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CdSe量子点的S-K模式自组装生长 被引量:6
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作者 羊亿 申德振 +5 位作者 张吉英 范希武 郑著宏 赵晓薇 赵东旭 刘毅楠 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期68-70,共3页
The formation of self assembled CdSe quantum dots under Stranski Krastanow (S K) mode by low pressure metalorganic chemical vapor deposition (LP MOCVD) was reported for the first time. The samples were grown directly ... The formation of self assembled CdSe quantum dots under Stranski Krastanow (S K) mode by low pressure metalorganic chemical vapor deposition (LP MOCVD) was reported for the first time. The samples were grown directly on GaAs (100) surfaces by LP MOCVD. DimethylSelenide (DMSe) and DimethylCadmium (DMCd) were used as precursors. The growth pressure was kept at 2 93×10 4Pa and the growth temperature was 500℃. CdSe with the thickness of about 2 monolayers was grown directly on GaAs (100) surfaces. For the purpose of AFM observation, this uncapped sample was cooled down immediately to room temperature and was monitored under a Digital Instruments Nanoscope Ⅲa system at the same day of growth. The AFM images show that the average diameter, height and density of those self assembled CdSe quantum dots are 50±15nm, 13±4nm and 5μm -2 , respectively. And those dots’ diameter height ratio is about 4~5, just the same as those results observed in other Ⅱ Ⅵ and Ⅲ Ⅵ compounds which were grown under S K mode by MBE. 展开更多
关键词 自组装 量子点 s-k模式 硒化镉
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半导体单量子点的分子束外延生长及调控
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作者 宋长坤 黄晓莹 +2 位作者 陈英鑫 喻颖 余思远 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第6期982-996,共15页
Ⅲ-Ⅴ化合物半导体外延单量子点具有类原子的分立能级结构,能够按需产生单光子和纠缠多光子态,而且可以直接与成熟的集成光子技术结合,因此被认为是制备高品质固态量子光源、构建可扩展性量子网络最有潜力的固态量子体系之一。本综述的... Ⅲ-Ⅴ化合物半导体外延单量子点具有类原子的分立能级结构,能够按需产生单光子和纠缠多光子态,而且可以直接与成熟的集成光子技术结合,因此被认为是制备高品质固态量子光源、构建可扩展性量子网络最有潜力的固态量子体系之一。本综述的重点是介绍高品质单量子点的分子束外延生长及精确调控的方法。首先介绍了晶圆级均匀单量子点的分子束外延生长,并探讨了调控浸润层态和量子点对称性的生长方法;接下来概述了利用应变层调控量子点发射波长的方法,总结了几种常见的电调控单个量子点器件的设计原理;最后讨论了最近为实现优异量子点光源而开发的液滴外延生长技术。 展开更多
关键词 单量子点 分子束外延 生长调控 s-k模式 液滴刻蚀 单光子源 纠缠光源
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Ge/Si(100)量子点生长与形态分布的研究 被引量:6
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作者 周志玉 周志文 +3 位作者 李成 陈松岩 余金中 赖虹凯 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期220-225,共6页
利用超高真空化学气相淀积系统,通过控制淀积量、温度、流量等生长参数,在n型Si(100)衬底上自组装生长了一系列Ge量子点样品,用原子力显微镜进行了表征与分析。系统地研究了生长参数对Ge岛形态分布的影响并分析了有序、高密度Ge岛... 利用超高真空化学气相淀积系统,通过控制淀积量、温度、流量等生长参数,在n型Si(100)衬底上自组装生长了一系列Ge量子点样品,用原子力显微镜进行了表征与分析。系统地研究了生长参数对Ge岛形态分布的影响并分析了有序、高密度Ge岛的生长机理。结果表明,从二维向三维岛跃迁后,最初形成的高宽比(高度与底宽的比值)在0.04~0.06之间的小岛是一种在低温下可以与圆顶岛共存的稳定岛,两种岛的分布随淀积参数的变化而变化。在高温下小岛几乎消失,流量的变化对小岛的密度影响较小。实验中获得小岛的密度最高为2.6×10^10cm^-2,圆顶岛的密度最高为4.2×10^9cm^-2。 展开更多
关键词 GE量子点 超高真空化学气相淀积 s-k生长模式
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InAs/GaAs系列量子点研究
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作者 王建峰 商耀辉 +2 位作者 武一宾 牛晨亮 卜夏正 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第7期410-413,共4页
为了获得波长长、均匀性好和发光效率高的量子点,采用分子束外延(MBE)技术和S-K应变自组装模式,在GaAs(100)衬底上研究生长了三种InAs量子点。采用MBE配备的RHEED确定了工艺参数:As压维持在1.33×10-5Pa;InAs量子点和In0.2Ga0.8As... 为了获得波长长、均匀性好和发光效率高的量子点,采用分子束外延(MBE)技术和S-K应变自组装模式,在GaAs(100)衬底上研究生长了三种InAs量子点。采用MBE配备的RHEED确定了工艺参数:As压维持在1.33×10-5Pa;InAs量子点和In0.2Ga0.8As的生长温度为500℃;565℃生长50nmGaAs覆盖层。生长了垂直耦合量子点(InAs1.8ML/GaAs5nm/InAs1.8ML)、阱内量子点(In0.2Ga0.8As5nm/InAs2.4ML/In0.2Ga0.8As5nm)和柱状岛量子点(InAs分别生长1.9、1.7、1.5ML,停顿20s后,生长间隔层GaAs2nm)。测得对应的室温光致发光(PL)谱峰值波长分别为1.038、1.201、1.087μm,半峰宽为119.6、128.0、72.2nm、相对发光强度为0.034、0.153、0.29。根据PL谱的峰位、半峰宽和相对发光强与量子点波长、均匀性和发光效率的对应关系,可知量子点波长有不同程度的增加、均匀性越来越好、发光效率显著增强。 展开更多
关键词 自组装量子点 垂直耦合量子点 阱内量子点 柱状岛量子点 s-k模式 分子束外延 光致发光谱
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综合性大学工业设计专业人才培养体系的探索 被引量:1
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作者 史立秋 于峰 +2 位作者 王新荣 王庆武 胡晓平 《价值工程》 2010年第25期199-200,共2页
本文对当前国内外工业设计教育的特点和发展情况进行了分析,并结合当前国内工业设计教育出现的一些问题,探讨了新形势下综合性大学工业设计专业人才培养方向、课程设置、师资队伍等方面的问题,提出了具体的"K+S"型人才培养模... 本文对当前国内外工业设计教育的特点和发展情况进行了分析,并结合当前国内工业设计教育出现的一些问题,探讨了新形势下综合性大学工业设计专业人才培养方向、课程设置、师资队伍等方面的问题,提出了具体的"K+S"型人才培养模式的构建体系。 展开更多
关键词 工业设计 K+S型人才 培养模式
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短S形进气道流动特性数值模拟研究 被引量:6
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作者 朱宇 王霄 《飞机设计》 2004年第4期1-6,共6页
借助于流体分析软件对5种特定的短S形进气道进行了三维粘性流场的数值模拟。计算采用结 构.M非结构的混合式网格、标准的k-ε湍流模型求解三维Navier-Stokes方程。计算选用零迎角、零侧滑角、 马赫数为0.7的亚声速飞行状态。通过这... 借助于流体分析软件对5种特定的短S形进气道进行了三维粘性流场的数值模拟。计算采用结 构.M非结构的混合式网格、标准的k-ε湍流模型求解三维Navier-Stokes方程。计算选用零迎角、零侧滑角、 马赫数为0.7的亚声速飞行状态。通过这5种管道的流动特性,即总压恢复系数及其分布、马赫数和流场畸 变,表明采用2次弯折的短S形进气道,即使增加其等值段的长度,也难以减缓气流的分离,且出口存在着 较大的低能区,应增加流动控制手段;而1次S形弯折的进气道,S形轴线较平滑,其长度可以大大缩短,但 3.5倍直径长度的管道可以获得较好的流动效果。 展开更多
关键词 进气道 马赫数 总压恢复系数 迎角 飞行状态 Navier—stokes方程 流动控制 流动特性 求解 数值模拟
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空冷器风机的可靠性研究 被引量:6
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作者 裴峻峰 王丝雨 +1 位作者 任明晨 彭剑 《机械设计与制造》 北大核心 2020年第8期215-219,共5页
为了延长空冷器风机的使用寿命,减少停机次数,运用可靠性分析方法对其进行了相关分析研究。通过收集整理某石化公司的维修历史记录,计算出它的无故障运行时间,运用K-S检测法进行拟合优度检测,得出风机的无故障运行时间服从威布尔分布,... 为了延长空冷器风机的使用寿命,减少停机次数,运用可靠性分析方法对其进行了相关分析研究。通过收集整理某石化公司的维修历史记录,计算出它的无故障运行时间,运用K-S检测法进行拟合优度检测,得出风机的无故障运行时间服从威布尔分布,在此基础上求得了风机无故障运行时间的概率密度函数、可靠度函数、失效率函数等可靠性指标。同时根据风机的故障情况对其进行了可靠性增长趋势和失效模式的分析。结果表明:该类风机的平均寿命为10308h,现阶段定期维修的时间多集中在3600h左右;在可靠度为0.9时,预防性维修周期为2230h。经过适当的维修后该类风机的可靠性有显著增长的趋势,特别是在大修后增长得最为明显。引起风机主要故障部位是皮带/皮带轮/轮毂处,且故障多数会引起噪声和振动异常。 展开更多
关键词 K-S检测 威布尔分布 预防性维修周期 可靠性增长 失效模式
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用MOCVD法生长GaN基自组装量子点的相关实验及其分析 被引量:1
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作者 孟焘 朱贤方 王占国 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期1849-1853,共5页
GaN基相关材料的量子点生长是半导体材料研究的一个热点,尤其是用MOCVD方法生长GaN基自组装量子点占了相当的比例,因此相关的文献较多,但综述性文章却不多见。鉴于此,本文综述了用MOCVD法制备GaN基量子点的不同实验方法,并对影响量子点... GaN基相关材料的量子点生长是半导体材料研究的一个热点,尤其是用MOCVD方法生长GaN基自组装量子点占了相当的比例,因此相关的文献较多,但综述性文章却不多见。鉴于此,本文综述了用MOCVD法制备GaN基量子点的不同实验方法,并对影响量子点生长的实验条件和参数做了简要的分析。希望能够对相关的实验研究工作提供一些参考。 展开更多
关键词 GaN基量子点 自组装 s-k模式 MOCVD
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用K_D-K_S方法设计圆管拉拔配模时Δ_D和Δ_S值的选取 被引量:7
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作者 周宜淼 周紫箭 《上海有色金属》 CAS 2001年第2期69-73,共5页
用KD KS 方法设计圆管拉拔配模时经验参数ΔD 和ΔS 的值 ,已能将经验和理论结合起来进行选取 ;并对计算结果“不到位” ,提出了 4种修正方法。ΔD 对ΔD .max 和ΔS 对ΔS .max的比值是ΔD 和ΔS 取值是否合理的判据。ΔD 值和ΔS 值... 用KD KS 方法设计圆管拉拔配模时经验参数ΔD 和ΔS 的值 ,已能将经验和理论结合起来进行选取 ;并对计算结果“不到位” ,提出了 4种修正方法。ΔD 对ΔD .max 和ΔS 对ΔS .max的比值是ΔD 和ΔS 取值是否合理的判据。ΔD 值和ΔS 值的选取 ,除了要使计算结果“到位” 。 展开更多
关键词 圆管拉拔 配模 KD-KS计算方法
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晶体外延生长模式的完备理论描述与“后S-K异质兼容生长模式”的预言 被引量:1
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作者 任晓敏 王琦 《北京邮电大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期1-5,共5页
指出了晶体外延生长模式现有理论描述的若干问题,包括:1弗兰克-范·德·默夫模式被描述为仅存在于衬底表面能优势度为正值的情形中,这和晶格失配度足够小的2种材料能够以该模式交替生长的实验事实不符;2对于不同的衬底表面能优... 指出了晶体外延生长模式现有理论描述的若干问题,包括:1弗兰克-范·德·默夫模式被描述为仅存在于衬底表面能优势度为正值的情形中,这和晶格失配度足够小的2种材料能够以该模式交替生长的实验事实不符;2对于不同的衬底表面能优势度,弗兰克-范·德·默夫模式与斯特兰斯基-克拉斯塔诺夫(S-K)模式之间的转换被描述为发生在某一固定的晶格失配度上,这显然是不合理的;3由弗兰克-范·德·默夫模式似可直接转换为沃尔默-韦伯模式,反之亦然,这一描述值得质疑.针对这些问题,提出了改进的、更加完备的理论描述,其中引入了"准弗兰克-范·德·默夫模式"的概念.在此基础上,提出了"后S-K异质兼容生长模式"的概念,并探讨了基于该模式实现高质量异质兼容体材料生长的可能性. 展开更多
关键词 外延生长模式 弗兰克-范·德·默夫模式 斯特兰斯基-克拉斯塔诺夫模式 沃尔默-韦伯模式 准弗兰克-范·德·默夫模式 s-k异质兼容生长模式 光子集成 光电集成
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