用电阻补偿效应分析RTD表观正阻产生的物理机制

表观正阻是RTDI-V特性上峰值电压VP大于谷值电压VV的现象。以前的观念认为它来源于RTD和其负载电阻RL构成的锁定单元,但未阐明负载电阻产生的物理过程。对表观正阻现象产生的物理机制进行了更进一步的研究,发现了RTD串联电阻增大时形成RL/RTD锁定单元的物理过程,为建立APR的物理模型奠定了基础。