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1000 MW核电汽轮机超速保护系统方案分析与优化
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作者 彭运洪 《热力透平》 2024年第1期63-67,70,共6页
1000 MW核电汽轮机的电子超速保护系统的硬件检测回路需定期自检。自检时继电器轮流频繁动作,可能导致触点故障,因此有必要对电子超速保护系统进行分析和优化。介绍了1000 MW核电汽轮机电子超速保护系统的原理,分析了电子超速保护系统... 1000 MW核电汽轮机的电子超速保护系统的硬件检测回路需定期自检。自检时继电器轮流频繁动作,可能导致触点故障,因此有必要对电子超速保护系统进行分析和优化。介绍了1000 MW核电汽轮机电子超速保护系统的原理,分析了电子超速保护系统的三取二逻辑的实现策略和硬件回路保护方案,总结了系统的优点和存在的风险,并针对系统在自检过程中因叠加触点单一故障而导致误跳机的问题,提出了2套并线优化方案。对方案进行了分析对比,认为4路并线优化方案可以有效降低系统自检过程中的误跳机概率,提高运行可靠性。研究成果可为同类机型的汽轮机电子超速保护系统设计提供参考。 展开更多
关键词 1000 mw核电汽轮机 电子超速保护系统 单一故障 硬件回路优化
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Equivalent Circuit Analysis of an RF Integrated Inductor with Ferrite Thin-Film 被引量:1
2
作者 任天令 杨晨 +3 位作者 刘锋 刘理天 王自惠 张筱 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期511-515,共5页
An equivalent circuit for a novel RF integrated inductor with ferrite thin-film is derived. The enhancement of the magnetic ferrite thin-film on the inductance (L) and quality factor (Q) of the inductor is analyze... An equivalent circuit for a novel RF integrated inductor with ferrite thin-film is derived. The enhancement of the magnetic ferrite thin-film on the inductance (L) and quality factor (Q) of the inductor is analyzed. Circuit element parameters are extracted from RF measurements. Compared with the reference air-core inductor without magnetic film, L and Q of the ferrite thin-film inductor are 17% and 40% higher at 2GHz,respectively. Both the equivalent circuit analysis and test results demonstrate significant enhancement of the performance of RF integration inductors by ferrite thin-film integration. 展开更多
关键词 INDUCTOR equivalent circuit ferrite thin-film rf ICs
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LMW—400型MRI装置RF激励脉冲中尖刺噪声的消除
3
作者 朴大庆 罗昌渠 《中国医疗器械杂志》 CAS 2000年第6期326-329,共4页
LMW - 4 0 0型MRI装置的射频激励信号中有尖刺噪声。此尖刺噪声在RF脉冲之后出现 ,具有约4 0 %的最大RF脉冲值。由于它存在于读出梯度期间 ,故必须消除此尖刺噪声以减少图像伪像。在调制板上进行的试验表明 ,由于两个控制信号的沿边突... LMW - 4 0 0型MRI装置的射频激励信号中有尖刺噪声。此尖刺噪声在RF脉冲之后出现 ,具有约4 0 %的最大RF脉冲值。由于它存在于读出梯度期间 ,故必须消除此尖刺噪声以减少图像伪像。在调制板上进行的试验表明 ,由于两个控制信号的沿边突然升起 ,这种噪声是固有的。对此两种信号采用简单的积分电路 。 展开更多
关键词 MRI rf脉冲 尖刺噪声 积分电路
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Performance Prospects of Fully-Depleted SOI MOSFET-Based Diodes Applied to Schenkel Circuit for RF-ID Chips
4
作者 Yasuhisa Omura Yukio Iida 《Circuits and Systems》 2013年第2期173-180,共8页
The feasibility of using the SOI-MOSFET as a quasi-diode to replace the Schottky-barrier diode in the Schenkel circuit is examined by device simulations primarily and experiments partly. Practical expressions of boost... The feasibility of using the SOI-MOSFET as a quasi-diode to replace the Schottky-barrier diode in the Schenkel circuit is examined by device simulations primarily and experiments partly. Practical expressions of boost-up efficiency for d. c. condition and a. c. condition are proposed and are examined by simulations. It is shown that the SOI-MOSFET-based quasi-diode is a promising device for the Schenkel circuit because high boost-up efficiency can be gained easily. An a. c. analysis indicates that the fully-depleted condition should hold to suppress the floating-body effect for GHz-level RF applications of a quasi-diode. 展开更多
关键词 rf-ID Schenkel circuit SOI-MOSFET Quasi-Diode Low-Power
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基于RFID的集成电路产品信息溯源系统
5
作者 张冬梅 《信息与电脑》 2023年第3期157-159,共3页
常规的集成电路产品信息溯源系统使用去中心化分布式网络认证溯源节点,易受复杂的节点业务逻辑影响,导致信息溯源系统运行异常。针对上述问题,基于射频识别技术(Radio Frequency Identification,RFID)设计了一个全新的集成电路产品信息... 常规的集成电路产品信息溯源系统使用去中心化分布式网络认证溯源节点,易受复杂的节点业务逻辑影响,导致信息溯源系统运行异常。针对上述问题,基于射频识别技术(Radio Frequency Identification,RFID)设计了一个全新的集成电路产品信息溯源系统。系统硬件部分设计了远距离无线电(Long Range Radio,LoRa)通信接口及RFID读写器。系统软件部分结合溯源关系,设置了信息溯源共识机制,构建了溯源智能合约。系统测试结果表明,设计的集成电路产品信息溯源系统性能良好,可靠性较高,符合集成电路产品的信息溯源需求,具有一定的应用价值,为后续集成电路智能化加工作出了一定的贡献。 展开更多
关键词 射频识别技术(rfID) 射频(rf) 集成 电路 产品信息 溯源系统
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用于射频能量收集的低阈值CMOS整流电路设计
6
作者 徐雷钧 孙鑫 +1 位作者 白雪 陈建锋 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期365-372,共8页
基于TSMC 180 nm工艺,设计了一款高效率低阈值整流电路。在传统差分输入交叉耦合整流电路的基础上,提出源极与衬底之间增加双PMOS对称辅助晶体管配合缓冲电容的改进结构,对整流晶体管进行阈值补偿。有效缓解了MOS管的衬底偏置效应,降低... 基于TSMC 180 nm工艺,设计了一款高效率低阈值整流电路。在传统差分输入交叉耦合整流电路的基础上,提出源极与衬底之间增加双PMOS对称辅助晶体管配合缓冲电容的改进结构,对整流晶体管进行阈值补偿。有效缓解了MOS管的衬底偏置效应,降低了整流电路的开启阈值电压,针对较低输入信号功率,提高了整流电路的功率转换效率(PCE)。同时将低阈值整流电路三级级联以提高输出电压。测试结果显示,在输入信号功率为-14 dBm@915 MHz时,三级级联低阈值整流电路实现了升压功能,能稳定输出1.2 V电压,峰值PCE约为71.32%。相较于传统结构,该低阈值整流电路更适合用于射频能量收集。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体(CMOS) 射频能量收集 低阈值电压 rf-DC整流电路 差分输入交叉耦合整流电路
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“教赛”一体“射频集成电路”研究生课程实践
7
作者 陈建锋 徐雷钧 白雪 《电气电子教学学报》 2024年第3期66-69,共4页
针对新时代背景下研究生教育问题,以面向电子信息类相关研究生课程为对象,引入电子竞赛内容作为教学设计及工程实践,以赛促课,探索满足研究生创新能力培养模式要求的“教赛”一体研究生专业课程建设方法。以江苏大学电气信息工程学院开... 针对新时代背景下研究生教育问题,以面向电子信息类相关研究生课程为对象,引入电子竞赛内容作为教学设计及工程实践,以赛促课,探索满足研究生创新能力培养模式要求的“教赛”一体研究生专业课程建设方法。以江苏大学电气信息工程学院开设的“射频集成电路”课程为例,将“研创赛”相关内容有机高效地融入课堂,在掌握理论知识的同时,有效提升研究生自主学习能力和创新实践能力。 展开更多
关键词 射频集成电路 研究生课程 电子竞赛
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“射频与微波电路”项目式教学改革实践
8
作者 李兆龙 丁大志 +1 位作者 盛亦军 韩居正 《电气电子教学学报》 2024年第3期9-13,共5页
为加快学习过程中“一万小时积累”的速度,使得学生在学习“射频与微波电路”课程时高效地进入这一现代电路设计艺术,我们创新了项目式教学方法——“课程设计Project”。通过开展精心设计的具有高度学习价值的射频与微波电路递进式设... 为加快学习过程中“一万小时积累”的速度,使得学生在学习“射频与微波电路”课程时高效地进入这一现代电路设计艺术,我们创新了项目式教学方法——“课程设计Project”。通过开展精心设计的具有高度学习价值的射频与微波电路递进式设计任务,达到了快速提升学生的学习曲线、迅速掌握该课程知识体系的目的,并在课程结束时形成对学生的过程性评价,成为一个完整的教学周期,为高校创建“新工科”教学进行了有益的探索。 展开更多
关键词 项目式教学 射频与微波电路 教学方法
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发展中的RF MEMS开关技术 被引量:7
9
作者 张永华 丁桂甫 +1 位作者 蔡炳初 蒋振新 《微纳电子技术》 CAS 2003年第5期28-32,共5页
射频MEMS开关是用MEMS技术形成的新的电路元件,与传统的半导体开关器件相比具有插入损耗低、隔离度大、线性度好等优点,将对现有雷达和通信中RF结构产生重大的影响。介绍了射频MEMS开关的工作原理、优化设计,分析了可靠性问题,举例说明... 射频MEMS开关是用MEMS技术形成的新的电路元件,与传统的半导体开关器件相比具有插入损耗低、隔离度大、线性度好等优点,将对现有雷达和通信中RF结构产生重大的影响。介绍了射频MEMS开关的工作原理、优化设计,分析了可靠性问题,举例说明了射频MEMS开关的应用,指出了其发展所面临的问题。 展开更多
关键词 射频MEMS开关 电路元件 半导体开关器件 插入损耗 工作原理 优化设计 可靠性 高频电路
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高频RFID读写器射频模拟前端的实现 被引量:7
10
作者 刘冬生 邹雪城 杨秋平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第9期669-672,679,共5页
射频识别(RFID)系统主要由RFID读写器和RFID电子标签两部分组成。给出了高频(13.56MHz)RFID系统中读写器射频模拟前端的电路设计,符合ISO/IEC14443typeA/typeB,ISO/IEC15693和ISO/IEC18000-3中任一个标准的读写器芯片设计均可采用,设计... 射频识别(RFID)系统主要由RFID读写器和RFID电子标签两部分组成。给出了高频(13.56MHz)RFID系统中读写器射频模拟前端的电路设计,符合ISO/IEC14443typeA/typeB,ISO/IEC15693和ISO/IEC18000-3中任一个标准的读写器芯片设计均可采用,设计工艺采用了中芯国际0.35μm2P3M混合CMOS技术,并给出了Cadence环境下的仿真结果。 展开更多
关键词 射频识别 读写器 射频模拟前端 调谐电路 接收电路
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硅基RF平面螺旋电感的圈数对品质因子的影响 被引量:3
11
作者 李小进 石艳玲 +1 位作者 赖宗声 朱自强 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第9期972-976,共5页
从硅衬底RF集成电路中平面螺旋电感的品质因子Q的表达式出发 ,采用ADS软件模拟计算了平面螺旋集成电感L值与品质因子Q值 .通过两组电感Q值的对比 ,发现品质因子Q随着电感圈数的增加而减小 .以电感值为 3 2 8nH的设计为例 ,将电感圈数从 ... 从硅衬底RF集成电路中平面螺旋电感的品质因子Q的表达式出发 ,采用ADS软件模拟计算了平面螺旋集成电感L值与品质因子Q值 .通过两组电感Q值的对比 ,发现品质因子Q随着电感圈数的增加而减小 .以电感值为 3 2 8nH的设计为例 ,将电感圈数从 2增加到 6 ,计算得到的品质因子Q从 4 3(@1 1GHz)降低到 2 7(@1 4GHz) ,模拟计算结果与理论分析相吻合 . 展开更多
关键词 rf集成电路 平面螺旋电感 电感圈数 品质因子
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5G毫米波反向阵极简构架与CMOS芯片实现
12
作者 郭嘉诚 胡三明 +4 位作者 沈一竹 钱昀 胡楚悠 黄永明 尤肖虎 《电子与信息学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期1570-1581,共12页
该文首次报道了一种极简构架的5G毫米波反向阵设计原理及其CMOS芯片实现技术。该毫米波反向阵极简构架,利用次谐波混频器提供相位共轭和阵列反向功能,无需移相电路及波束控制系统,便可实现波束自动回溯移动通信功能。该文采用国产0.18μ... 该文首次报道了一种极简构架的5G毫米波反向阵设计原理及其CMOS芯片实现技术。该毫米波反向阵极简构架,利用次谐波混频器提供相位共轭和阵列反向功能,无需移相电路及波束控制系统,便可实现波束自动回溯移动通信功能。该文采用国产0.18μm CMOS工艺研制了5G毫米波反向阵芯片,包括发射前端、接收前端及跟踪锁相环等核心模块,其中发射及接收前端芯片采用次谐波混频及跨导增强等技术,分别实现了19.5 d B和18.7 d B的实测转换增益。所实现的跟踪锁相环芯片具备双模工作优势,可根据不同参考信号支持幅度调制及相位调制,实测输出信号相噪优于–125 dBc/Hz@100 kHz。该文给出的测试结果验证了所提5G毫米波反向阵通信架构及其CMOS芯片实现的可行性,从而为5G/6G毫米波通信探索了一种架构极简、成本极低、拓展性强的新方案。 展开更多
关键词 毫米波集成电路 CMOS 反向阵 射频前端
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小型RFCO_2激光器的电路保护 被引量:2
13
作者 王又青 郭振华 +1 位作者 卢益民 许德胜 《激光技术》 EI CAS CSCD 1995年第5期306-308,共3页
本文详细分析研究了小型射频CO_2激光器经常出现的故障现象(过压、负载短路故障),并介绍了相应的保护措施,对实际工作有显著指导意义。
关键词 rf激励 二氧化碳激光器 电路保护
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一种便携式超高频RFID读写器的设计 被引量:9
14
作者 汪大卓 孙玲玲 蔡鹏鹏 《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》 2010年第5期33-36,共4页
该文首先分析了超高频RFID读写器的硬件架构,然后对AS3992芯片的特性进行了介绍,对其关键指标进行了分析,随后对RFID信道中的损耗进行了估算;该设计采用AS3992内部低功率线性输出,设计了对应的射频前端电路,并进行了ADS仿真验证,最后分... 该文首先分析了超高频RFID读写器的硬件架构,然后对AS3992芯片的特性进行了介绍,对其关键指标进行了分析,随后对RFID信道中的损耗进行了估算;该设计采用AS3992内部低功率线性输出,设计了对应的射频前端电路,并进行了ADS仿真验证,最后分析了ISO/IEC 18000-6B数字基带中的清点标签流程,对读写器进行了性能指标测试。 展开更多
关键词 超高频射频识别 信道估算 射频电路匹配 数字基带
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UHF RFID读写器射频前端电路设计 被引量:3
15
作者 陈颖 张福洪 陈少杰 《电子器件》 CAS 2008年第6期1857-1859,1863,共4页
RFID近年来发展迅速,广泛应用在物流、交通、军事等领域。在研究RFID读写器设计的基础上,提出了符合EPCClass-1,Generation-2标准的UHF RFID读写器射频前端的电路设计方案,着重设计了射频前端中频滤波模块和低噪声放大模块的电路。电路... RFID近年来发展迅速,广泛应用在物流、交通、军事等领域。在研究RFID读写器设计的基础上,提出了符合EPCClass-1,Generation-2标准的UHF RFID读写器射频前端的电路设计方案,着重设计了射频前端中频滤波模块和低噪声放大模块的电路。电路设计基于0.18μmCMOS工艺标准的单元库,采用EDA工具对电路进行了性能分析。仿真结果表明中频滤波模块和低噪声放大模块性能良好,符合EPC Class-1,Generation-2标准。 展开更多
关键词 UHFrfID 电路设计 EDA 射频前端
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基于GaAs STATZ模型的RF MOSFET DC建模技术 被引量:2
16
作者 程加力 韩波 +2 位作者 李寿林 翟国华 高建军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第8期591-594,603,共5页
STATZ模型是表征GaAsMESFET特性的常用模型,具有表达式简洁、参数少的优点。通过尝试将STATZ模型用于表征射频MOSFET的直流特性,提取并在ADS软件中优化了STATZ直流模型的参数。为了提高仿真精度,模型必须考虑晶体管漏极与源极的寄生电阻... STATZ模型是表征GaAsMESFET特性的常用模型,具有表达式简洁、参数少的优点。通过尝试将STATZ模型用于表征射频MOSFET的直流特性,提取并在ADS软件中优化了STATZ直流模型的参数。为了提高仿真精度,模型必须考虑晶体管漏极与源极的寄生电阻,根据MOSFET处于强反型区且漏-源电压为零时的等效电路模型提取了晶体管的漏极和源极的寄生电阻。在ADS软件中利用STATZ模型对MOSFET的直流特性进行了仿真,测量的MOSFET直流曲线与仿真曲线一致性很好,验证了模型的良好的精确度,证明了GaAs STATZ模型可以用于表征射频MOSFET的直流特性。晶体管采用中芯国际的0.13μm RF CMOS工艺制作。 展开更多
关键词 等效电路模型 参数提取 射频MOSFET GAAS STATZ模型 直流模型
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以纺织微带单元及阵列天线为接收天线的射频能量收集系统输出电压比较研究
17
作者 王楠 李梦蝶 +2 位作者 邝野 李瑶 姚澜 《Journal of Donghua University(English Edition)》 CAS 2024年第3期275-281,共7页
近些年,纺织天线作为可穿戴产品射频能量收集系统中的重要电子设备,越来越受到青睐。为研究基于纺织天线的射频能量收集系统的收集性能,该研究设计并制备了以涤纶毡为基底的纺织微带单元天线和纺织微带阵列天线。为了建立一个完整的射... 近些年,纺织天线作为可穿戴产品射频能量收集系统中的重要电子设备,越来越受到青睐。为研究基于纺织天线的射频能量收集系统的收集性能,该研究设计并制备了以涤纶毡为基底的纺织微带单元天线和纺织微带阵列天线。为了建立一个完整的射频能量收集系统,将信号发生器、功率放大器、发射天线和所设计的纺织微带天线(作为接收天线)与整流电路连接。研究结果表明,阵列天线的最大增益比单元天线高5.35 dB。最终的输出电压显示了射频能量收集系统的有效性。随着输入功率的增加、接收距离的减小,输出电压增加。通过单元天线的最高输出电压为39.2 mV,通过阵列天线的最高输出电压为72.7 mV,这是由于阵列天线的增益较高。这项研究将为该领域带来更多的研究思路。 展开更多
关键词 射频能量收集 纺织品 微带单元天线 微带阵列天线 整流电路
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可编程RF收发器CC1100的原理及开发 被引量:28
18
作者 孙维明 石江宏 陈岳林 《国外电子元器件》 2007年第9期40-42,共3页
介绍了Chipcon公司推出的一款具有极低功耗的可编程RF收发器CC1100的功能特点,给出了CC1100的应用电路设计及芯片配置方法,最后讨论了RF开发中常见的问题及解决方案。
关键词 rf CC1100 电路设计 芯片配置
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600MW级机组接入220kV电网适应性分析 被引量:5
19
作者 李刚 孙焜 李大虎 《电网与清洁能源》 2014年第10期20-25,共6页
随着1 000 MW机组大量接入500 k V电网,以及负荷中心220 k V电网分区后供电能力日益紧张,600 MW级机组接入220 k V电网的案例逐渐增多。结合湖北电网的实例,通过仿真计算研究了600 MW级机组接入220 k V电网可能带来的问题和应对措施,并... 随着1 000 MW机组大量接入500 k V电网,以及负荷中心220 k V电网分区后供电能力日益紧张,600 MW级机组接入220 k V电网的案例逐渐增多。结合湖北电网的实例,通过仿真计算研究了600 MW级机组接入220 k V电网可能带来的问题和应对措施,并提出了应遵循的原则,相关结论和建议具有较强的实际借鉴和参考价值。 展开更多
关键词 600 mw机组 220 KV电网 短路电流 稳定性 接线方式
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一种紧凑的射频CMOS放大器LC输出匹配电路 被引量:1
20
作者 赵晓冬 《电讯技术》 北大核心 2024年第4期637-642,共6页
提出了一种紧凑的射频互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)放大器LC输出匹配电路,利用放大器漏极偏置电感、输出端隔直电容与放大器输出端并联电感电容形成高阶LC谐振网络,可在占用较小芯片面积的条件... 提出了一种紧凑的射频互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)放大器LC输出匹配电路,利用放大器漏极偏置电感、输出端隔直电容与放大器输出端并联电感电容形成高阶LC谐振网络,可在占用较小芯片面积的条件下实现较传统L型匹配电路更宽频率范围的输出阻抗匹配。推导了该LC输出匹配电路元件值的计算式,并根据提出的设计方法,采用65 nm CMOS工艺设计了一款K频段放大器,其输出匹配电路尺寸仅98μm×150μm。仿真结果表明,在16.5~22.1 GHz频率范围内放大器的S 22<-10 dB,阻抗匹配带宽相比L型匹配电路增加166%。放大器实测S参数和仿真结果相符,验证了该LC匹配电路可实现紧凑的宽带阻抗匹配。 展开更多
关键词 紧凑匹配电路 射频CMOS放大器 宽带阻抗匹配 LC谐振网络
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