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采用高压RF-PECVD法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料 被引量:8
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作者 侯国付 薛俊明 +5 位作者 袁育杰 张德坤 孙建 张建军 赵颖 耿新华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期85-88,共4页
本文报道了采用高压射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料的结果。重点研究了反应压力和辉光功率对p型微晶硅材料结构和电学特性的影响。通过沉积参数的优化,在很薄的厚度(33nm)时,材料的暗... 本文报道了采用高压射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料的结果。重点研究了反应压力和辉光功率对p型微晶硅材料结构和电学特性的影响。通过沉积参数的优化,在很薄的厚度(33nm)时,材料的暗电导率依然达到1.81S/cm,激活能达25meV,晶化率为57%。文中还对高压RF-PECVD能够制备p型微晶硅材料的生长机理和高电导机理进行了分析。 展开更多
关键词 p型微晶硅 高压rf-pecvd 太阳电池
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射频功率对RF-PECVD法制备纳米硅薄膜结构特征和光学特性的影响
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作者 娄建忠 李钗 +4 位作者 张二鹏 马蕾 江子荣 王峰 闫小兵 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第23期3329-3332,共4页
利用射频等离子体增强型化学气相沉积(RF-PECVD)工艺,以SiH4和H2作为反应气体源,在石英衬底上制备了氢化纳米硅(nc-Si∶H)薄膜。其中衬底温度为250℃,H2稀释比为99%,反应压强为133Pa和射频功率为20~60W。采用α-台阶仪、X射线衍射仪(X... 利用射频等离子体增强型化学气相沉积(RF-PECVD)工艺,以SiH4和H2作为反应气体源,在石英衬底上制备了氢化纳米硅(nc-Si∶H)薄膜。其中衬底温度为250℃,H2稀释比为99%,反应压强为133Pa和射频功率为20~60W。采用α-台阶仪、X射线衍射仪(XRD)、Raman光谱仪、傅立叶变换红外光谱仪(FT-IR)和紫外-可见光分光光度计等对薄膜的结构特征和光学特性进行了测试研究。结果表明,随着射频功率的增大,nc-Si∶H薄膜的沉积速率增加,晶化率提高,晶粒尺寸增大和氢含量减小,同时薄膜的吸收系数增强,光学带隙变窄,结构有序性增强和带尾态宽度减小。 展开更多
关键词 rf-pecvd nc-Si∶H薄膜 结构特征 光学特性
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RF-PECVD法在钢衬底上沉积氮化硅薄膜的研究
3
作者 杜平凡 席珍强 +2 位作者 汪新颜 金达莱 王勇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期417-419,共3页
采用射频等离子体增强化学气相沉积法(RF-PECVD)在钢衬底上沉积氮化硅薄膜。用台阶仪、X射线光电子能谱(XPS)、透射电镜(TEM)和扫描电镜(SEM)等手段对薄膜的厚度、成分、结构及形貌进行表征,并探讨了各工艺参数对薄膜沉积速率的影响。
关键词 氮化硅薄膜 钢衬底 rf-pecvd 沉积速率
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射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)制备Si-O-N特种阻隔包装材料的研究
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作者 周美丽 陈强 葛袁静 《包装工程》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期10-12,22,共4页
采用13.56MHz射频等离子体聚合装置,以六甲基二硅氧烷(HMDSO)和四甲基硅氧烷(TMDSO)为单体、氧气以及氮气为反应气体、氩气为电离气体,在载玻片、单晶硅片、PET等基材上沉积硅氧氮薄膜。在薄膜的制备工艺研究中,通过改变放电工作压强、... 采用13.56MHz射频等离子体聚合装置,以六甲基二硅氧烷(HMDSO)和四甲基硅氧烷(TMDSO)为单体、氧气以及氮气为反应气体、氩气为电离气体,在载玻片、单晶硅片、PET等基材上沉积硅氧氮薄膜。在薄膜的制备工艺研究中,通过改变放电工作压强、放电功率、沉积时间和氧气、氮气、氩气和单体的比例等,研究所制备硅氧氮薄膜的性能。通过傅立叶红外光谱仪(FTIR)表征分析沉积膜的化学组成;采用透湿、透氧测试仪测试薄膜的阻隔性能,探讨工艺参数的变化对薄膜表面的成分和阻隔性能影响以及氮的加入对薄膜柔韧性的影响。 展开更多
关键词 阻隔包装 Si-O-N rf-pecvd 性能
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H_2稀释比对RF-PECVD制备a-Si:H/nc-Si:H薄膜的光电特性的影响 被引量:3
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作者 程自亮 蒋向东 +2 位作者 王继岷 刘韦颖 连雪艳 《电子器件》 CAS 北大核心 2015年第3期485-488,共4页
研究了H2稀释比对a-Si:H/nc-Si:H薄膜光电特性及微结构的影响。采用RF-PECVD法,以高纯Si H4及H2/Si H4混合气体为反应气源交替反应制备样品,并通过紫外-可见光分光光度计、椭偏仪及Keithley 4200、XRD对样品进行分析测试。实验表明:在... 研究了H2稀释比对a-Si:H/nc-Si:H薄膜光电特性及微结构的影响。采用RF-PECVD法,以高纯Si H4及H2/Si H4混合气体为反应气源交替反应制备样品,并通过紫外-可见光分光光度计、椭偏仪及Keithley 4200、XRD对样品进行分析测试。实验表明:在纳米级厚度的a-Si:H薄膜基础上,随着第二反应气H2/Si H4混合气中H2比率(99%、97%、95%、92%、80%)的升高,沉积速率持续下降,薄膜消光系数、禁带宽度以及电导率呈现先增大后减小的趋势。针对实验现象,结合薄膜生长机理对实验结果原因进行了分析。 展开更多
关键词 a-Si:H/nc-Si:H 氢稀释 rf-pecvd(射频等离子体化学气相沉积) 光电性能 生长机理
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RF-PECVD工艺参数对DLC膜结构及性能的影响 被引量:5
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作者 谢红希 凌贵 朱正涛 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期190-194,共5页
用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)法,在常温下实现在载玻片和单晶硅基片上沉积类金刚石(DLC)薄膜。研究结果表明,工艺参数(功率密度、氩气分压、丁烷分压和极间距)的变化对薄膜硬度和透过率影响较大。薄膜硬度随着功率密度的增... 用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)法,在常温下实现在载玻片和单晶硅基片上沉积类金刚石(DLC)薄膜。研究结果表明,工艺参数(功率密度、氩气分压、丁烷分压和极间距)的变化对薄膜硬度和透过率影响较大。薄膜硬度随着功率密度的增加而增加;随着氩气分压或丁烷分压的增加,薄膜硬度降低。薄膜的透过率随着氩气分压先增后减;丁烷分压为0.42~0.7Pa或板极间距为4.5~8cm时,薄膜的透过率均达到90%。 展开更多
关键词 类金刚石薄膜 射频等离子增强化学气相沉积 拉曼光谱 透过率
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RF-PECVD法制备大面积类金刚石薄膜性能的研究 被引量:11
7
作者 李钱陶 熊长新 杨长城 《光学与光电技术》 2006年第4期19-21,39,共4页
采用RF-PECVD法在锗、硅红外光学窗口上制备了大面积(基底直径φ=150~250 mm)类金刚石薄膜。采用拉曼光谱分析了大面积DLC膜的结构组成,对RF-PECVD法制备的大面积DLC膜的均匀性、红外光学性能、机械力学性能以及其抗恶劣环境的能力进... 采用RF-PECVD法在锗、硅红外光学窗口上制备了大面积(基底直径φ=150~250 mm)类金刚石薄膜。采用拉曼光谱分析了大面积DLC膜的结构组成,对RF-PECVD法制备的大面积DLC膜的均匀性、红外光学性能、机械力学性能以及其抗恶劣环境的能力进行了检测和分析。膜层厚度均匀性在3%以内。锗、硅红外窗口双面镀制DLC膜后,极值透过率分别达92%和96%以上,可显著提高红外光学窗口的显微硬度。膜层具有极强的抗盐雾、耐海水腐蚀和抗摩擦的能力。 展开更多
关键词 类金刚石膜 均匀性 红外 射频等离子体增强化学相沉积法
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RF-PECVD聚合类聚乙烯氧(PEO-like)薄膜及其对血小板吸附性研究 被引量:1
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作者 胡文娟 谢芬艳 +2 位作者 付亚波 陈强 翁静 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期85-89,共5页
本文采用平板式电容耦合射频(RF,13.56MHz)等离子体源,以乙二醇二甲基醚(Ethylene Glycol Di Methyl Ether)为聚合单体,氩气为辅助气体,在连续与脉冲射频等离子体两种放电模式下合成类聚乙烯氧(PEO-like)功能聚合薄膜。实验研究了等离... 本文采用平板式电容耦合射频(RF,13.56MHz)等离子体源,以乙二醇二甲基醚(Ethylene Glycol Di Methyl Ether)为聚合单体,氩气为辅助气体,在连续与脉冲射频等离子体两种放电模式下合成类聚乙烯氧(PEO-like)功能聚合薄膜。实验研究了等离子体放电参数:等离子体放电功率、工作气压、放电模式(连续或脉冲)和聚合时间等对聚合物表面结构、功能团含量、表面成分性能以及和血小板吸附等影响。利用接触角测定仪(WCA)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、原子力显微镜(AFM)等手段对聚合薄膜的结构、成分和形貌进行细致的分析。同时本文还进行体外细胞培养法,研究了类PEO功能薄膜对富血血小板的吸附,通过倒置显微镜观察细胞黏附的数量和形态变化。得到的结论为:采用RF-PECVD可以在较小功率的连续等离子体放电模式,或较长脉冲间隔的脉冲放电模式下得到结构稳定的PEO生物功能薄膜,所制备的PEO生物功能薄膜具有良好的抗血小板吸附性能。 展开更多
关键词 RF—PECVD PEO-like 血小板吸附
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RF-PECVD制备类金刚石膜的研究 被引量:2
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作者 张华 杨坚 +1 位作者 杨玉卫 王磊 《真空》 CAS 2012年第4期44-46,共3页
采用RF-PECVD法在锗(Ge)基片上沉积类金刚石(DLC)薄膜,研究了气体流量和气压对沉积区域均匀性的影响,以及基片厚度与沉积时间的关系。用拉曼光谱(Raman)分析DLC膜的结构组成,用傅立叶红外光谱仪(IR)对DLC膜的透过率进行了测量。结果表明... 采用RF-PECVD法在锗(Ge)基片上沉积类金刚石(DLC)薄膜,研究了气体流量和气压对沉积区域均匀性的影响,以及基片厚度与沉积时间的关系。用拉曼光谱(Raman)分析DLC膜的结构组成,用傅立叶红外光谱仪(IR)对DLC膜的透过率进行了测量。结果表明,在气体流量为50 sccm,气压为10 Pa,功率800 W条件下薄膜厚度均匀性可达2.1%,极值透过率达62%。 展开更多
关键词 类金刚石膜 射频等离子体增强化学气相沉积 厚度均匀性
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用RF-PECVD制备的SnO_2薄膜光电性质及化学成分 被引量:1
10
作者 陈俊芳 刘彭义 《暨南大学学报(自然科学与医学版)》 CAS CSCD 1999年第5期4-7,共4页
利用 X P S 研究了 R F- P E C V D 制备的 Sn O2 薄膜的化学计量配比,测试了 Sn O2 薄膜的光学和电加热特性. 结果表明:具有导电性能的 Sn O2 薄膜是一种非理想化学计量配比的氧化物半导体薄膜材料,薄膜... 利用 X P S 研究了 R F- P E C V D 制备的 Sn O2 薄膜的化学计量配比,测试了 Sn O2 薄膜的光学和电加热特性. 结果表明:具有导电性能的 Sn O2 薄膜是一种非理想化学计量配比的氧化物半导体薄膜材料,薄膜还具有较高的可见光透过率和较好的电加热性能. 展开更多
关键词 薄膜 化学计量配比 二氧化锡 PECVD
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RF-PECVD掺溴非晶碳氢膜的Raman光谱分析
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作者 冯建鸿 卢铁城 +1 位作者 吴卫东 贾鹏 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期3309-3311,共3页
在室温条件下,以溴乙烷为单体、氢气为载气,用13.56MHz射频等离子体化学气相淀积方法(RF-PECVD)在硅片衬底上生长了掺溴非晶碳氢薄膜(a-C∶Br∶H)。通过对其进行Raman光谱分析,研究了工作气压对薄膜结构的影响。结果显示:随着气体工作... 在室温条件下,以溴乙烷为单体、氢气为载气,用13.56MHz射频等离子体化学气相淀积方法(RF-PECVD)在硅片衬底上生长了掺溴非晶碳氢薄膜(a-C∶Br∶H)。通过对其进行Raman光谱分析,研究了工作气压对薄膜结构的影响。结果显示:随着气体工作压力从20Pa下降至5Pa,样品D峰强度增强,ID/IG值逐步由1.18增加至1.36,G峰的位置向高频轻微移动;与此同时,薄膜生长方式逐步转为低能态形式生长,薄膜中sp2C逐步由链式结构向环式结构转化。 展开更多
关键词 拉曼光谱 射频等离子体化学气相淀积方法 掺溴非晶碳氢薄膜 SP2
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Deposition of SiOx barrier films by O2/TMDSO RF-PECVD
12
作者 周美丽 付亚波 +1 位作者 陈强 葛袁静 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第4期1101-1104,共4页
This paper reports that the SiOx barrier films are deposited on polyethylene terephthalate substrate by plasmaenhanced chemical vapour deposition (PECVD) for the application of transparent barrier packaging. The var... This paper reports that the SiOx barrier films are deposited on polyethylene terephthalate substrate by plasmaenhanced chemical vapour deposition (PECVD) for the application of transparent barrier packaging. The variations of 02/Tetramethyldisiloxane (TMDSO) ratio and input power in radio frequency (RF) plasma are carried out to optimize barrier properties of the SiOx coated film. The properties of the coatings are characterized by Fourier transform infrared, water vapour transmission rate (WVTR), oxygen transmission rate (OTR), and atomic force microscopy analysers. It is found that the 02/TMDSO ratio exceeding 2:1 and the input power over 200 W yield SiOx films with low carbon contents which can be good to the barrier (WVTR and OTR) properties of the SiOx coatings. Also, the film properties not only depend on oxygen concentration of the inlet gas mixtures and input power, but also relate to the surface morphology of the coating. 展开更多
关键词 rf-pecvd TMDSO SiOx films barrier property
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PEO-Like Functional Films' Polymerization in RF-PECVD
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作者 胡立琼 陈强 葛袁静 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第5期582-584,共3页
Polymer ethylene oxide (PEO) functional films can be used as a material for biocompatible research. In this paper, we investigated the structures of PEO-like films polymerized on Si surface with diethlyene glycole d... Polymer ethylene oxide (PEO) functional films can be used as a material for biocompatible research. In this paper, we investigated the structures of PEO-like films polymerized on Si surface with diethlyene glycole dimethyl ether (DEGDME) as the precursor and Ar as the dilution gas by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). And the pulse plasma model was employed to polymerize the functional films. The chemical structure of the coatings was investigated by Fourier transform inference (FTIR) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The results indicate that PEO-like structure films can be polymerized by DEGDME/Ar plasma. The concentration of C-O functional groups polymerized in the long plasma-off time was much higher than that in the short plasma-off time. With the same discharge parameters, moreover, the C-O ratio in polymers increased with a higher injected power. 展开更多
关键词 PEO films plasma mode rf-pecvd
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RF-PECVD法制备a-Si_(1-x)C_x:H薄膜的光学性能研究 被引量:2
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作者 邱毅娇 李伟 +2 位作者 吴茂阳 傅俊威 蒋亚东 《电子器件》 CAS 2011年第1期21-24,共4页
以SiH4和CH4为源气体,采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法,通过改变CH4/SiH4流量比和射频功率制备非化学计量比氢化非晶碳化硅(a-Si1-xCx:H)薄膜。采用傅里叶转换红外光谱(FTIR)和紫外-可见(UV-Vis)光谱等测试手段,对薄膜的... 以SiH4和CH4为源气体,采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法,通过改变CH4/SiH4流量比和射频功率制备非化学计量比氢化非晶碳化硅(a-Si1-xCx:H)薄膜。采用傅里叶转换红外光谱(FTIR)和紫外-可见(UV-Vis)光谱等测试手段,对薄膜的成键情况及其对光学带隙的影响进行了研究分析。结果表明,Si-C键的强度和光学带隙随着CH4/SiH4流量比的增加而增大;但是,随着射频功率的增加,a-SiC:H薄膜的光学带隙反而略有减小。 展开更多
关键词 a-Si(1-x)Cx:H薄膜 PECVD 傅里叶转换红外光谱 紫外-可见光谱 光学性能
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HWCVD与RF-PECVD复合技术制备微晶硅薄膜的性能
15
作者 孙晓飞 张贵锋 +1 位作者 侯晓多 冯煜东 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期84-88,共5页
采用热丝化学气相沉积(HWCVD)和射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)相结合的技术,在普通载玻片和聚酰亚胺衬底上沉积制备微晶硅薄膜。系统考查了热丝到衬底的距离对沉积薄膜结构和性能的影响规律,用拉曼光谱仪、X-射线衍射仪(XRD)、紫... 采用热丝化学气相沉积(HWCVD)和射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)相结合的技术,在普通载玻片和聚酰亚胺衬底上沉积制备微晶硅薄膜。系统考查了热丝到衬底的距离对沉积薄膜结构和性能的影响规律,用拉曼光谱仪、X-射线衍射仪(XRD)、紫外可见光纤光谱仪对薄膜的晶化率、微观结构和光学性能进行研究。结果表明:薄膜沉积速率最高可达到0.73nm/s,晶化率和禁带宽度分别可以在0%~78%和0.86~1.28eV变化,射频等离子体的引入有助于多晶硅薄膜的(220)择优生长,HWCVD的引入有助于薄膜晶化。 展开更多
关键词 微晶硅薄膜 射频等离子体增强化学气相沉积 热丝气相沉积
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铜金属表面制备类金刚石薄膜及其力学性能与腐蚀性能的研究
16
作者 马会中 丁后文 张兰 《热加工工艺》 北大核心 2024年第2期86-89,96,共5页
采用厚度0.025 cm纯铜金属箔片为基体,甲烷作为碳源,氢气为工作辅助气体,通过RF-PECVD法,改变射频功率制备类金刚石薄膜(DLC)涂层,研究了射频功率对镀DLC薄膜铜金属微观形貌、硬度、摩擦系数和弹性模量的影响。通过SEM、EDS、拉曼光谱、... 采用厚度0.025 cm纯铜金属箔片为基体,甲烷作为碳源,氢气为工作辅助气体,通过RF-PECVD法,改变射频功率制备类金刚石薄膜(DLC)涂层,研究了射频功率对镀DLC薄膜铜金属微观形貌、硬度、摩擦系数和弹性模量的影响。通过SEM、EDS、拉曼光谱、AFM原子力显微镜进行微观表征。采用弹性模量测试仪、旋转摩擦测试仪、显微硬度计对镀DLC薄膜的铜金属进行研究。结果表明,射频功率为200 W时DLC薄膜存在且均匀分散在纯铜基底的表面。镀DLC薄膜的铜金属弹性模量最大为75 GPa,平均摩擦系数最低为0.11,显微硬度最大达到15.4 GPa。200 W射频功率下镀DLC薄膜铜金属腐蚀电位为-0.178 V,比纯铜金属提高了25.8%,腐蚀电流密度为1.429×10^(-8)A·cm^(-2),相比于纯铜金属降低了近一半。 展开更多
关键词 铜金属 rf-pecvd 射频功率 力学性能 耐腐蚀性能
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磁激励RF-PECVD法低温制备类金刚石薄膜及其特性 被引量:2
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作者 肖琦 杨保和 朱珊珊 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第9期1332-1336,共5页
采用磁激励射频等离子体增强化学气相沉积(M-RF-PECVD)方法,室温下分别在玻璃和Si(100)衬底上制备类金刚石(DLC)薄膜,通过扫描电镜(SEM)、傅里叶红外光谱(FTIR)和Raman光谱对不同沉积条件下制备的薄膜进行表征。结果表明,在反应压强为30... 采用磁激励射频等离子体增强化学气相沉积(M-RF-PECVD)方法,室温下分别在玻璃和Si(100)衬底上制备类金刚石(DLC)薄膜,通过扫描电镜(SEM)、傅里叶红外光谱(FTIR)和Raman光谱对不同沉积条件下制备的薄膜进行表征。结果表明,在反应压强为30 Pa、入射功率为50 W、CH4/Ar=5/90、衬底温度为40℃的实验条件下,制备的含氢DLC薄膜表面平整、结构致密,膜基结合度良好,薄膜中以sp3键为主。 展开更多
关键词 磁激励 射频等离子体增强化学气相沉积(rf-pecvd) 低温 类金刚石(DLC) 声表面波(SAW) 气体传感器
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用RF-PECVD法制备类金刚石薄膜 被引量:7
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作者 熊文文 何嵩 +3 位作者 郑淞生 程其进 沈宏勋 陈朝 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期154-160,共7页
用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在硅衬底上沉积类金刚石(DLC)薄膜,通过控制甲烷(CH4)与氩气(Ar)流量的比值(V_(CH4)/V_(Ar))分别在上极板和下极板上沉积制备出一系列DLC薄膜,用Raman光谱等检测技术表征了DLC薄膜的结构、... 用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在硅衬底上沉积类金刚石(DLC)薄膜,通过控制甲烷(CH4)与氩气(Ar)流量的比值(V_(CH4)/V_(Ar))分别在上极板和下极板上沉积制备出一系列DLC薄膜,用Raman光谱等检测技术表征了DLC薄膜的结构、表面粗糙度、表面形貌和硬度。结果表明:随着V_(CH4)/V_(Ar)比例的改变在下极板可制备出含有不同sp^(3)和sp^(2)杂化态比例(S_(sp)^(3)/S_(sp)^(2))的DLC薄膜。随着V_(CH4)/V_(Ar)的提高,在下极板沉积的DLC薄膜的S_(sp)^(3)/S_(sp)^(2)杂化态比值先上升后下降,V_(CH4)/V_(Ar)=1时的S_(sp)^(3)/S_(sp)^(2)杂化态比值达到最高1.34;而在上极板沉积的DLC样品其S_(sp)^(3)/S_(sp)^(2)比例没有明显的变化。在上极板进气口沉积样品比在下极板出气口沉积样品重复性好,样品更光滑致密、硬度更高。 展开更多
关键词 材料结构与性能 稳定制备 rf-pecvd 类金刚石薄膜 流量比值 衬底位置
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射频PECVD法高压快速制备纳米晶硅薄膜 被引量:4
19
作者 陈城钊 邱胜桦 +4 位作者 刘翠青 吴燕丹 李平 余楚迎 林璇英 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期848-850,共3页
采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的工作气压(133~266Pa)下,以0.4nm/s速率制备出优质的氢化纳米晶硅薄膜。薄膜的晶化率约60%,平均晶粒尺寸约6.0nm,暗电导率为10^-3~10^-4/Ω·cm。红外吸收谱显示... 采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的工作气压(133~266Pa)下,以0.4nm/s速率制备出优质的氢化纳米晶硅薄膜。薄膜的晶化率约60%,平均晶粒尺寸约6.0nm,暗电导率为10^-3~10^-4/Ω·cm。红外吸收谱显示,薄膜中没有Si-O、Si-C、Si-N等杂质键,随晶化率的提高,Si-H键也逐渐消失。 展开更多
关键词 纳米晶硅薄膜 rf-pecvd 生长速率
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硼掺杂对用于SHJ太阳电池的nc-Si∶H薄膜微结构的影响 被引量:2
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作者 乔治 解新建 +3 位作者 刘辉 梁李敏 郝秋艳 刘彩池 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期933-938,共6页
采用RF-PECVD法在低温低功率密度下制备了p型nc-Si∶H薄膜,并系统地研究了硼掺杂对薄膜微结构及光电性能的影响。结果表明:由于"硼掺杂效应",随着掺硼比的增大,nc-Si∶H薄膜的晶化率逐渐降低,晶粒尺寸减小,薄膜的择优取向由[1... 采用RF-PECVD法在低温低功率密度下制备了p型nc-Si∶H薄膜,并系统地研究了硼掺杂对薄膜微结构及光电性能的影响。结果表明:由于"硼掺杂效应",随着掺硼比的增大,nc-Si∶H薄膜的晶化率逐渐降低,晶粒尺寸减小,薄膜的择优取向由[111]变为[220];光学带隙逐渐减小,电导率则先升后降;本实验中薄膜的最优掺杂比为0.3%。以优化后的p型nc-Si∶H薄膜做窗口层,SHJ太阳电池的性能得到明显改善,获得了效率为14.1%的电池。 展开更多
关键词 rf-pecvd nc-Si∶H薄膜 硼掺杂 SHJ太阳能电池
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