光刻过程RtR控制方法研究进展分析

首先对光刻过程和RtR(Run-to-Run)控制技术的产生背景进行了介绍,对统计过程控制的不足进行了分析并给出了RtR控制器的一般结构。然后从过程建模和控制算法两个角度对三种主要的光刻过程RtR控制器EWMA,MPC和ANN进行了综述和评价,对这三种控制器在非线性控制、单变量控制、多变量控制的适用性和优化控制效果进行了比较分析。最后指出基于MPC的非线性多变量控制器将成为光刻过程RtR控制器的主要研究方向。

半导体混合产品批间控制的理论与实验研究

提出了用一种半导体工业用双产品模型来研究基于机台和基于产品的控制方法。在此基础上,得到了闭环系统的输出,评估了控制性能。由于NH3的挥发类似于半导体工业的机台漂移,因此对纳米级SiO2粒子进行了实验研究。在氨溶液挥发的影响下制造不同大小的SiO2粒子,以模拟在机台干扰下生产不同产品。实验研究证实了理论结果,即基于机台的方法有时不稳定,而基于产品的方法是稳定的。

一种基于动态阈值的TCP慢启动策略

针对目前TCP拥塞控制机制的慢启动算法中存在的实际问题,提出了一种基于动态阈值的新慢启动策略COS-Slow-Start。最后NS2仿真实验表明,该策略能有效地减少分组丢失、平缓突发流量冲击,并可增加带宽的有效利用率。