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基于ICP-RIE工艺和共晶键合技术的微引擎
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作者 周鑫 赖丽燕 李以贵 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第9期1481-1487,共7页
针对便携式设备的电源存在能量密度不够、电池寿命短、回收利用困难以及难以实现小型化等问题,设计了一种氢气作为燃料的微型往复式引擎来替代小型电源,其整体设计尺寸为52 mm×43 mm×4 mm。利用绝缘体上硅(SOI)基板制作了微... 针对便携式设备的电源存在能量密度不够、电池寿命短、回收利用困难以及难以实现小型化等问题,设计了一种氢气作为燃料的微型往复式引擎来替代小型电源,其整体设计尺寸为52 mm×43 mm×4 mm。利用绝缘体上硅(SOI)基板制作了微型往复式引擎的零部件,包括上下盖板、燃烧室、活塞、弹簧和点火装置等;利用电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICPRIE)得到垂直度接近90°的硅燃烧室、活塞等部件;利用Au-Si共晶键合等关键工艺,保证了上、下盖板与燃烧室等部件之间的气密性。为了验证微引擎的的可行性,搭建了一套测量燃烧压及活塞往复运动的实验装置,测得最大燃烧压约为50 kPa,活塞最大行程长度为1.6 mm,因此其具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 微型往复式引擎 燃烧室 电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-rie) 共晶键合 燃烧压 活塞
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SiC材料的ICP-RIE浅槽刻蚀工艺 被引量:1
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作者 闫锐 李亮 +2 位作者 默江辉 崔玉兴 付兴昌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第8期600-604,共5页
介绍了用于SiC器件浅槽制作的ICP-RIE刻蚀原理,选用Cl2/Ar混合气体对SiC材料进行浅槽刻蚀,研究了ICP功率和RIE功率对刻蚀速率、刻蚀后表面粗糙度及刻蚀倾角的影响,得到了刻蚀速率、刻蚀后表面粗糙度及刻蚀倾角随刻蚀功率的变化规律。最... 介绍了用于SiC器件浅槽制作的ICP-RIE刻蚀原理,选用Cl2/Ar混合气体对SiC材料进行浅槽刻蚀,研究了ICP功率和RIE功率对刻蚀速率、刻蚀后表面粗糙度及刻蚀倾角的影响,得到了刻蚀速率、刻蚀后表面粗糙度及刻蚀倾角随刻蚀功率的变化规律。最终得到了用于SiC器件浅槽刻蚀的最优刻蚀条件。实验结果表明,RIE功率和ICP最优功率配比分别为12和500 W。该刻蚀条件应用于SiC MESFET制备中,进行了多凹槽栅结构的浅槽刻蚀,实现了多凹槽栅结构。不同深度栅凹槽的片内均匀性均达到了4%以内,片间均匀性也达到了5%,工艺稳定性及均匀性均达到了批量生产要求。 展开更多
关键词 SiC ICP-rie 浅槽刻蚀 表面粗糙度 刻蚀倾角
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微机械加工中的RIE技术 被引量:2
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作者 孙承龙 王德宁 王渭源 《传感器技术》 CSCD 1992年第6期8-11,共4页
简述了反应离子刻蚀(RIE)技术在微型传感器部件加工制造中的应用,报道了采用NF_3、SF_6等气体反应离子刻蚀Si的实验结果,研制出了φ300μm的微型Si齿轮。
关键词 离子刻蚀 rie微机械加工 传感器
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4H-SiC材料在SF_6/O_2/HBr中的ICP-RIE干法刻蚀 被引量:4
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作者 王进泽 杨香 +7 位作者 钮应喜 杨霏 何志 刘胜北 颜伟 刘敏 王晓东 杨富华 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第1期59-63,共5页
传统SiC干法刻蚀中普遍出现明显的微沟槽效应,对后续工艺以及SiC器件性能有重要影响。针对这一问题,采用SF6/O2/HBr作为刻蚀气体,对4H-SiC材料的电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE)进行了工艺条件的研究探索,分别研究了SF6,O2和HB... 传统SiC干法刻蚀中普遍出现明显的微沟槽效应,对后续工艺以及SiC器件性能有重要影响。针对这一问题,采用SF6/O2/HBr作为刻蚀气体,对4H-SiC材料的电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE)进行了工艺条件的研究探索,分别研究了SF6,O2和HBr流量百分比对SiC刻蚀速率及微沟槽效应的影响。实验结果表明:SiC刻蚀速率随SF6和O2流量百分比的增加,先增大后减小。HBr气体作为SiC刻蚀的新型附加气体,在保护侧壁和降低微沟槽效应方面具有重要作用。在SF6,O2和HBr气体流量比为11∶2∶13时取得了较好的刻蚀结果,微沟槽效应明显降低,同时获得了较高的刻蚀速率,刻蚀速率达到536 nm/min。 展开更多
关键词 碳化硅(SiC) 电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-rie) SF6/O2/HBr 微沟槽效应 刻蚀速率
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Al-Si合金RIE参数选择 被引量:3
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作者 李希有 周卫 +2 位作者 张伟 仲涛 刘志弘 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第11期19-21,共3页
采用正交试验法对二手RIE刻Al设备A-360进行工艺参数选择试验,并以均匀性、刻蚀速率、对PR选择比为评价指标。试验中发现RF功率是影响各评价指标的最主要因素。通过进一步优化工艺,制定出了均匀性小于3%,刻蚀速率高于300nm/min,对PR选... 采用正交试验法对二手RIE刻Al设备A-360进行工艺参数选择试验,并以均匀性、刻蚀速率、对PR选择比为评价指标。试验中发现RF功率是影响各评价指标的最主要因素。通过进一步优化工艺,制定出了均匀性小于3%,刻蚀速率高于300nm/min,对PR选择比好于1.8的刻Al实用工艺。 展开更多
关键词 反应离子刻蚀 正交试验 Al刻蚀 刻蚀速率
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采用RIE沉积法研制微纳工艺中的防粘连层 被引量:3
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作者 顾盼 刘景全 +1 位作者 陈迪 孙洪文 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05A期1395-1397,1400,共4页
摩擦和粘附问题已经成为影响微机电系统(MEMS)工艺性能和可靠性的主要因素.针对MEMS/NEMS中微构件表面改性问题,采用反应离子刻蚀(RIE)在硅片表面沉积氟化物薄膜,以达到降低硅片的表面能,减少其摩擦和粘附的目的.实验还将RIE沉积法制得... 摩擦和粘附问题已经成为影响微机电系统(MEMS)工艺性能和可靠性的主要因素.针对MEMS/NEMS中微构件表面改性问题,采用反应离子刻蚀(RIE)在硅片表面沉积氟化物薄膜,以达到降低硅片的表面能,减少其摩擦和粘附的目的.实验还将RIE沉积法制得的薄膜与自组装(SAMs)薄膜在浸润角、表面能、表面粗糙度等方面进行了对比. 展开更多
关键词 反应离子刻蚀 表面能 微机电系统 防粘连膜
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基于RIE和IS-DT-FCME的直扩系统窄带干扰抑制方法 被引量:4
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作者 孙志国 李立金 郭黎利 《电路与系统学报》 CSCD 北大核心 2012年第1期111-115,共5页
为了提高直扩系统中干扰抑制模块的使用效能,以降低无干扰或干扰较小时系统干扰抑制的开销、提高系统的干扰抑制能力,提出基于干扰存在性识别(RIE)和分段迭代双门限前向连续均值切除(IS-DT-FCME)算法的直扩系统窄带干扰(NBI)抑制方法。... 为了提高直扩系统中干扰抑制模块的使用效能,以降低无干扰或干扰较小时系统干扰抑制的开销、提高系统的干扰抑制能力,提出基于干扰存在性识别(RIE)和分段迭代双门限前向连续均值切除(IS-DT-FCME)算法的直扩系统窄带干扰(NBI)抑制方法。该方法利用RIE对直扩系统遭受干扰程度进行判断,确定干扰抑制器的开启;针对DT-FCME算法迭代时间长的缺点,借鉴基于均匀量化的分段迭代思想,提出IS-DT-FCME方法,提高通信效率。理论分析和实验结果表明:RIE算法对干扰类型和干扰带宽不敏感,具有很好的可靠性和有效性;存在干扰抑制时,在不改变干扰抑制性能的前提下,IS-DT-FCME的迭代次数仅为原算法的1/O(0.45N^(1/2),处理速度显著提高。 展开更多
关键词 干扰存在性识别 分段迭代双门限前向连续均值切除 窄带干扰抑制 直扩系统
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压电型微悬臂梁制备中RIE刻蚀硅工艺的研究 被引量:3
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作者 董璐 方华斌 +3 位作者 刘景全 徐东 徐峥谊 蔡炳初 《微细加工技术》 EI 2006年第5期47-50,54,共5页
介绍了一种压电型微悬臂梁的制作工艺流程,重点研究了其中硅的反应离子刻蚀(RIE)工艺,分析了工艺参数对刻蚀速率、均匀性和选择比的影响,提出通过适当调整气体流量、射频功率和工作气压,以加快刻蚀速率,改善均匀性,提高选择比。研究表明... 介绍了一种压电型微悬臂梁的制作工艺流程,重点研究了其中硅的反应离子刻蚀(RIE)工艺,分析了工艺参数对刻蚀速率、均匀性和选择比的影响,提出通过适当调整气体流量、射频功率和工作气压,以加快刻蚀速率,改善均匀性,提高选择比。研究表明,在SF6流量为20 mL/min,射频功率为20 W,工作气压为8.00 Pa的工艺条件下,硅刻蚀速率可以提高到401 nm/min,75 mm(3 in.)基片范围内的均匀性为±3.85%,硅和光刻胶的刻蚀选择比达到7.80。为制备压电悬臂梁或其它含功能薄膜的微结构提供了良好的参考。 展开更多
关键词 压电型微悬臂梁 反应离子刻蚀 刻蚀速度 均匀性 选择比
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基于RIE的自适应窄带干扰抑制算法 被引量:1
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作者 付卫红 宋长汉 +1 位作者 刘乃安 杨博 《重庆邮电大学学报(自然科学版)》 CSCD 北大核心 2016年第3期291-296,共6页
针对直接序列扩频(direct sequence spread spectrum,DSSS)通信系统中窄带干扰(narrow-band interference,NBI)抑制问题,将窄带干扰存在性识别技术(recognition of interference existence,RIE)和变换域窄带干扰抑制算法相结合,提出了... 针对直接序列扩频(direct sequence spread spectrum,DSSS)通信系统中窄带干扰(narrow-band interference,NBI)抑制问题,将窄带干扰存在性识别技术(recognition of interference existence,RIE)和变换域窄带干扰抑制算法相结合,提出了一种自适应窄带干扰抑制算法。该算法能根据接收到的信号,利用基于能限因子的RIE算法判断接收信号中是否含有窄带干扰信号,从而决定是否需要对其进行干扰抑制处理。理论分析表明,当接收信号中不含窄带干扰或干扰信号较小时,既可减少由于窄带干扰抑制算法对有用信号造成的损伤,提高误码率性能,又能降低系统处理的复杂度。仿真结果表明,自适应窄带干扰抑制方案抑制干扰误码率性能明显优于非自适应窄带干扰抑制方案。 展开更多
关键词 直接序列扩频 窄带干扰存在性识别 自适应窄带干扰抑制
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CVD金刚石薄膜RIE掩模技术研究 被引量:6
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作者 丁桂甫 俞爱斌 +2 位作者 赵小林 姚翔 沈天慧 《微细加工技术》 2001年第3期74-80,共7页
金刚石薄膜反应离子刻蚀 (RIE)必须选用硬掩模 ,基于掩模刻蚀选择比和掩模图形化加工特性考虑 ,镍和镍钛合金掩模是较好选择 ,其中 ,NiTi合金薄膜具有刻蚀选择比高、加工工艺简单、图形化效果好的优势 ,Ni掩模特别是电镀方法制作的Ni掩... 金刚石薄膜反应离子刻蚀 (RIE)必须选用硬掩模 ,基于掩模刻蚀选择比和掩模图形化加工特性考虑 ,镍和镍钛合金掩模是较好选择 ,其中 ,NiTi合金薄膜具有刻蚀选择比高、加工工艺简单、图形化效果好的优势 ,Ni掩模特别是电镀方法制作的Ni掩模以其精确的尺寸控制能力、理想的多层结构模式和适当的刻蚀选择比而特别适合于精细结构加工时使用。使用上述掩模对金刚石薄膜进行RIE ,可以获得线条整齐规则、侧壁平滑陡直的优异加工效果。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 反应离子刻蚀 掩模
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多晶硅的反应离子刻蚀(RIE)制绒绒面研究 被引量:1
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作者 张婷 郭永刚 +2 位作者 屈小勇 陈璐 王举亮 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第10期2090-2094,共5页
实验基于反应离子刻蚀(Reaction Ion Eatching RIE)技术进行的多晶硅片纳米绒面制备,这种结构的绒面可明显降低晶体硅电池反射率,提高电池短路电流。实验具体指将多晶硅片在同一条件混酸溶液中腐蚀去除表面损伤,然后利用RIE制绒技术进... 实验基于反应离子刻蚀(Reaction Ion Eatching RIE)技术进行的多晶硅片纳米绒面制备,这种结构的绒面可明显降低晶体硅电池反射率,提高电池短路电流。实验具体指将多晶硅片在同一条件混酸溶液中腐蚀去除表面损伤,然后利用RIE制绒技术进行不同尺寸纳米绒面制备,根据绒面变化分别调整工艺进行清洗及电池制备,发现绒面小到一定程度时RIE制绒过程造成的损伤不易清洗去除且抗反射Si Nx膜沉积困难。所以多晶硅片RIE制绒不可单纯的追求小绒面和低反射率,实验证明纳米绒面凹坑尺寸最小应控制在240~360 nm才能更稳定地匹配清洗、沉积抗反射膜等工艺从而制备出高光电转换效率的多晶硅电池。 展开更多
关键词 反应离子刻蚀(rie) 纳米凹坑绒面 反射率 Sil膜沉积
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PE/RIE用自寻优功率匹配器的研究
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作者 苏铮 吕砚山 王怡德 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1990年第3期199-204,共6页
本文用分布参数电路理论对干法刻蚀(PE/RIE)机中从射频电源到反应真空室的功率传送电路进行了分析。用双口网络的分析方法推导出求解L型匹配网中可变电容C_P、C_M在负载Z_L下最佳匹配值C_P、C_M的计算公式。由于当反射功率P_(ref)等于... 本文用分布参数电路理论对干法刻蚀(PE/RIE)机中从射频电源到反应真空室的功率传送电路进行了分析。用双口网络的分析方法推导出求解L型匹配网中可变电容C_P、C_M在负载Z_L下最佳匹配值C_P、C_M的计算公式。由于当反射功率P_(ref)等于零时射频放电光电信号V_L达到最大,通过测量一定负载条件下V_L与C_P、C_M的关系,提出了采用自寻优的控制策略实现自动匹配的新方法。这种方法比传统的鉴相鉴幅法自动匹配器电路简单、控制范围宽、稳定性好,有利于半导体干法刻蚀新工艺的开发和研究。自寻优匹配器由硬件和软件相结合的方法构成。硬件以8031单片微机为中心,软件采用改进的座标轮换成功失败法。经实际运行,稳定可靠,满足干法刻蚀工艺的要求。 展开更多
关键词 匹配器 干法刻蚀 PE/rie 刻蚀工艺 分布参数电路 成功失败法 光电信号 自动匹配 最佳匹配 负载条件
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A novel transgenic mouse model of Chinese CharcotMarie-Tooth disease type 2L 被引量:2
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作者 Ruxu Zhang Fufeng Zhang +8 位作者 Xiaobo Li Shunxiang Huang Xiaohong Zi Ting Liu Sanmei Liu Xuning Li Kun Xia Qian Pan Beisha Tang 《Neural Regeneration Research》 SCIE CAS CSCD 2014年第4期413-419,共7页
We previously found that the K141N mutation in heat shock protein B8 (HSPB8) was responsible for Charcot-Marie-Tooth disease type 2L in a large Chinese family. The objective of the present study was to generate a tr... We previously found that the K141N mutation in heat shock protein B8 (HSPB8) was responsible for Charcot-Marie-Tooth disease type 2L in a large Chinese family. The objective of the present study was to generate a transgenic mouse model bearing the K141N mutation in the human HSPB8 gene, and to determine whether this K141NHSPB8 transgenic mouse model would manifest the clinical phenotype of Charcot-Marie-Tooth disease type 2L, and consequently be suitable for use in studies of disease pathogenesis. Transgenic mice overexpressing K141N HSPB8 were generated using K141N mutant HSPB8 cDNA cloned into a pCAGGS plasmid driven by a human cytomegalovirus expression system. PCR and western blot analysis confirmed integration of the KI41NHSPB8 gene and widespread expression in tissues of the transgenic mice. The K141N HSPB8 transgenic mice exhibited decreased muscle strength in the hind limbs and impaired motor coordination, but no obvious sensory disturbance at 6 months of age by behavioral assessment. Electrophysiological analysis showed that the compound motor action potential amplitude in the sciatic nerve was significantly decreased, but motor nerve conduction velocity remained normal at 6 months of age. Pathological analysis of the sciatic nerve showed reduced myelinated fiber density, notable axonal edema and vacuolar degeneration in K141N HSPB8 transgenic mice, suggesting axonal involvement in the peripheral nerve damage in these animals. These findings indicate that the KI4mHSPB8 transgenic mouse successfully models Charcot-Marie-Tooth disease type 2L and can be used to study the pathogenesis of the disease. 展开更多
关键词 nerve regeneration peripheral nerve injury axonal injury animal models Charcot-Ma-rie-Tooth disease type 2L gene mutation pronuclear injection transgenic model small heat shockprotein B8 NSFC grant neural regeneration
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RIE技术制备p-n结型GaN蓝光LEDs
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作者 章其麟 张冀 +4 位作者 赵永军 李云 梁春广 刘燕飞 杨瑞林 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期94-96,共3页
自从S.Nakamura等人成功地制备了GaN/GaInN/AlGaN蓝、绿光LEDs以来,GaN及其相关化合物的材料生长和器件工艺得到了广泛地研究.由于GaN材料不同于传统的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,因此其器件的加... 自从S.Nakamura等人成功地制备了GaN/GaInN/AlGaN蓝、绿光LEDs以来,GaN及其相关化合物的材料生长和器件工艺得到了广泛地研究.由于GaN材料不同于传统的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,因此其器件的加工工艺,如欧姆或肖特基接触的形成、... 展开更多
关键词 反应离子刻蚀 氮化镓 蓝光 发光二极管
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利用RIE技术形成真空磁敏传感器的场发射阵列电子源
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作者 刘新福 李琼 +1 位作者 陈春辉 金薇 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 1996年第11期17-19,共3页
作者将现有DD—250淀积设备改装后用于RIE刻蚀,能够刻蚀出良好的FEA尖端阵列,并摸索出了一套RIE刻蚀磁敏传感器件的FEA尖端的工艺条件和工艺参数。本文对各种工艺条件和工艺参数作具体描述。
关键词 磁敏传感器 场发射阵列 电子源 传感器
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关于子流形的Riemann浸没
16
作者 李德军 宋来忠 《黄冈师范学院学报》 2005年第6期4-8,共5页
设π∶Nn+r→Nn′是R iem ann浸没,f∶Mm+r→Nn+r和f′∶Mm′→Nn′都是等距浸入,并假定M遵从R iem ann浸没π,我们证明:1)若M是N的全脐子流形,则M′是N′的全脐子流形.2)若f(M)是N的迷向子流形,则f(′M′)是N′的迷向子流形.3)如果M包... 设π∶Nn+r→Nn′是R iem ann浸没,f∶Mm+r→Nn+r和f′∶Mm′→Nn′都是等距浸入,并假定M遵从R iem ann浸没π,我们证明:1)若M是N的全脐子流形,则M′是N′的全脐子流形.2)若f(M)是N的迷向子流形,则f(′M′)是N′的迷向子流形.3)如果M包含在N的一个全测地子流形Nm+r+1中,则M′包含在N′的一个全测地子流形Nm′+1中.特别地,我们得到复射影空间和四元数射影空间中子流形的S im ons型P inch ing定理及全脐子流形的一个特征. 展开更多
关键词 全脐子流形 迷向子流形 全测地子流形 riemann浸没
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基于RIE技术的倾斜表面SOI功率器件制备技术 被引量:1
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作者 张锐 郭宇锋 +1 位作者 程玮 花婷婷 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期268-273,共6页
对一种具有倾斜表面漂移区SOI LDMOS的制造方法进行了研究,提出了多窗口反应离子刻蚀法来形成倾斜表面漂移区的新技术,建立了倾斜表面轮廓函数的数学模型,TCAD工具的2D工艺仿真证实了该技术的可行性,最终优化设计出了倾斜表面漂移区长度... 对一种具有倾斜表面漂移区SOI LDMOS的制造方法进行了研究,提出了多窗口反应离子刻蚀法来形成倾斜表面漂移区的新技术,建立了倾斜表面轮廓函数的数学模型,TCAD工具的2D工艺仿真证实了该技术的可行性,最终优化设计出了倾斜表面漂移区长度为15μm的SOI LDMOS。数值仿真结果表明,其最优结构的击穿电压可达350 V,导通电阻可达1.95Ω·mm^2,同时表现出良好的源漏输出特性。 展开更多
关键词 横向变厚度 绝缘体上硅 横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 反应离子刻蚀
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1微米硅栅CMOSASIC制造中RIE的应用
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作者 曹茬 蔡根寿 《上海微电子技术和应用》 1996年第3期17-21,26,共6页
本文主要介绍1um双阱双层金属布线硅栅CMOS专用集成电路制造中采用先进的反应离子刻蚀技术,对多种材料如LPCVD、Si3N4、PECVESi3N4、热SiO2、PEVEDSiO2、PSG、BPSG、多晶硅和Al-S... 本文主要介绍1um双阱双层金属布线硅栅CMOS专用集成电路制造中采用先进的反应离子刻蚀技术,对多种材料如LPCVD、Si3N4、PECVESi3N4、热SiO2、PEVEDSiO2、PSG、BPSG、多晶硅和Al-Si(1.0%)-Cu(0.5%)合金等进行高选择比的,各向异性刻蚀的工艺条件及其结果。获得上述各种材料刻蚀后临界尺寸(CD)总损失<0.08um的优良结果。 展开更多
关键词 硅栅 CMOS ASIC rie 制造
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伤寒Vi多糖菌苗研制—PHA和RIE法的建立及应用
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作者 范凯 秦敏 《生物制品资料选编》 1994年第17期50-52,共3页
关键词 伤寒Vi多糖 菌苗 研制 PHA法 rie
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中微介质刻蚀机Primo AD-RIE荣获第十六届工博会金奖
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《集成电路应用》 2014年第12期12-12,共1页
2014第十六届中国国际工业博览会圆满闭幕。在本届工博会t,中微公司的介质刻蚀机Primo AD—RIE从上千家参展企业中脱颖而出,被授予工博会金奖。这是中微继去年MOCVD Prismo D-BLUE夺得工博会银奖第一名之后,再获殊荣,更上层楼。
关键词 刻蚀机 微介质 rie AD 工业博览会 MOCVD 参展企业
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