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一维势阱并伴有自旋轨道耦合的输运
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作者 李国锋 《赣南师范学院学报》 2009年第3期52-54,共3页
研究一束自旋极化电子在准一维系统中的输运,输运电子经过一个势阱和SOI共同作用的散射区.研究发现经过散射后电子自旋翻转的概率与费米能EF、势阱的深度V0、自旋轨道耦合的强度λR以及各通道的能级Ej,并且翻转概率具有周期振荡特性,即... 研究一束自旋极化电子在准一维系统中的输运,输运电子经过一个势阱和SOI共同作用的散射区.研究发现经过散射后电子自旋翻转的概率与费米能EF、势阱的深度V0、自旋轨道耦合的强度λR以及各通道的能级Ej,并且翻转概率具有周期振荡特性,即随散射区的长度呈周期性变化. 展开更多
关键词 量子势阱 SOI耦合(rashba) 自旋翻转 平面波近似
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