbert混频器增益影响分析

本文深入研究了CMOS Gilbert混频器在四类本振信号(Local Oscillator,LO)作用下的开关模型,提出了相应情况下的混频器电压转换增益修正公式。基于0.25μm标准CMOS工艺的Gilbert混频器仿真结果表明,本文预测的电压增益理论值与仿真结果相差最大为0.08dB,对CMOS混频器的优化设计具有指导意义。

915MHz射频收发系统的ADS设计与仿真

针对无线通信环境中的应用,使用ADS软件设计了一种915MHz射频收发系统。射频收发系统中的关键模块均根据实际的集成射频模块的参数设计。使用ADS软件对设计进行功率增益预算仿真、S参数仿真。仿真结果表明,设计的射频收发系统符合实际的无线通信环境的要求。

3G系统中AGC的FPGA设计实现

详细介绍了数字AGC的基本原理,3G接收机需要采用AGC电路处理输入的无线信号,从而给无线环路中的可变增益放大器或数控衰减器提供外部控制信号,使得无线链路输出基本恒定且与输入信号电平无关的信号给基带部分处理,同时在很宽的范围内保持线性。RF输入电压经IF放大后,检波器检测出该电压的包络。该包络电压经AGC处理后,产生增益可变器件的控制电压,从而减小IF的输入和增益。

高性能射频宽带放大器的设计与实现

以高性能VGA芯片AD8367和电流反馈运放OPA695为核心,设计并制作了带宽为0.3~100MHz,增益在0~60d B内连续可调的射频宽带放大器。该系统主要由前级固定增益放大器OPA695、两级压控增益放大器AD8367和末级电位器可调放大器OPA695四部分组成。在前级放大中,使用OPA695电流反馈型放大器实现输入RF信号的放大,前级输出的信号再经过由电压控制的AD8367使信号进一步实现放大。最后,经过OPA695的放大得到有效值大于1V的输出电压。系统通过阻抗匹配和磁珠级联耦合,使用BNC接头等措施减少噪声、避免自激。测试表明系统实现了高频微弱信号的精确不失真放大,且增益在0~60d B内连续可调。

EMI测试中射频前置放大器的噪声及影响

在电磁干扰(EMI)测试中,射频前置放大器被用来放大微弱信号使其能被准确测量,而其噪声经常被忽略。比较了电场强度背景噪声的理论计算和实际测试结果,得出电场强度的背景噪声值取决于射频前置放大器的输入噪声。因此,噪声这一参数和前置放大器的增益同样影响着该放大器的实际效用。

带有DCOC结构的中频可编程增益放大器

介绍了一种用于射频识别接收机、能有效消除直流失调的中频可编程增益放大器。单级放大器的仿真结果可提供-10～20dB的增益控制范围,增益步长为2dB,增益误差小于0.3dB。通过在直流失调消除环路中增加一级滤波器的方法,有效地降低了直流失调和低频噪声,在40kHz工作频率下等效输入噪声电压38.04nV/Hz,直流失调消除电路可将输出直流失调量抑制在输入失调量的2%范围以内。电路采用0.18μm1P6MCMOS工艺实现。