MoS_(2)和MoTe_(2)同质结和异质结中的表面电势排列

过渡金属硫族化合物(TMD)薄层仅改变几何形状(如层厚)就可调节带隙、电子亲和势和费米能级,使器件设计更灵活。但因缺乏费米能级排列信息,TMD同质/异质结器件常因未知的能带弯曲而偏离预期。利用扫描开尔文探针显微镜(SKPM)表征了TMD同质/异质结,结果显示,Mo S_(2)和Mo Te_(2)同质结的费米能级随层厚增加向本征费米能级移动(背景掺杂浓度降低),而Mo Te_(2)/Mo S_(2)异质结中探测到宽耗尽区和强光响应,同时给出表面污染(分子尺度)对单层TMD表面电势的影响。上述发现将在器件设计中帮助精准堆叠范德华(vdW)层。

铜铅合金的扫描开尔文探针显微镜研究

本文用扫描开尔文探针显微镜(SKPM)在具有相分离结构的磁控溅射铜铅合金样品上进行测量分析,得到了合金薄膜的表面形貌和与微观组份分布相关的表面电势差信息。运用SKPM技术分析了铜晶粒对合金中粒子生长的影响。该分析方法无需复杂的样品制备过程,不会破坏样品,对于宏观上具有确定组分的微观相分离样品,可以由表面电势差像得到不同相的微区分布。比其它常规的分析手段有更高的分辨率、能获得更多的材料微区结构、组份与性能间关系的信息。

MoS_(2)的摩擦起电及充电特性研究

二维二硫化钼(2D MoS_(2))由于其优越的电学、光学和压电性能,使其在未来电子器件领域被广泛关注.该文利用AFM接触模式和SKPM,在纳米尺度上,测试CVD制备多层MoS_(2)的隧道摩擦起电和充电特性.通过AFM接触模式,在75 nN的法向载荷力下,用Pt导电探针摩擦MoS_(2)样品的1μm×1μm正方形区域,同时使硅基底接地.然后通过SKPM,对以摩擦区域为中心的5μm×5μm正方形区域的接触电势进行成像.最后以上述方式,依次在A、B、C区域进行摩擦起电测试.研究结果表明:MoS_(2)不仅具有摩擦起电特性,而且表现出摩擦其他区域,可以对初始区域充电的现象.因此,可以利用MoS_(2)的摩擦起电特性和充电现象,指导构建一类新的基于2D MoS_(2)纳米电子器件和摩擦电子学功能器件的应用.