砂轮粒径对300mm Si片双面磨削影响的研究

在直径300mm Si片制备过程中,利用双面磨削技术能获得高精度的表面参数,但同时却会在Si片表面留下明显的磨削印痕,这会影响Si片表面平整度。通过选择#2000和#3000砂轮对Si片进行磨削实验,获得两种型号砂轮磨削出Si片的形貌图、磨削印痕和局部平整度,并分别进行了比较。结果表明,选择粒度更细的#3000砂轮能够有效地弱化Si片表面的磨削印痕,同时改善边缘局部平整度差的问题,从而提高Si磨削片表面的局部平整度。

化学腐蚀对半导体硅片抛光后局部平整度的影响

抛光后的局部平整度(SFQR)参数是表征硅片抛光质量的重要指标之一,也是抛光过程较难优化的几何参数之一。分析了不同的化学腐蚀处理对抛光后局部平整度的影响。实验结果表明,不同的腐蚀处理方式会产生不同的表面状态,进而影响抛光后的局部平整度,抛光后SFQR与腐蚀片总厚度差(TTV)以及平整度(TIR)呈现出了一定的相关性。酸腐蚀去除量越大,腐蚀后的TTV以及TIR参数越差,硅片表面局部起伏也越剧烈,相应地,抛光后的SFQR也有逐渐增大的趋势。碱腐蚀硅片表面局部起伏较小,因此能获得较好的抛光后SFQR参数;而酸腐蚀硅片表面局部起伏剧烈,抛光后SFQR相对较大。KOH碱腐蚀与Na OH碱腐蚀会产生不同的表面粗糙度Ra,但是抛光后SFQR分布情况差异不大。目前实验研究表明抛光后SFQR受抛光前的粗糙度起伏Ra影响不大,而主要受反映硅片表面轮廓的较为宏观的起伏影响。