用PC机RT/CMOS周期中断实现定时间隔数据采集

介绍了利用PC机RT/CMOS实时时钟周期中断实现定时间隔数据采集的一种方法 ,给出了采集接口电路的逻辑结构和相应的算法流程 .

GE Alpha RT乳腺钼靶X射线机故障检修及改进探索

介绍了GE Alpha RT乳腺钼靶X射线机在乳腺疾病检查中的重要地位、特点与现状,分析了该设备出现的C型臂无法旋转、更换X射线视野定位灯后压迫板不能电动下降以及控制显示器面板无显示并伴随机架不能上升等3例故障的原因,提出了具体的故障检修方法并有针对性地对原电路进行适当改进,为同行及维修人员提供了参考。

共振隧穿电路中翻转-传输代数系统的建立

在传统数字电路开关-信号理论的基础上,提出了一个全新的基于共振隧穿RT(Resonant Tunneling)电路的翻转-传输理论,建立了适用于共振隧穿电路的翻转-传输代数系统,确定了两种联结运算,并用共振隧穿器件实现了该两种联结运算的基本电路结构。为设计共振隧穿电路特别是基本逻辑电路提供了一个全新的理论基础和系统的设计方法。

通用高频RFID终端的设计

该文介绍了一种通用高频RFID终端的设计方法。给出总体框架图之后,分析了核心的RFID读卡模块的硬件设计,并对关键指标进行了计算。软件部分提出采用实时操作系统的方法后,选择了适合该设计的RT-Thread实时操作系统完成软件分层、数据流规范的工作。该文同时给出了一种以太网数据格式的示例。最后对系统整体进行了参数测试,并在实际工程中应用了该设计方法。

BSI钨刻蚀(WEB)工艺流程对产品质量的影响因素研究

阐述背照式图像传感器(Backside Illumination,BSI)芯片,将硅片减薄后,在photodiode背面搭建CF及Micro Lens,光线由背面射入,增大了光电元件感光面积,减少了光线经过布线时的损失,以此可以大幅提高CIS在弱光环境下的感光能力。在华力BSI芯片流程中,钨刻蚀工艺是影响芯片光学信号噪音(RTS)的关键步骤,其关键尺寸及氧化层厚度的稳定性决定了产品质量的稳定性。但整个钨刻蚀工艺流程极长,其中多道工序对钨塞的形貌有显著影响,且依赖钨刻蚀工艺的关键尺寸等监控参数评估其工艺稳定性,给钨刻蚀工艺线上参数的管控带来诸多影响因子。通过工艺窗口实验,线上异常数据分析等方式,系统评估了钨刻蚀工艺线上监控参数与产品质量的关系,并详细讨论了BSI钨刻蚀整段工艺流程中前道工序对钨刻蚀后线上监控参数的影响,提出了各道工艺的影响机理及其对产品质量的影响因素。数据显示当钨刻蚀工艺的关键尺寸小于60nm时晶片边缘开始出现DINU的失效,当氧化层厚度小于850?时同样有晶片边缘DINU失效的风险。另外,钨刻蚀工艺后在晶片表面存在钨残留会导致一定的产品良率损失。而在整段钨刻蚀工艺流程中,硅沟槽的湿法刻蚀、金属钨沉积和钨的研磨步骤皆会对钨刻蚀后的关键尺寸造成影响,氧化层沉积厚度会对钨刻蚀后氧化层厚度造成接近1:1的影响。量产过程中主要的良率损失均来源于关键尺寸小于60nm后的DINU失效。